電感器、mmic的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及例如高頻無線儀器或高頻雷達(dá)儀器等使用的高頻設(shè)備所采用的電感器和 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) ο
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻(xiàn)I公開了重疊3層繞組而成的螺旋狀的電感器。第I層繞組、第2層繞組以及第3層繞組分別形成為漩渦狀。為了將第3層繞組的中央部與電感器的外部連接，在第3層繞組形成有空氣橋。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2000 - 269418號公報
[0004]專利文獻(xiàn)2:國際公開第2008/016089號
[0005]專利文獻(xiàn)3:日本特開2003 - 78017號公報
[0006]有時在3層中形成繞組，通過它們形成電感器。該電感器的最下層的繞組與輸入端子連接，最上層的繞組與輸出端子連接。如果將3層繞組形成為漩渦狀，則信號從最下層繞組的外側(cè)部分向內(nèi)側(cè)部分流動，然后從中間層的繞組的內(nèi)側(cè)部分向外側(cè)部分流動，最后從最上層的繞組的外側(cè)部分向內(nèi)側(cè)部分流動。因此存在下述問題:為了將最上層的繞組與輸出端子連接，而需要專利文獻(xiàn)I公開的空氣橋那樣的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。不限于形成有3層繞組的情況，對于在大于或等于3層的奇數(shù)層(例如5層)中形成有繞組的電感器，也存在同樣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的是，提供一種電感器以及采用該電感器的MMIC，該電感器能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)與端子的連接，在大于或等于3層的奇數(shù)層中形成有繞組。
[0008]本發(fā)明所涉及的電感器的特征在于，具有:第I繞組；輸入端子，其與該第I繞組的最外周部分電連接；第I絕緣膜，其在該第I繞組之上以覆蓋該第I繞組的方式形成；第2繞組，其形成于該第I絕緣膜之上；第2絕緣膜，其在該第2繞組之上以覆蓋該第2繞組的方式形成；漩渦狀的第3繞組，其形成于該第2絕緣膜之上；多個連接導(dǎo)體，它們在多個部位將該第I繞組與該第2繞組以越是該第I繞組和該第2繞組的外側(cè)部分越先傳送信號的方式連接；中央部連接導(dǎo)體，其將該第I繞組的中央部分或該第2繞組的中央部分與該第3繞組的中央部分連接；以及輸出端子，其與該第3繞組的最外周部分電連接。
[0009]本發(fā)明所涉及的其他電感器的特征在于，具有:漩渦狀的第I繞組；輸入端子，其與該第I繞組的最外周部分電連接；第I絕緣膜，其在該第I繞組之上以覆蓋該第I繞組的方式形成；第2繞組，其形成于該第I絕緣膜之上；第2絕緣膜，其在該第2繞組之上以覆蓋該第2繞組的方式形成；第3繞組，其形成于該第2絕緣膜之上；中央部連接導(dǎo)體，其將該第I繞組的中央部分與該第2繞組的中央部分或該第3繞組的中央部分連接；多個連接導(dǎo)體，它們在多個部位將該第2繞組與該第3繞組以越是該第2繞組和該第3繞組的內(nèi)側(cè)部分越先傳送信號的方式連接；以及輸出端子，其與該第3繞組的最外周部分電連接。
[0010]本發(fā)明所涉及的MMIC的特征在于，具有:基板；晶體管，其形成于該基板；電阻元件，其形成于該基板；電容器，其形成于該基板；以及電感器，其形成于該基板，該電感器具有:第I繞組；輸入端子，其與該第I繞組的最外周部分電連接；第I絕緣膜，其在該第I繞組之上以覆蓋該第I繞組的方式形成；第2繞組，其形成于該第I絕緣膜之上；第2絕緣膜，其在該第2繞組之上以覆蓋該第2繞組的方式形成；漩渦狀的第3繞組，其形成于該第2絕緣膜之上；多個連接導(dǎo)體，它們在多個部位將該第I繞組與該第2繞組以越是該第I繞組和該第2繞組的外側(cè)部分越先傳送信號的方式連接；中央部連接導(dǎo)體，其將該第I繞組的中央部分或該第2繞組的中央部分與該第3繞組的中央部分連接；以及輸出端子，其與該第3繞組的最外周部分電連接。
[0011]本發(fā)明所涉及的其他麗IC的特征在于，具有:基板；晶體管，其形成于該基板；電阻元件，其形成于該基板；電容器，其形成于該基板；以及電感器，其形成于該基板，該電感器具有:漩渦狀的第I繞組；輸入端子，其與該第I繞組的最外周部分電連接；第I絕緣膜，其在該第I繞組之上以覆蓋該第I繞組的方式形成；第2繞組，其形成于該第I絕緣膜之上；第2絕緣膜，其在該第2繞組之上以覆蓋該第2繞組的方式形成；第3繞組，其形成于該第2絕緣膜之上；中央部連接導(dǎo)體，其將該第I繞組的中央部分與該第2繞組的中央部分或該第3繞組的中央部分連接；多個連接導(dǎo)體，它們在多個部位將該第2繞組與該第3繞組以越是該第2繞組和該第3繞組的內(nèi)側(cè)部分越先傳送信號的方式連接；以及輸出端子，其與該第3繞組的最外周部分電連接。
[0012]發(fā)明的效果
[0013]根據(jù)本發(fā)明，對最上層的下方的層的繞組連接進(jìn)行調(diào)整，以使得能夠?qū)⑿盘栞斎胫磷钌蠈永@組的內(nèi)側(cè)部分，因此，能夠提供一種電感器以及采用該電感器的麗1C，該電感器能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)與端子的連接。
【附圖說明】
[0014]圖1是實施方式I所涉及的電感器的斜視圖。
[0015]圖2是圖1的I1-1I虛線處的剖面圖。
[0016]圖3是表示頻率特性的圖。
[0017]圖4是實施方式2所涉及的電感器的第I繞組的俯視圖。
[0018]圖5是實施方式2所涉及的電感器的第2繞組的俯視圖。
[0019]圖6是實施方式2所涉及的電感器的第3繞組的俯視圖。
[0020]圖7是重疊表示第I?第3繞組的俯視圖。
[0021]圖8是圖7的VII1-VIII虛線處的剖面圖。
[0022]圖9是實施方式2所涉及的電感器的俯視圖。
[0023]圖10是實施方式3所涉及的電感器的斜視圖。
[0024]圖11是實施方式4所涉及的電感器的斜視圖。
[0025]圖12是實施方式5所涉及的電感器的斜視圖。
[0026]圖13是實施方式6所涉及的電感器的剖面圖。
[0027]圖14是表示頻率特性的圖。
[0028]圖15是實施方式7所涉及的電感器的剖面圖。
[0029]圖16是表示頻率特性的圖。
[0030]標(biāo)號的說明
[0031]10電感器，12輸入端子，14輸出端子，16第I繞組，16a、16b配線，18第2繞組，18a、18b配線，20第3繞組，20a,20b配線，22、24連接導(dǎo)體，26中央部連接導(dǎo)體，30半導(dǎo)體基板，32第I絕緣膜，34第2絕緣膜
【具體實施方式】
[0032]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式所涉及的電感器進(jìn)行說明。對相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)要素，標(biāo)注相同的標(biāo)號，有時省略重復(fù)說明。
[0033]實施方式I
[0034]圖1是本發(fā)明的實施方式I所涉及的電感器10的斜視圖。電感器10構(gòu)成螺旋式電感器，其將信號從輸入端子12向輸出端子14傳送。
[0035]電感器10具有同心圓狀的第I繞組16。第I繞組16具有配線16a、16b。第I繞組16的最外周部分與輸入端子12電連接。在第I繞組16的上層形成有漩渦狀的第2繞組18。第2繞組18具有配線18a、18b。在第2繞組18的上層形成有漩渦狀的第3繞組20。第3繞組20具有配線20a、20b。第3繞組20的最外周部分與輸出端子14電連接。
[0036]對第I繞組16與第2繞組18的連接進(jìn)行說明。第I繞組16與第2繞組18以越是第I繞組16和第2繞組18的外側(cè)部分越先傳送信號的方式連接。具體來說，利用連接導(dǎo)體22，將作為第I繞組16的外側(cè)部分的配線16b與作為第2繞組18的外側(cè)部分的配線18b連接。并且，利用連接導(dǎo)體24，將作為第I繞組16的內(nèi)側(cè)部分的配線16a與作為第2繞組18的內(nèi)側(cè)部分的配線18a連接。
[0037]對第3繞組20與第I繞組16的連接進(jìn)行說明。第I繞組16的中央部分