堆疊式導(dǎo)電互連電感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種集成電路裝置包含支撐一對(duì)例如柱等導(dǎo)電互連件的第一襯底。所述裝置還包含所述對(duì)導(dǎo)電互連件上的第二襯底。所述對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一3D螺線管電感器。所述裝置進(jìn)一步包含使所述對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的導(dǎo)電跡線。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
堆疊式導(dǎo)電互連電感器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明大體上涉及集成電路(IC)制造。更具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的一個(gè)方面涉及堆疊式導(dǎo)電互連電感器。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路(IC)的半導(dǎo)體制造的工藝流程可包含前段工藝(FEOL)、中間段工藝(MOL)及后段工藝(BEOL)過(guò)程。前段工藝過(guò)程可包含晶片制備、隔離、充分成形、柵極圖案化、間隔物、擴(kuò)展及源極/漏極植入、硅化物成形及雙應(yīng)力襯墊成形。中間段工藝過(guò)程可包含柵極觸點(diǎn)成形。后段工藝過(guò)程可包含用于將在前段工藝及中間段工藝過(guò)程期間產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置互連的一連串晶片處理步驟。
[0003]現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的成功制造及評(píng)定涉及材料與所采用的工藝之間的相互作用。具體來(lái)說(shuō)，后段工藝過(guò)程中的半導(dǎo)體制造的導(dǎo)電材料鍍敷的成形是工藝流程的越來(lái)越具挑戰(zhàn)性的部分。此在維持小特征尺寸方面尤其如此。維持小特征尺寸的相同挑戰(zhàn)還適用于無(wú)源玻璃(POG)技術(shù)，其中例如電感器及電容器等高性能組件建構(gòu)在高度絕緣襯底上，其也可具有非常低的損耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在一個(gè)方面中，一種集成電路裝置包含支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件的第一襯底。所述裝置還包含所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件上的第二襯底。所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器的部分。所述裝置進(jìn)一步包含使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第一導(dǎo)電跡線。
[0005]另一方面揭示一種集成電路裝置，其包含支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件及第二對(duì)導(dǎo)電互連件的第一襯底。所述裝置還包含堆疊在所述第一和第二對(duì)導(dǎo)電互連件上的第二襯底。所述第二襯底支撐第三對(duì)導(dǎo)電互連件及第四對(duì)導(dǎo)電互連件。所述第二襯底還包含將所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件耦合到所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件的一對(duì)通孔。所述裝置進(jìn)一步包含堆疊在所述第三及第四對(duì)導(dǎo)電互連件上的第三襯底。所述裝置包含使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合以操作為第一堆疊式3D螺線管電感器的第一導(dǎo)電跡線。所述裝置還包含使所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合以操作為第二堆疊式3D螺線管電感器的第二導(dǎo)電跡線。所述裝置進(jìn)一步包含使所述第二或第四對(duì)導(dǎo)電互連件中的一者彼此耦合以操作為第三堆疊式3D螺線管電感器的第三導(dǎo)電跡線。
[0006]在另一方面中，揭示一種制造電感裝置的后段工藝處理方法。所述方法包含在第一襯底上制造第一對(duì)導(dǎo)電互連件。所述方法還包含將第二襯底放置在所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件上。所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器。所述方法進(jìn)一步包含制造使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第一導(dǎo)電跡線。
[0007]另一方面揭示一種集成電路裝置，其包含支撐第一對(duì)用于互連的裝置的第一襯底。所述裝置還包含所述第一對(duì)互連裝置上的第二襯底。所述第一對(duì)互連裝置經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器的部分。所述裝置進(jìn)一步包含使所述第一對(duì)互連裝置彼此耦合的第一導(dǎo)電裝置。
[0008]這已經(jīng)相當(dāng)寬泛地概述了本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，使得可以更好地理解下文的【具體實(shí)施方式】。下文將描述本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可以容易利用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的相同目的。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)意識(shí)到，此類(lèi)等效構(gòu)造不脫離如在所附權(quán)利要求書(shū)中所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，關(guān)于本發(fā)明的組織和操作方法的被認(rèn)為是本發(fā)明的特性的新穎特征與其它目標(biāo)及優(yōu)點(diǎn)一起將從以下描述得到更好理解。然而，應(yīng)明確地理解，附圖中的每一個(gè)是出于圖解說(shuō)明和描述的目的而提供的并且打算作為本發(fā)明的限制的界定。
【附圖說(shuō)明】
[0009]為了更全面地理解本發(fā)明，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述。
[0010]圖1展示說(shuō)明具有3D電感器的典型單堆疊實(shí)施方案的裝置的橫截面圖。
[0011]圖2展示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的說(shuō)明具有3D電感器的多堆疊實(shí)施方案的橫截面圖。
[0012]圖3A到31展示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的說(shuō)明制造具有3D電感器的多堆疊實(shí)施方案的裝置的過(guò)程的步驟的橫截面圖。
[0013]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的說(shuō)明制造具有3D電感器的多堆疊實(shí)施方案的裝置的過(guò)程的過(guò)程流程圖。
[0014]圖5是示出其中可有利地采用本發(fā)明的配置的示范性無(wú)線通信系統(tǒng)的框圖。
[0015]圖6是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)配置的用于半導(dǎo)體組件的電路、布局和邏輯設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)工作站的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下文結(jié)合附圖而陳述的詳細(xì)描述內(nèi)容意在作為對(duì)各種配置的描述，而無(wú)意表示可實(shí)踐本文所描述的概念的僅有配置。出于提供對(duì)各種概念的透徹理解的目的，所述詳細(xì)描述包含具體細(xì)節(jié)。然而，對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，可在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐這些概念。在一些情況下，以框圖形式展示眾所周知的結(jié)構(gòu)和組件以便避免混淆此類(lèi)概念。如本文所描述，術(shù)語(yǔ)“及/或”的使用既定表示“包括性或”，且術(shù)語(yǔ)“或”的使用既定表示“排他性或”。
[0017]無(wú)源玻璃裝置涉及具有優(yōu)于其它技術(shù)(例如，表面安裝技術(shù)或多層陶瓷芯片)的多種優(yōu)點(diǎn)的高性能電感器及電容器組件。這些優(yōu)點(diǎn)包含更緊湊的大小且具有較小的制造偏差。無(wú)源玻璃裝置還涉及滿(mǎn)足嚴(yán)格的低插入損耗及低電力消耗規(guī)格的較高Q(或品質(zhì)因數(shù))值。例如電感器等裝置可使用無(wú)源玻璃技術(shù)實(shí)施為三維(3D)結(jié)構(gòu)。3D電感器或其它3D裝置還可經(jīng)歷歸因于它們的3D實(shí)施方案而引起的若干設(shè)計(jì)約束。
[0018]例如電感器等裝置可實(shí)施為三維(3D)結(jié)構(gòu)。3D電感器還可制造為無(wú)源玻璃裝置。3D電感器還可采取3D螺線管電感器的形狀。通常，使用單個(gè)水平或單個(gè)堆疊上的僅單個(gè)襯底來(lái)制造3D電感器。此外，襯底厚度是固定的，從而在制造電感器時(shí)導(dǎo)致許多設(shè)計(jì)約束。另夕卜，3D螺線管電感器可在一個(gè)3D結(jié)構(gòu)中磁性親合在一起，且在同一襯底上可存在多個(gè)電感器。此可導(dǎo)致空間擁擠問(wèn)題及可配合到電路中的電感器的數(shù)目的限制。而且，電路的整體阻抗可增加，同時(shí)3D電感器的Q(或質(zhì)量)因子可減小。
[0019]存在與將3D電感器實(shí)施為由導(dǎo)電互連材料制成的多個(gè)柱堆疊相關(guān)聯(lián)的若干優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)從垂直柱堆疊產(chǎn)生3D電感器，多得多的3D電感器可以集成到給定裝置或結(jié)構(gòu)中。另外，由柱堆疊制成的3D電感器的經(jīng)調(diào)制垂直高度可以合計(jì)為高Q因子。而且，實(shí)施為多個(gè)柱堆疊的3D電感器展現(xiàn)大得多的電感值。通過(guò)將3D電感器實(shí)施為柱堆疊，在裝置中存在更多空間來(lái)實(shí)施耦合到裝置結(jié)構(gòu)內(nèi)的所有3D電感器的中心抽頭區(qū)。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)方面中，集成電路裝置包含由導(dǎo)電互連件的堆疊層形成的3D螺線管電感器。在一個(gè)配置中，集成電路裝置包含支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件的第一襯底。所述裝置還包含堆疊在第一對(duì)導(dǎo)電互連件上的第二襯底。所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器。所述裝置進(jìn)一步包含使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第一導(dǎo)電跡線。
[0021]在本發(fā)明的另一方面中，所述集成電路裝置包含支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件及第二對(duì)導(dǎo)電互連件的第一襯底。所述裝置還包含堆疊在所述第一和第二對(duì)導(dǎo)電互連件上的第二襯底。所述第二襯底支撐第三對(duì)導(dǎo)電互連件及第四對(duì)導(dǎo)電互連件。所述第二襯底還包含將所述第一或第二對(duì)導(dǎo)電互連件中的一者耦合到第三或第四對(duì)導(dǎo)電互連件中的一者以操作為堆疊式3D螺線管電感器的一對(duì)通孔。所述裝置進(jìn)一步包含堆疊在第三及第四對(duì)導(dǎo)電互連件上的第三襯底。
[0022]圖1展示說(shuō)明具有3D電感器112的單堆疊實(shí)施方案的裝置100的橫截面圖?？捎刹Ａе瞥傻囊r底104包含穿過(guò)襯底104的孔洞。穿玻璃通孔(TGV) 106形成在所述孔洞內(nèi)。TGV106可使用導(dǎo)電材料完全填滿(mǎn)?；蛘?，可執(zhí)行TGV 106的保形填充以在TGV 106內(nèi)提供導(dǎo)電材料的殼體狀部分填充。所述導(dǎo)電材料可例如為銅(Cu)。第一導(dǎo)電層102及第二導(dǎo)電層108定位在TGV 106的相對(duì)端處以形式3D電感器112的一半，其可被布置成螺線管形狀。兩個(gè)組件組合在一起以形成3D電感器。每一組件可包含第一導(dǎo)電層102、第二導(dǎo)電層108及TGV 106。金屬-絕緣體-金屬(ΜΠΟ電容器110可沉積在襯底104的表面上。
[0023]圖1中的3D電感器112的單堆疊實(shí)施方案可具有固定襯底厚度，其導(dǎo)致涉及材料選擇、溫度及大小的若干設(shè)計(jì)約束。而且，3D電感器112使襯底104混亂，其降低了裝置100的整體阻抗值及Q(或質(zhì)量)因子兩者。
[0024]圖2展示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的說(shuō)明包含3D電感器228的堆疊實(shí)施方案的裝置200的橫截面圖。裝置200包含具有左邊封裝通孔206a及右邊封裝通孔206b的第一襯底202。封裝通孔206a及206b形成在第一襯底202內(nèi)且可完全或部分使用導(dǎo)電材料、聚酰亞胺材料填充或可僅為中空。在封裝通孔206a及206b的一端處是焊盤(pán)柵格陣列(LGAWOLLGA 204還可為球狀柵格陣列(BGA) IGA 204是集成電路(IC)的表面安裝封裝的類(lèi)型，其以在插口而非IC上具有引腳而出名。在封裝通孔206a及206b的另一端處的是第一導(dǎo)電層208。第一導(dǎo)電層208還與第一襯底202的表面(具體來(lái)說(shuō)是區(qū))接觸，如圖2中所示。
[0025]由導(dǎo)電材料制成的第一導(dǎo)電柱210及211的一端與第一導(dǎo)電層208接觸且另一端與第二導(dǎo)電層212接觸。第二導(dǎo)電柱213及215與第一導(dǎo)電柱210及211的類(lèi)似之處在于它們也是一端與第一導(dǎo)電層208接觸且另一端與第二導(dǎo)電層212接觸。第二導(dǎo)電層212沉積在第二襯底214的一個(gè)表面上且與所述表面接觸。在第二襯底214內(nèi)，還存在左邊第二襯底封裝通孔234及右邊第二襯底封裝通孔236。第三導(dǎo)電層216沉積在第二襯底214的另一表面上。第三導(dǎo)電柱218及219的一端接觸第三導(dǎo)電層216且另一端接觸第四導(dǎo)電層220。第四導(dǎo)電柱221及223與第三導(dǎo)電柱218及219的類(lèi)似之處在于它們也是一端與第三導(dǎo)電層216接觸且另一端與第四導(dǎo)電層220接觸。第四導(dǎo)電層220沉積在第三襯底222的一個(gè)表面上且與所述表面接觸。還存在與第三襯底222的表面接觸的金屬-絕緣體-金屬(ΜΠΟ電容器110。
[0026]圖2說(shuō)明裝置200內(nèi)的第一 3D電感器224、第二 3D電感器226及第三3D電感器228。第一 3D電感器224、第二 3D電感器226及/或第三3D電感器228可各自為3D螺線管電感器。
[0027]第一 3D電感器224包含第一導(dǎo)電層208、第一導(dǎo)電柱210及211、第二導(dǎo)電層212及第一電感器跡線230。存在構(gòu)成第一3D電感器224的兩個(gè)區(qū):左邊第一電感器區(qū)224a及右邊第一電感器區(qū)224b。因此，第一3D電感器224包含第一導(dǎo)電層208的最左邊部分、第一導(dǎo)電柱210的最左邊、第二導(dǎo)電層212的最左邊部分、第一電感器跡線230、第二導(dǎo)電層的最右邊部分、第一導(dǎo)電柱211中的最右邊一者及第一導(dǎo)電層208的最右邊部分。
[0028]第一3D電感器224中的用于電流的顛倒的“U”環(huán)是由通過(guò)以下方式耦合到左邊封裝通孔206a的LGA 204形成:穿過(guò)左邊第一電感器區(qū)224a的第一導(dǎo)電層208、穿過(guò)左邊第一電感器區(qū)224a的第一導(dǎo)電柱210、穿過(guò)左邊第一電感器區(qū)224a的第二導(dǎo)電層212、穿過(guò)第一電感器跡線230、穿過(guò)右邊第一電感器區(qū)224b的第二導(dǎo)電層212、穿過(guò)右邊第一電感器區(qū)224b的第一導(dǎo)電柱211且穿過(guò)右邊第一電感器區(qū)224b的第一導(dǎo)電層208以最后到達(dá)第一襯底202。第一3D電感器224的顛倒的“U”環(huán)還可在剛剛描述的方向的相反方向上形成。
[0029]類(lèi)似地，第二 3D電感器226包含第三導(dǎo)電層216、第三導(dǎo)電柱218及219、第四導(dǎo)電層220、第二電感器底部跡線232或第二電感器頂部跡線238。還存在構(gòu)成第二 3D電感器226的兩個(gè)區(qū):左邊第二電感器區(qū)226a及右邊第二電感器區(qū)226b。存在可以形成第二3D電感器226的兩個(gè)類(lèi)型的環(huán):“U”環(huán)及顛倒的“U”環(huán)。
[0030]第二 3D電感器226中的用于電流的U環(huán)是通過(guò)以下方式由左邊第二電感器區(qū)226a的第四導(dǎo)電層220形成:穿過(guò)左邊第二電感器區(qū)226a的第三導(dǎo)電柱218、穿過(guò)左邊第二電感器區(qū)226a的第三導(dǎo)電層216、穿過(guò)第二電感器底部跡線232、穿過(guò)右邊第二電感器區(qū)226b的第三導(dǎo)電層216、穿過(guò)右邊第二電感器區(qū)226b的第三導(dǎo)電柱219、穿過(guò)右邊第二電感器區(qū)226b的第四導(dǎo)電層220以最后到達(dá)第三襯底222。第二 3D電感器226的U環(huán)還可在剛剛描述的方向的相反方向上形成。
[0031]第二 3D電感器226中的用于電流的U環(huán)是通過(guò)以下方式由左邊第二電感器區(qū)226a的第三導(dǎo)電層216形成:穿過(guò)左邊第二電感器區(qū)226a的第三導(dǎo)電柱218、穿過(guò)左邊第二電感器區(qū)226a的第四導(dǎo)電層220、穿過(guò)第二電感器頂部跡線238、到右邊第二電感器區(qū)226b的第四導(dǎo)電層220、穿過(guò)右邊第二電感器區(qū)226b的第三導(dǎo)電柱219，且穿過(guò)右邊第二電感器區(qū)226b的第三導(dǎo)電層216以最后到達(dá)第二襯底214。第二 3D電感器226的顛倒的U環(huán)還可在相反方向上形成。
[0032]第三3D電感器228是由四個(gè)區(qū)組成:右下第三電感器區(qū)228a、右上第三電感器區(qū)228b、左上第三電感器區(qū)228c及左下第三電感器區(qū)228d。第三3D電感器228還由左邊第二襯底封裝通孔234、右邊第二襯底封裝通孔236及第三電感器跡線240組成。
[0033]第三3D電感器228中的用于電流的顛倒的“U”環(huán)通過(guò)以下方式由耦合到右邊封裝通孔206b的LGA 204形成:穿過(guò)右下第三電感器區(qū)228a的第一導(dǎo)電層208、穿過(guò)右下第三電感器區(qū)228a的第二導(dǎo)電柱213、穿過(guò)右下第三電感器區(qū)228a的第二導(dǎo)電層212且穿過(guò)右邊第二襯底封裝通孔236。電流繼續(xù)穿過(guò)右上第三電感器區(qū)228b的第三導(dǎo)電層216、穿過(guò)右上第三電感器區(qū)228b的第四導(dǎo)電柱221、穿過(guò)右上第三電感器區(qū)228b的第四導(dǎo)電層220且穿過(guò)第三電感器跡線240。
[0034]所述流繼續(xù)穿過(guò)左上第三電感器區(qū)228c的第四導(dǎo)電層220、穿過(guò)左上第三電感器區(qū)228c的第四導(dǎo)電柱223、穿過(guò)左上第三電感器區(qū)228c的第三導(dǎo)電層216、穿過(guò)左邊第二襯底封裝通孔234、穿過(guò)左下第三電感器區(qū)228d的第二導(dǎo)電層212、穿過(guò)左下第三電感器區(qū)228d的第二導(dǎo)電柱215且穿過(guò)左下第三電感器區(qū)228d的第一導(dǎo)電層208以最后到達(dá)第一襯底202。第三3D電感器228的顛倒的U環(huán)還可在相反方向上形成。
[0035]第三3D電感器228具有更多電感，因?yàn)槠鋵?dǎo)電環(huán)更大。因?yàn)榭梢詫㈩~外堆疊添加到裝置200，所以可以容易地、快速地且便利地形成具有更大導(dǎo)電環(huán)及更大電感值的3D電感器。
[0036]在一個(gè)實(shí)施方案中，第一襯底202、第二襯底214及/或第三襯底222可為玻璃或其它材料，例如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、碳化硅(SiC)、藍(lán)寶石(Al2O3)、石英、絕緣體上硅(SOI)、藍(lán)寶石上硅(SOS)、高電阻率硅(HRS)、氮化鋁(AlN)、塑料襯底、層壓體或其組合。如本文中所描述，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體襯底”可指切割過(guò)的晶片的襯底或可指未切割的晶片的襯底。類(lèi)似地，術(shù)語(yǔ)晶片及裸片可互換使用，除非此類(lèi)互換將過(guò)于輕信。
[0037]在一個(gè)實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電柱210、211、第二導(dǎo)電柱213、215、第三導(dǎo)電柱218、219、第四導(dǎo)電柱221、223、第一導(dǎo)電層208、第二導(dǎo)電層212、第三導(dǎo)電層216及第四導(dǎo)電層220的導(dǎo)電材料可為銅(Cu)。在其它配置中，所述材料是具有高導(dǎo)電性的另一導(dǎo)電材料，例如銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、鎳(Ni)及其它類(lèi)似材料。導(dǎo)電層或?qū)щ娀ミB件中的任一者可通過(guò)電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)及/或物理氣相沉積(PVD)(例如濺鍍或蒸鍍)沉積在給定襯底上。
[0038]可通過(guò)涉及能夠蝕刻構(gòu)成各種襯底的材料的化學(xué)物質(zhì)的掩模曝光及濕式蝕刻工藝而形成封裝通孔206a、206b、234及236?；蛘?，可以通過(guò)在光顯影過(guò)程期間使用光可界定聚酰亞胺(PI)形成封裝通孔206a、206b、234及236(即，不使用干式或濕式蝕刻工藝)。
[0039]存在與將3D電感器實(shí)施為導(dǎo)電互連材料的柱的多個(gè)堆疊相關(guān)聯(lián)的若干優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)從柱堆疊產(chǎn)生3D電感器，多得多的3D電感器可以集成到給定裝置或結(jié)構(gòu)中。另外，由柱堆疊制成的3D電感器(例如，第三3D電感器228)的累積垂直高度可以合計(jì)為高Q因子。而且，實(shí)施為多個(gè)柱堆疊的3D電感器(例如，第三3D電感器228)展現(xiàn)大得多的電感值。將3D電感器實(shí)施為柱堆疊還在裝置中產(chǎn)生更多空間以實(shí)施耦合到裝置結(jié)構(gòu)內(nèi)的3D電感器的中心抽頭區(qū)。圖2中展示的電容器110是此類(lèi)中心抽頭區(qū)組件的實(shí)例。
[0040]圖3A到31展示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的說(shuō)明制造具有3D電感器的多堆疊實(shí)施方案的裝置的過(guò)程的橫截面圖。
[0041 ] 在圖3A的橫截面圖300中，第一導(dǎo)電層208沉積在第一襯底202上。第一導(dǎo)電層208可通過(guò)電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)及/或物理氣相沉積(PVD)(例如，濺鍍或蒸鍍)沉積到第一襯底202上。還展示第一襯底202具有左邊封裝通孔206a及右邊封裝通孔206b。
[0042]在圖3B的橫截面圖310中，第一光致抗蝕劑層302沉積在第一導(dǎo)電層208上?？赏ㄟ^(guò)旋涂、基于液滴的光致抗蝕劑沉積及/或噴涂而沉積光致抗蝕劑層302。
[0043]在圖3C的橫截面圖320中，在光刻過(guò)程中通過(guò)掩模暴露第一光致抗蝕劑層302，且隨后通過(guò)化學(xué)蝕刻過(guò)程使用例如光致抗蝕劑顯影劑等溶液蝕刻掉暴露部分，所述溶液可由例如四甲基銨氫氧化物(TMAH)、氯化鐵(FeCl3)、氯化銅(CuCl2)或堿性氨(NH3)制成。使用等離子的干式蝕刻過(guò)程還可用于蝕刻第一光致抗蝕劑層302。隨后通過(guò)任何濕式化學(xué)過(guò)程或干式蝕刻過(guò)程將第一導(dǎo)電層208圖案化，其中第一光致抗蝕劑層302的經(jīng)蝕刻的光致抗蝕劑區(qū)用作準(zhǔn)則。接著可通過(guò)化學(xué)光致抗蝕劑剝離過(guò)程使用光致抗蝕劑剝離液剝離(未圖示)第一光致抗蝕劑層302的剩余的部分，所述光致抗蝕劑剝離液例如為正性光致抗蝕劑剝離液(PRS-2000)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)，或丙酮。還可通過(guò)干式光致抗蝕劑剝離過(guò)程使用例如氧氣等等離子剝離光致抗蝕劑層，其被稱(chēng)為灰化。
[0044]在圖3D的橫截面圖330中，第一導(dǎo)電材料210’的層沉積在第一導(dǎo)電層208的經(jīng)圖案化區(qū)上。第二光致抗蝕劑層304隨后沉積在第一導(dǎo)電材料210’的層上以形成第一導(dǎo)電柱210、211及第二導(dǎo)電柱213、215，如圖3E中所展示。可通過(guò)電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)及/或物理氣相沉積(PVD)(例如，濺鍍或蒸鍍)沉積第一導(dǎo)電材料?？赏ㄟ^(guò)旋涂、基于液滴的光致抗蝕劑沉積及/或噴涂而沉積第二光致抗蝕劑層304。
[0045]在圖3E的橫截面圖340中，在光刻過(guò)程中通過(guò)掩模暴露第二光致抗蝕劑層304，且隨后通過(guò)化學(xué)蝕刻過(guò)程使用例如光致抗蝕劑顯影劑等溶液蝕刻掉暴露部分。使用等離子的干式蝕刻過(guò)程還可用于蝕刻第二光致抗蝕劑層302。隨后通過(guò)任何濕式化學(xué)過(guò)程或干式蝕刻過(guò)程將第一導(dǎo)電材料的層圖案化，其中第二光致抗蝕劑層304的經(jīng)蝕刻的光致抗蝕劑區(qū)用作準(zhǔn)則。形成第一導(dǎo)電柱210、211及第二導(dǎo)電柱213、215以作為此圖案化的結(jié)果。接著可剝離(未圖示)第二光致抗蝕劑層304的剩余的部分。
[0046]在圖3F的橫截面圖350中，在第二襯底214上沉積并圖案化第二導(dǎo)電層212。第二導(dǎo)電層212經(jīng)圖案化到與第一襯底202上的第一導(dǎo)電層208的經(jīng)圖案化區(qū)重疊的區(qū)中。在一個(gè)實(shí)施方案中，如圖3F中所展示，第一襯底202的較遠(yuǎn)右側(cè)及左側(cè)上的第一導(dǎo)電層208凸緣區(qū)不與第二襯底214的較遠(yuǎn)右側(cè)及左側(cè)上的第二導(dǎo)電層212的經(jīng)圖案化區(qū)對(duì)準(zhǔn)，且比其向外延伸地更遠(yuǎn)。在圖3F中未展示的另一實(shí)施方案中，第一襯底202上的第一導(dǎo)電層208的區(qū)與第二襯底214上的第二導(dǎo)電層212區(qū)對(duì)準(zhǔn)。第二導(dǎo)電層212的經(jīng)圖案化部分粘附到第一導(dǎo)電柱210、211及第二導(dǎo)電柱213、215。在第二襯底214中，可類(lèi)似于此類(lèi)封裝通孔206a及206b在第一襯底202中形成的方式形成封裝通孔234及236，例如通過(guò)濕式化學(xué)過(guò)程或干式蝕刻過(guò)程。
[0047]在圖3G的橫截面圖360中，第三導(dǎo)電層216沉積在第二襯底214的另一表面上。第三光致抗蝕劑層306沉積在第三導(dǎo)電層216上。隨后將第三光致抗蝕劑層306及第三導(dǎo)電層216圖案化及蝕刻。接著可通過(guò)化學(xué)光致抗蝕劑剝離或干式光致抗蝕劑剝離過(guò)程剝離(未圖示)第三光致抗蝕劑層306。
[0048]在圖3H的橫截面圖370中，第二導(dǎo)電材料的層沉積在第三導(dǎo)電層216的經(jīng)圖案化區(qū)上。第四光致抗蝕劑層308隨后沉積在第二導(dǎo)電材料的層上。第四光致抗蝕劑層308及第二導(dǎo)電材料的層經(jīng)圖案化及蝕刻以形成第三導(dǎo)電柱218、219及第四導(dǎo)電柱221、223。接著可通過(guò)化學(xué)光致抗蝕劑剝離或干式光致抗蝕劑剝離過(guò)程剝離(未圖示)第四光致抗蝕劑層308。
[0049]在圖31的橫截面圖380中，在第三襯底222上沉積并圖案化第四導(dǎo)電層220。第四導(dǎo)電層220經(jīng)圖案化到與第二襯底214上的第三導(dǎo)電層216的經(jīng)圖案化區(qū)重疊或?qū)?zhǔn)的區(qū)中。在一個(gè)實(shí)施方案中，如圖31中所展示，第二襯底214上的第三導(dǎo)電層216區(qū)與第三襯底222上的第四導(dǎo)電層220區(qū)對(duì)準(zhǔn)。在圖31中未展示的另一實(shí)施方案中，第二襯底214上的第三導(dǎo)電層216區(qū)可不與第三襯底222上的所有第四導(dǎo)電層220區(qū)對(duì)準(zhǔn)，與如圖31中所展示的第一導(dǎo)電層208及第二導(dǎo)電層212的區(qū)一樣。第四導(dǎo)電層220的經(jīng)圖案化部分粘附到第三導(dǎo)電柱218、219及第四導(dǎo)電柱221、223。
[0050]在第三襯底222中，可類(lèi)似于此類(lèi)封裝通孔206a及206b在第一襯底202中形成及封裝通孔234及236在第二襯底214中形成的方式形成封裝通孔(未圖示)，例如通過(guò)濕式化學(xué)或干式蝕刻過(guò)程。在此情況下，可添加額外的柱及導(dǎo)電層以進(jìn)一步提高Q因子及電感。
[0051]而且在圖31的橫截面圖380中，可通過(guò)用于沉積及圖案化MM電容器的任何半導(dǎo)體制造過(guò)程在第三襯底222上形成金屬-絕緣體-金屬(ΜΠΟ電容器110?？梢酝ㄟ^(guò)在適當(dāng)?shù)奈恢锰幊练e導(dǎo)電材料而制造跡線230、232、238、240(圖3F-1中未展示)。
[0052]圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的制造具有3D電感器的多堆疊實(shí)施方案的裝置的過(guò)程400的過(guò)程流程圖。在框402中，第一對(duì)導(dǎo)電互連件(例如，第一導(dǎo)電柱210及211)制造在第一襯底(例如，第一襯底202)上。在框303中，第二襯底(例如，第二襯底214)放置在第一對(duì)導(dǎo)電互連件上，其中所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器(例如，第一3D電感器224)。在框406中，制造使第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第一導(dǎo)電跡線(例如，第一電感器跡線230或所述第一導(dǎo)電跡線的部分可為第一電感器跡線230)。此可參考圖2或圖3A-3F展示。
[0053]在一個(gè)配置中，集成電路裝置包含支撐第一對(duì)用于互連的裝置的第一襯底。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，所述用于互連的裝置可為第一導(dǎo)電柱210、211、第二導(dǎo)電柱213、215、第三導(dǎo)電柱218、219及/或第四導(dǎo)電柱221、223，如圖2及圖31中所示。所述裝置還包含用于傳導(dǎo)的裝置。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，所述傳導(dǎo)裝置可為如圖2所示的跡線230、232、238、240。在另一方面中，前述裝置可為經(jīng)配置以執(zhí)行通過(guò)前述裝置敘述的功能的任何電路或任何設(shè)備。
[0054]圖5為展示可有利地采用本發(fā)明的方面的示范性無(wú)線通信系統(tǒng)500的框圖。出于說(shuō)明的目的，圖5展示三個(gè)遠(yuǎn)程單元520、530及550及兩個(gè)基站540。將認(rèn)識(shí)到，無(wú)線通信系統(tǒng)可具有多得多的遠(yuǎn)程單元及基站。遠(yuǎn)程單元520、530及550包含IC裝置525A、525C及525B，其包含所揭示的裝置(例如，3D螺線管電感器)。將認(rèn)識(shí)到，其它裝置也可包含所揭示的裝置(例如，3D螺線管電感器)，例如基站、交換裝置及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。圖5展示從基站540到遠(yuǎn)程單元520、530及550的前向鏈路信號(hào)580及從遠(yuǎn)程單元520、530及550到基站540的反向鏈路信號(hào)590。
[0055]在圖5中，遠(yuǎn)程單元520展示為移動(dòng)電話(huà)，遠(yuǎn)程單元530展示為便攜式計(jì)算機(jī)，且遠(yuǎn)程單元550展示為無(wú)線本地環(huán)路系統(tǒng)中的固定位置遠(yuǎn)程單元。例如，所述遠(yuǎn)程單元可為移動(dòng)電話(huà)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如個(gè)人數(shù)據(jù)助理、具GPS功能的裝置、導(dǎo)航裝置、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元)、固定位置數(shù)據(jù)單元(例如儀表讀取設(shè)備)，或存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的其它裝置，或其組合。雖然圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的方面的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性所說(shuō)明的單元?？稍诎沂镜难b置的許多裝置中合適地采用本發(fā)明的方面。
[0056]圖6是說(shuō)明用于半導(dǎo)體組件(例如，上文揭示的3D螺線管電感器)的電路、布局及邏輯設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)工作站的框圖。設(shè)計(jì)工作站600包含含有操作系統(tǒng)軟件、支持文件及設(shè)計(jì)軟件(例如Cadence或OrCAD)的硬盤(pán)601。設(shè)計(jì)工作站600還包含顯示器602以促進(jìn)電路610或半導(dǎo)體組件612(例如所揭示的裝置(例如，3D螺線管電感器))的設(shè)計(jì)。提供存儲(chǔ)媒體604以用于有形地存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)610或半導(dǎo)體組件612。電路設(shè)計(jì)610或半導(dǎo)體組件612可以例如GDSII或GERBER等文件格式存儲(chǔ)在存儲(chǔ)媒體604上。存儲(chǔ)媒體604可為⑶-ROM、DVD、硬盤(pán)、快閃存儲(chǔ)器或其它適當(dāng)?shù)难b置。此外，設(shè)計(jì)工作站600包含用于從存儲(chǔ)媒體604接受輸入或?qū)⑤敵鰧?xiě)入到所述存儲(chǔ)媒體的驅(qū)動(dòng)設(shè)備603。
[0057]記錄在存儲(chǔ)媒體604上的數(shù)據(jù)可指定邏輯電路配置、用于光刻掩模的模式數(shù)據(jù)，或用于串行寫(xiě)入工具(例如電子束光刻)的掩模圖案數(shù)據(jù)。所述數(shù)據(jù)可進(jìn)一步包含邏輯驗(yàn)證數(shù)據(jù)，例如與邏輯仿真相關(guān)聯(lián)的時(shí)序圖或網(wǎng)狀電路。在存儲(chǔ)媒體604上提供數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)減小用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體晶片的過(guò)程的數(shù)目而促進(jìn)電路設(shè)計(jì)610或半導(dǎo)體組件612的設(shè)計(jì)。
[0058]對(duì)于固件和/或軟件實(shí)施方案，可以用執(zhí)行本文中所描述的功能的模塊(例如，程序、函數(shù)等等)實(shí)施方法。在實(shí)施本文中所描述的方法時(shí)，可使用有形地體現(xiàn)指令的機(jī)器可讀媒體。舉例來(lái)說(shuō)，軟件代碼可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并且由處理器單元來(lái)執(zhí)行。存儲(chǔ)器可實(shí)施在處理器單元內(nèi)或處理器單元外部。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“存儲(chǔ)器”是指多種類(lèi)型的長(zhǎng)期、短期、易失性、非易失性或其它存儲(chǔ)器，且不應(yīng)限于特定類(lèi)型的存儲(chǔ)器或特定數(shù)目個(gè)存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的媒體的類(lèi)型。
[0059]如果以固件和/或軟件實(shí)施，那么可將所述功能作為一或多個(gè)指令或代碼存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀媒體上。實(shí)例包含用數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)編碼的計(jì)算機(jī)可讀媒體及用計(jì)算機(jī)程序編碼的計(jì)算機(jī)可讀媒體。計(jì)算機(jī)可讀媒體包含物理計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體。存儲(chǔ)媒體可為可由計(jì)算機(jī)存取的可用媒體。借助于實(shí)例而非限制，此類(lèi)計(jì)算機(jī)可讀媒體可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤(pán)存儲(chǔ)裝置，磁盤(pán)存儲(chǔ)裝置或其它磁性存儲(chǔ)裝置，或任何其它可用于存儲(chǔ)呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的所要程序代碼并且可由計(jì)算機(jī)訪問(wèn)的媒體;如本文中所使用，磁盤(pán)和光盤(pán)包含壓縮光盤(pán)(CD)、激光光盤(pán)、光學(xué)光盤(pán)、數(shù)字多功能光盤(pán)(DVD)、軟性磁盤(pán)和藍(lán)光光盤(pán)，其中磁盤(pán)通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤(pán)用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述各者的組合也應(yīng)包含在計(jì)算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。
[0060]除存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀媒體上之外，指令和/或數(shù)據(jù)還可以提供為在包含于通信設(shè)備中的傳輸媒體上的信號(hào)。例如，通信設(shè)備可以包含具有指示指令和數(shù)據(jù)的信號(hào)的收發(fā)器。所述指令和數(shù)據(jù)經(jīng)配置以使一或多個(gè)處理器實(shí)施權(quán)利要求書(shū)中所概述的功能。
[0061]盡管已詳細(xì)地描述本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)理解，在不脫離如由所附權(quán)利要求書(shū)所界定的本發(fā)明的技術(shù)的情況下，可在本文中進(jìn)行各種改變、替代及變更。舉例來(lái)說(shuō)，相對(duì)于襯底或電子裝置使用例如“上方”和“下方”等關(guān)系術(shù)語(yǔ)。當(dāng)然，如果襯底或電子裝置顛倒，則上方變成下方，且反之亦然。另外，如果側(cè)向定向，則上方和下方可指代襯底或電子裝置的側(cè)面。此外，本申請(qǐng)案的范圍并不希望限于在說(shuō)明書(shū)中描述的過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟的特定配置。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于從本發(fā)明了解，可根據(jù)本發(fā)明利用執(zhí)行與本文中所描述的對(duì)應(yīng)配置大體上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)與所述對(duì)應(yīng)配置大體上相同的結(jié)果的當(dāng)前現(xiàn)有或稍后待開(kāi)發(fā)的過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求書(shū)既定在其范圍內(nèi)包含所述過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路裝置，其包括: 第一襯底，其支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件； 第二襯底，其在所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件上，所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器的部分;及 第一導(dǎo)電跡線，其使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二對(duì)導(dǎo)電互連件，其在所述第一襯底與所述第二襯底之間； 第三對(duì)導(dǎo)電互連件，其由所述第二襯底支撐;及 第三襯底，其堆疊在所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二導(dǎo)電跡線，其使所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合，其中所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為與所述第一 3D螺線管電感器對(duì)準(zhǔn)的第二 3D螺線管電感器。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二導(dǎo)電跡線，其使所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合，其中所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第二 3D螺線管電感器。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第四對(duì)導(dǎo)電互連件，其布置在所述第二襯底與所述第三襯底之間且穿過(guò)多個(gè)通孔耦合到所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件； 第二導(dǎo)電跡線，其使所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件的一端彼此耦合且還經(jīng)過(guò)所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件，所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件及所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為具有大于所述第一 3D螺線管電感器的高度的高度的第三3D螺線管電感器。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其中所述第三襯底包括玻璃。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其中金屬-絕緣體-金屬M(fèi)M電容器形成在所述第三襯底的表面上。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件包括一對(duì)柱。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其并入到以下各者中的至少一者中:音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理TOA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)。10.—種集成電路裝置，其包括: 第一襯底，其支撐第一對(duì)導(dǎo)電互連件及第二對(duì)導(dǎo)電互連件； 第二襯底，其堆疊在所述第一和第二對(duì)導(dǎo)電互連件上，所述第二襯底支撐第三對(duì)導(dǎo)電互連件及第四對(duì)導(dǎo)電互連件，所述第二襯底包含將所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件耦合到所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件的一對(duì)通孔； 第三襯底，其堆疊在所述第三和第四對(duì)導(dǎo)電互連件上； 第一導(dǎo)電跡線，其使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合以操作為第一堆疊式3D螺線管電感器； 第二導(dǎo)電跡線，其使所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合以操作為第二堆疊式3D螺線管電感器;及 第三導(dǎo)電跡線，其使所述第二或第四對(duì)導(dǎo)電互連件中的一者彼此耦合以操作為第三堆疊式3D螺線管電感器。11.一種制造電感裝置的后段工藝處理方法，其包括: 在第一襯底上制造第一對(duì)導(dǎo)電互連件； 將第二襯底放置在所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件上，所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器的部分;及 制造第一導(dǎo)電跡線，其使所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述第一襯底上制造所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件包括: 在所述第一襯底上沉積第一導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層上沉積第一光致抗蝕劑層； 蝕刻所述第一光致抗蝕劑層以圖案化所述第一導(dǎo)電層； 剝離所述第一光致抗蝕劑層； 在所述經(jīng)圖案化的第一導(dǎo)電層上沉積第一互連材料層； 在所述沉積的第一互連材料層上沉積第二光致抗蝕劑層;及 蝕刻所述第二光致抗蝕劑層以圖案化所述第一互連材料層以形成所述第一對(duì)導(dǎo)電互連件。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包含: 在所述第一襯底與所述第二襯底之間制造第二對(duì)導(dǎo)電互連件； 在所述第二襯底上制造第三對(duì)導(dǎo)電互連件;及 在所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件上放置第三襯底。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括: 制造使所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第二導(dǎo)電跡線，其中所述第三對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為與所述第一 3D螺線管電感器對(duì)準(zhǔn)的第二 3D螺線管電感器。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括: 制造使所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件彼此耦合的第二導(dǎo)電跡線，其中所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為第二 3D螺線管電感器。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在所述第二襯底與所述第三襯底之間制造第四對(duì)導(dǎo)電互連件； 在所述第二襯底中制造多個(gè)通孔； 穿過(guò)所述多個(gè)通孔將所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件耦合到所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件;及制造第二導(dǎo)電跡線，其使所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件的一端彼此耦合且還經(jīng)過(guò)所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件，所述第二對(duì)導(dǎo)電互連件及所述第四對(duì)導(dǎo)電互連件經(jīng)布置以操作為具有大于所述第一 3D螺線管電感器的高度的高度的第三3D螺線管電感器。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述電感裝置并入到以下各者中的至少一者中:音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)。18.—種集成電路裝置，其包括: 第一襯底，其支撐第一對(duì)用于互連的裝置； 第二襯底，其在所述第一對(duì)互連裝置上，所述第一對(duì)互連裝置經(jīng)布置以操作為第一 3D螺線管電感器;及 第一導(dǎo)電裝置，其使所述第一對(duì)互連裝置彼此耦合。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二對(duì)用于互連的裝置，其在所述第一襯底與所述第二襯底之間； 第三對(duì)用于互連的裝置，其由所述第二襯底支撐;及 第三襯底，其堆疊在所述第二對(duì)互連裝置上。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二導(dǎo)電裝置，其使所述第三對(duì)互連裝置彼此耦合，其中所述第三對(duì)互連裝置經(jīng)布置以操作為與所述第一 3D螺線管電感器對(duì)準(zhǔn)的第二 3D螺線管電感器。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第二導(dǎo)電裝置，其使所述第二對(duì)互連裝置彼此耦合，其中所述第二對(duì)互連裝置經(jīng)布置以操作為第二 3D螺線管電感器。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，其進(jìn)一步包括: 第四對(duì)用于互連的裝置，其布置在所述第二襯底與所述第三襯底之間且穿過(guò)多個(gè)通孔耦合到所述第二對(duì)互連裝置;及 第二導(dǎo)電裝置，其使所述第二對(duì)互連裝置的一端彼此耦合且還經(jīng)過(guò)所述第四對(duì)互連裝置，所述第二對(duì)互連裝置及所述第四對(duì)互連裝置經(jīng)布置以操作為具有大于所述第一 3D螺線管電感器的高度的高度的第三3D螺線管電感器。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，其中所述第三襯底包括玻璃。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，其中金屬-絕緣體-金屬M(fèi)M電容器形成在所述第三襯底的表面上。25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，其中所述第一對(duì)互連裝置包括一對(duì)柱。26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，其并入到以下各者中的至少一者中:音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK105874593SQ201480072085
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月16日
【發(fā)明人】D·D·金, 馬里奧·弗朗西斯科·韋萊茲, 左誠(chéng)杰, 章漢·霍比·云, 金鄭海, 馬修·邁克爾·諾瓦克
【申請(qǐng)人】高通股份有限公司