連接 于所述至少一第二導(dǎo)電端子的第二負(fù)極部，其中所述第一核也層為化或化合金，所述第一 包覆層包括一為Ni的第一連接層及一為Sn且包覆所述第一連接層的第一焊接層，且所述 第二核也層為化或化合金，所述第二包覆層包括一為Ni的第二連接層及一為Sn且包覆 所述第二連接層的第二焊接層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝體具有一 第一側(cè)表面、一背對(duì)于所述第一側(cè)表面的第二側(cè)表面、及一連接于所述第一側(cè)表面與所述 第二側(cè)表面之間的底表面，所述第一外露上表面的所述第一上裸露區(qū)域及所述第一外露下 表面的所述第一下裸露區(qū)域均連接至所述封裝體的所述第一側(cè)表面，且所述第二外露上表 面的所述第二上裸露區(qū)域及所述第二外露下表面的所述第二下裸露區(qū)域均連接至所述封 裝體的所述第二側(cè)表面，其中所述至少一第一導(dǎo)電端子的所述第一裸露部沿著所述封裝體 的所述第一側(cè)表面與所述底表面延伸，且所述至少一第二導(dǎo)電端子的所述第二裸露部沿著 所述封裝體的所述第二側(cè)表面與所述底表面延伸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一核也層具 有一貫穿所述第一核也層且連接于所述第一外露上表面與所述第一外露下表面之間的第 一貫穿孔，且所述第二核也層具有一貫穿所述第二核也層且連接于所述第二外露上表面與 所述第二外露下表面之間的第二貫穿孔，其中所述第一貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿 的第一填充部及一連通于所述第一填充部且裸露在所述封裝體外的第一縷空部，且所述第 二貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第二填充部及一連通于所述第二填充部且裸露在 所述封裝體外的第二縷空部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)所述第一堆 疊型電容器包括一閥金屬鉛片、一完全包覆所述閥金屬鉛片的氧化層、一包覆所述氧化層 的一部分的導(dǎo)電高分子層、一完全包覆所述導(dǎo)電高分子層的碳膠層、及一完全包覆所述碳 膠層的銀膠層，其中每一個(gè)所述第一堆疊型電容器包括一設(shè)置在所述氧化層的外表面上且 圍繞所述氧化層的圍繞狀絕緣層，且所述第一堆疊型電容器的所述導(dǎo)電高分子層的長(zhǎng)度、 所述碳膠層的長(zhǎng)度及所述銀膠層的長(zhǎng)度均被所述圍繞狀絕緣層所限制，其中所述氧化層的 外表面上具有一圍繞區(qū)域，且所述第一堆疊型電容器的所述圍繞狀絕緣層圍繞地設(shè)置在所 述氧化層的所述圍繞區(qū)域上且同時(shí)與所述導(dǎo)電高分子層的末端、所述碳膠層的末端及所述 銀膠層的末端接觸。
6. -種導(dǎo)電單元，其特征在于，所述導(dǎo)電單元包括：至少一第一導(dǎo)電端子及與所述至 少一第一導(dǎo)電端子彼此分離一特定距離的至少一第二導(dǎo)電端子，其中所述至少一第一導(dǎo)電 端子及所述至少一第二導(dǎo)電端子均連接至一封裝體； 其中，所述至少一第一導(dǎo)電端子具有一被包覆在所述封裝體內(nèi)的第一內(nèi)埋部及一連接 于所述第一內(nèi)埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且所述至少一第二導(dǎo)電端子具有 一被包覆在所述封裝體內(nèi)的第二內(nèi)埋部及一連接于所述第二內(nèi)埋部且裸露在所述封裝體 外的第二裸露部； 其中，所述至少一第一導(dǎo)電端子包括一第一核也層及一包覆所述第一核也層的第一包 覆層，所述第一核也層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第 一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的 第一上覆蓋區(qū)域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區(qū)域； 其中，所述至少一第二導(dǎo)電端子包括一第二核也層及一包覆所述第二核也層的第二包 覆層，所述第二核也層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第 二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的 第二上覆蓋區(qū)域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電單元，其特征在于，所述第一外露上表面具有一連接于 所述第一上覆蓋區(qū)域且裸露在所述封裝體外的第一上裸露區(qū)域，所述第一外露下表面具有 一連接于所述第一下覆蓋區(qū)域且裸露在所述封裝體外的第一下裸露區(qū)域，所述第二外露上 表面具有一連接于所述第二上覆蓋區(qū)域且裸露在所述封裝體外的第二上裸露區(qū)域，所述第 二外露下表面具有一連接于所述第二下覆蓋區(qū)域且裸露在所述封裝體外的第二下裸露區(qū) 域，且所述第一上裸露區(qū)域、所述第一下裸露區(qū)域、所述第二上裸露區(qū)域及所述第二下裸露 區(qū)域均通過(guò)Sn材料的填補(bǔ)而被完全覆蓋，其中所述第一核也層為化或化合金，所述第一 包覆層包括一為Ni的第一連接層及一為Sn且包覆所述第一連接層的第一焊接層，且所述 第二核也層為化或化合金，所述第二包覆層包括一為Ni的第二連接層及一為Sn且包覆 所述第二連接層的第二焊接層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電單元，其特征在于，所述封裝體具有一第一側(cè)表面、一背 對(duì)于所述第一側(cè)表面的第二側(cè)表面、及一連接于所述第一側(cè)表面與所述第二側(cè)表面之間的 底表面，所述第一外露上表面的所述第一上裸露區(qū)域及所述第一外露下表面的所述第一下 裸露區(qū)域均連接至所述封裝體的所述第一側(cè)表面，且所述第二外露上表面的所述第二上裸 露區(qū)域及所述第二外露下表面的所述第二下裸露區(qū)域均連接至所述封裝體的所述第二側(cè) 表面，其中所述至少一第一導(dǎo)電端子的所述第一裸露部沿著所述封裝體的所述第一側(cè)表面 與所述底表面延伸，且所述至少一第二導(dǎo)電端子的所述第二裸露部沿著所述封裝體的所述 第二側(cè)表面與所述底表面延伸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電單元，其特征在于，所述第一核也層具有一貫穿所述第 一核也層且連接于所述第一外露上表面與所述第一外露下表面之間的第一貫穿孔，且所述 第二核也層具有一貫穿所述第二核也層且連接于所述第二外露上表面與所述第二外露下 表面之間的第二貫穿孔，其中所述第一貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第一填充部及 一連通于所述第一填充部且裸露在所述封裝體外的第一縷空部，且所述第二貫穿孔具有一 被所述封裝體所填滿的第二填充部及一連通于所述第二填充部且裸露在所述封裝體外的 第二縷空部。
10. -種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步 驟： 提供至少一第一導(dǎo)電端子及至少一第二導(dǎo)電端子； 提供一電容單元，所述電容單元包括多個(gè)依序堆疊在一起且電性連接于所述至少一第 一導(dǎo)電端子與所述至少一第二導(dǎo)電端子之間的第一堆疊型電容器，其中所述第一堆疊型電 容器設(shè)置在所述至少一第一導(dǎo)電端子的頂端上及所述至少一第二導(dǎo)電端子的頂端上，且每 一個(gè)所述第一堆疊型電容器具有一第一正極部及一第一負(fù)極部； 形成一封裝體W完全包覆所述電容單元，其中所述至少一第一導(dǎo)電端子具有一電性連 接于所述第一堆疊型電容器的所述第一正極部且被包覆在所述封裝體內(nèi)的第一內(nèi)埋部及 一連接于所述第一內(nèi)埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且所述至少一第二導(dǎo)電端 子具有一電性連接于所述第一堆疊型電容器的所述第一負(fù)極部且被包覆在所述封裝體內(nèi) 的第二內(nèi)埋部及一連接于所述第二內(nèi)埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部；W及 彎折所述第一裸露部與所述第二裸露部，W使得所述第一裸露部與所述第二裸露部均 沿著所述封裝體的外表面延伸； 其中，所述至少一第一導(dǎo)電端子包括一第一核也層及一包覆所述第一核也層的第一包 覆層，所述第一核也層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第 一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的 第一上覆蓋區(qū)域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區(qū)域； 其中，所述至少一第二導(dǎo)電端子包括一第二核也層及一包覆所述第二核也層的第二包 覆層，所述第二核也層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第 二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的 第二上覆蓋區(qū)域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區(qū)域。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明披露一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、及導(dǎo)電單元。固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)包括電容單元、封裝單元及導(dǎo)電單元。封裝單元包括一用于包覆電容單元的封裝體。導(dǎo)電單元包括第一導(dǎo)電端子及第二導(dǎo)電端子。第一導(dǎo)電端子包括第一核心層及第一包覆層。第一核心層具有一從第一包覆層裸露而出的第一外露上表面，且第一外露上表面具有一被封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區(qū)域。第二導(dǎo)電端子包括第二核心層及第二包覆層。第二核心層具有一從第二包覆層裸露而出的第二外露上表面，且第二外露上表面具有一被封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區(qū)域。藉此，本發(fā)明可提升導(dǎo)電端子與封裝體兩者的接觸面之間的密封性。
【IPC分類(lèi)】H01G9-012, H01G9-15, H01G9-26
【公開(kāi)號(hào)】CN104637688
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310548630
【發(fā)明人】邱繼皓, 陳明宗, 張坤煌
【申請(qǐng)人】鈺邦電子（無(wú)錫）有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2013年11月6日