用派射的方式制作厚2 μ m的Cu作為金屬層II 10 ；
[0095]步驟二:在襯底I內(nèi)形成垂直貫通穿透襯底I至金屬層II 10的通孔2，如圖6所示，所述通孔2的直徑為30 μ m ;
[0096]步驟二:在襯底I上表面沉積粘附層4，并去除沉積在通孔2內(nèi)金屬層II 10表面上的粘附層4，以使所述粘附層4僅覆蓋于襯底I的上表面和通孔2的內(nèi)壁表面；
[0097]襯底I為導(dǎo)體或半導(dǎo)體襯底時(shí)，如圖7所示，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在硅晶圓上表面沉積形成200nm的S12作為絕緣層，然后采用等離子體刻蝕去除沉積在通孔2內(nèi)Cu金屬層II 10表面上的絕緣層，得到位于襯底I上表面及通孔2內(nèi)壁上的絕緣層3 ;當(dāng)襯底I及通孔2內(nèi)形成絕緣層3后，如圖8所示，再將10nm的Ti粘附層4沉積并覆蓋于襯底I及通孔2絕緣層3的表面；
[0098]步驟四:如圖9所示，在上述通孔2內(nèi)灌封熔融的Sn釬料形成釬料填充體II 11，所述釬料填充體II 11的下端與襯底I下表面上的金屬層II 10相接觸，上端高出襯底的上表面以形成釬料凸點(diǎn)12 ;
[0099]步驟五:如圖10所示，在釬料凸點(diǎn)12上放置厚度為150 μ m的多晶Cu金屬片13 ；
[0100]步驟六:使步驟五形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行釬焊回流，反應(yīng)過(guò)程中金屬層II 10加熱至250°C，金屬片13的溫度高于金屬層II 10的溫度形成40°C /cm溫度梯度，直至釬料填充體II 11全部與金屬片13反應(yīng)完畢，形成Cu6Sn5金屬間化合物7 ；
[0101]步驟七:去除剩余金屬片13，對(duì)上述形成金屬間化合物7填充通孔2的襯底I上、下表面平整化，采用化學(xué)機(jī)械拋光襯底I對(duì)應(yīng)的表面，以使通孔2內(nèi)的金屬間化合物7與拋光后的襯底I上、下表面平齊，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0102]如圖15所示，本實(shí)施例中40°C /cm的溫度梯度條件下的⑶^七金屬間化合物生長(zhǎng)速率顯著大于傳統(tǒng)釬焊回流(250°C等溫時(shí)效)條件下的Cu6Sn5金屬間化合物生長(zhǎng)速率。
[0103]實(shí)施例3
[0104]如圖6?圖10所示，本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0105]本實(shí)施例中，步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，不同之處僅在于本實(shí)施例中金屬層II 10采用單晶Cu，設(shè)定溫度梯度為50°C /cm，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0106]如圖15所示，本實(shí)施例中50°C /cm的溫度梯度條件下金屬間化合物生長(zhǎng)速率顯著大于傳統(tǒng)釬焊回流(250°C等溫時(shí)效)條件下的金屬間化合物生長(zhǎng)速率。
[0107]如圖16所示，采用單晶Cu作為金屬層II 10的材料，在本實(shí)施例所述條件下形成的&165115金屬間化合物具有單一取向。
[0108]實(shí)施例4
[0109]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0110]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為55°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例I相同，如圖1?圖5所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0111]實(shí)施例5
[0112]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0113]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為55°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0114]實(shí)施例6
[0115]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0116]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為60°C/cm，金屬層I 5采用單晶Cu，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例1相同，如圖1?圖5所示，最終形成采用具有單一取向金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0117]實(shí)施例7
[0118]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0119]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為60°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0120]實(shí)施例8
[0121]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0122]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為70°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例I相同，如圖1?圖5所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0123]實(shí)施例9
[0124]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0125]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為70°C/cm，金屬層II 10采用單晶Cu，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成具有單一取向采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0126]實(shí)施例10
[0127]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0128]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為80°C/cm，金屬層I 5采用單晶Cu，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例1相同，如圖1?圖5所示，最終形成具有單一取向采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0129]實(shí)施例11
[0130]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0131]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為80°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0132]實(shí)施例12
[0133]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0134]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為85°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例I相同，如圖1?圖5所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0135]實(shí)施例13
[0136]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0137]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為85°C /cm，金屬層II 10采用單晶Cu，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成具有單一取向采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0138]實(shí)施例14
[0139]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0140]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為90°C/cm，金屬層I 5采用單晶Cu，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例1相同，如圖1?圖5所示，最終形成具有單一取向采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖11所示。
[0141]實(shí)施例15
[0142]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0143]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為90°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例2相同，如圖6?圖10所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔，如圖13所示。
[0144]實(shí)施例16
[0145]本發(fā)明金屬間化合物填充的三維封裝垂直通孔的制備方法通過(guò)下述具體工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0146]本實(shí)施例中，設(shè)定所述溫度梯度為130°C /cm，其它步驟、材料和工藝條件等均與實(shí)施例1相同，如圖1?圖5所示，最終形成采用金屬間化合物填充的三維