技術(shù)編號：8382413
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子封裝三維集成，涉及一種三維封裝垂直通孔及其制備方法，尤其涉及。背景技術(shù)隨著電子封裝器件不斷追求高頻高速、多功能、高性能和小體積，要求電子封裝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的集成密度和更小的封裝尺寸，封裝結(jié)構(gòu)逐漸由二維向三維方向發(fā)展。三維封裝的核心技術(shù)之一是娃通孔(Through Silicon Via，TSV)技術(shù)，可實現(xiàn)芯片之間或芯片與基板之間的三維垂直互連，以彌補傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片二維布線的局限性。這種互連方式具有三維方向堆疊密度大、封裝后外形尺寸小、電路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。