改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一電容單元、一封裝單元及一導(dǎo)電單元。電容單元包括多個依序堆棧且彼此電性連接的堆棧型電容器，且每一個堆棧型電容器具有至少一正極部及至少一負(fù)極部，其中每一個堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且金屬箔片具有一對應(yīng)于正極部的焊接部及一連接于焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部。封裝單元包括一包覆電容單元的封裝體。導(dǎo)電單元包括至少一電性連接于堆棧型電容器的正極部且被部分包覆在封裝體內(nèi)的第一導(dǎo)電端子及至少一電性連接于堆棧型電容器的負(fù)極部且被部分包覆在封裝體內(nèi)的第二導(dǎo)電端子。
【專利說明】改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本創(chuàng)作系有關(guān)于一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電容器已廣泛地被使用于消費性家電用品、計算機主板及其周邊、電源供應(yīng)器、通訊產(chǎn)品、及汽車等的基本組件，其主要的作用包括:濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉(zhuǎn)相等。是電子產(chǎn)品中不可缺少的組件之一。電容器依照不同的材質(zhì)及用途，有不同的型態(tài)。包括鋁質(zhì)電解電容、鉭質(zhì)電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。
[0003]先行技術(shù)中，固態(tài)電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優(yōu)越等優(yōu)點，而可使用于中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容單元的堆棧，而形成高電容量的固態(tài)電解電容器，習(xí)知堆棧式固態(tài)電解電容器包括多個電容單元與導(dǎo)線架，其中每一電容單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，此絕緣部使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別是，電容單元的陰極部彼此堆棧，且藉由在相鄰的電容單元之間設(shè)置導(dǎo)電體層，以使多個電容單元之間彼此電性連接。
實用新型內(nèi)容
[0004]本創(chuàng)作實施例在于提供一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]本創(chuàng)作其中一實施例所提供的一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一電容單元、一封裝單元及一導(dǎo)電單元。所述電容單元包括多個依序堆棧且彼此電性連接的堆棧型電容器，且每一個所述堆棧型電容器具有至少一正極部及至少一負(fù)極部，其中每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部。所述封裝單元包括一包覆所述電容單元的封裝體，其中所述封裝體具有一第一側(cè)面、一與所述第一側(cè)面相對應(yīng)的第二側(cè)面、及一連接于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間的底面。所述導(dǎo)電單元包括至少一第一導(dǎo)電端子及至少一與至少一所述第一導(dǎo)電端子彼此分離的第二導(dǎo)電端子，其中至少一所述第一導(dǎo)電端子具有一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述正極部且被包覆在所述封裝體內(nèi)的第一內(nèi)埋部及一連接于所述第一內(nèi)埋部且外露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導(dǎo)電端子具有一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述負(fù)極部且被包覆在所述封裝體內(nèi)的第二內(nèi)埋部及一連接于所述第二內(nèi)埋部且外露在所述封裝體外的第二裸露部。
[0006]本創(chuàng)作另外一實施例所提供的一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一電容單元、一封裝單元及一導(dǎo)電單元。所述電容單元包括多個依序堆棧且彼此電性連接的堆棧型電容器，且每一個所述堆棧型電容器具有至少一正極部及至少一負(fù)極部，其中每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部。所述封裝單元包括一包覆所述電容單元的封裝體。所述導(dǎo)電單元包括至少一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述正極部且被部分包覆在所述封裝體內(nèi)的第一導(dǎo)電端子及至少一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述負(fù)極部且被部分包覆在所述封裝體內(nèi)的第二導(dǎo)電端子。
[0007]較佳地，每一個所述堆棧型電容器包括一包覆所述折迭部的導(dǎo)電高分子層、一完全包覆所述導(dǎo)電高分子層的碳膠層、及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層，其中每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述負(fù)極部透過導(dǎo)電膠以相互迭堆在一起，且每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述正極部透過焊接層以相互迭堆在一起。
[0008]較佳地，所述折迭部對應(yīng)于至少一所述負(fù)極部，且所述折迭部具有多個經(jīng)過折迭以依序堆棧在一起的折迭段。
[0009]較佳地，所述折迭部具有多個U形彎折段，每一個U形彎折段連接于每兩個相對應(yīng)的所述折迭段之間，且多個所述折迭段之中的最下面一個連接于所述焊接部。
[0010]較佳地，所述導(dǎo)電高分子層位于每兩個所述折迭段之間。
[0011]較佳地，每一個所述堆棧型電容器包括一設(shè)置在所述氧化層的外表面上且圍繞所述氧化層的圍繞狀絕緣層，且所述堆棧型電容器的所述導(dǎo)電高分子層的長度被所述圍繞狀絕緣層所限制。
[0012]較佳地，所述氧化層的所述外表面上具有一圍繞區(qū)域，且所述堆棧型電容器的所述圍繞狀絕緣層圍繞地設(shè)置在所述氧化層的所述圍繞區(qū)域上且同時接觸所述導(dǎo)電高分子層的末端。
[0013]較佳地，所述封裝體的所述第一側(cè)面與所述封裝體的所述第二側(cè)面彼此背對背，所述第一裸露部具有一從所述第一內(nèi)埋部向下彎折且沿著所述封裝體的所述第一側(cè)面延伸的第一延伸段及一從所述第一延伸段向內(nèi)彎折且沿著所述封裝體的所述底面延伸的第一焊接段，且所述第二裸露部具有一從所述第二內(nèi)埋部向下彎折且沿著所述封裝體的所述第二側(cè)面延伸的第二延伸段及一從所述第二延伸段向內(nèi)彎折且沿著所述封裝體的所述底面延伸的第二焊接段。
[0014]本創(chuàng)作的有益效果可以在于，本創(chuàng)作實施例所提供的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其可透過“每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部”的設(shè)計，以有效節(jié)省制作成本及制作工時、降低封裝體整體的封裝高度及尺寸、有效降低等效串聯(lián)電組(Equivalent Series Resistance, ESR)、及提升電容量(capacity)。
[0015]為使能更進(jìn)一步了解本創(chuàng)作之特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本創(chuàng)作之詳細(xì)說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本創(chuàng)作加以限制者。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1A為本創(chuàng)作第一實施例的其中一種金屬箔片被彎折前與被彎折后的上視示意圖；
[0017]圖1B為本創(chuàng)作第一實施例的其中一種金屬箔片進(jìn)行彎折步驟的流程示意圖；
[0018]圖1C為本創(chuàng)作第一實施例的堆棧型電容器的側(cè)視剖面示意圖；[0019]圖1D為本創(chuàng)作第一實施例的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；
[0020]圖1E為本創(chuàng)作第一實施例的另外一種金屬箔片被彎折前與被彎折后的上視示意圖；
[0021]圖1F為本創(chuàng)作第一實施例的另外再一種金屬箔片被彎折前與被彎折后的上視示意圖；
[0022]圖2為本創(chuàng)作第二實施例的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
[0023]【主要組件符號說明】
[0024]封裝結(jié)構(gòu)Z
[0025]電容單元I堆棧型電容器 10、10AU0B
[0026]金屬箔片100
[0027]焊接部100A
[0028]折迭部100B [0029]折迭段1001
[0030]折迭段1002
[0031]折迭段1003
[0032]折迭段1004
[0033]U形彎折段1005
[0034]氧化層101
[0035]圍繞區(qū)域1010
[0036]導(dǎo)電高分子層102
[0037]末端IO2O
[0038]碳膠層103
[0039]銀膠層104
[0040]圍繞狀絕緣層105
[0041]導(dǎo)電膠11
[0042]焊接層12
[0043]正極部P
[0044]負(fù)極部N
[0045]封裝單元2封裝體 20
[0046]第一側(cè)面201
[0047]第二側(cè)面202
[0048]底面203
[0049]導(dǎo)電單元3第一導(dǎo)電端子 31
[0050]第一內(nèi)埋部310
[0051]第一裸露部311
[0052]第一延伸段3110
[0053]第一焊接段3111[0054]第二導(dǎo)電端子32
[0055]第二內(nèi)埋部320
[0056]第二裸露部321
[0057]第二延伸段3210
[0058]第二焊接段3211。
【具體實施方式】
[0059]〔第一實施例〕
[0060]請參閱圖1A至圖1D所示，圖1A為上視示意圖，圖1B為流程示意圖，圖1C為剖面示意圖，圖1D為側(cè)視示意圖。由上述圖中可知，本創(chuàng)作第一實施例提供一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)Z,其包括:一電容單兀1、一封裝單兀2及一導(dǎo)電單兀3。
[0061]首先，配合圖1A至圖1D所示，電容單元I包括多個依序堆棧且彼此電性連接在一起的堆棧型電容器10，且每一個堆棧型電容器10 (如圖1B所示)具有至少一正極部P及至少一負(fù)極部N，其中每一個堆棧型電容器10包括一被氧化層101所包覆的金屬箔片100(亦即閥金屬箔片，例如Al箔片)，且金屬箔片100 (如圖1A所示)具有一對應(yīng)于正極部P的焊接部100A及一連接于焊接部100A且經(jīng)過一次或多次折迭后所形成的折迭部100B。
[0062]更進(jìn)一步來說，配合圖1A至圖1C所示，折迭部100B對應(yīng)于負(fù)極部N，且折迭部100B具有多個經(jīng)過一次或多次折迭后以依序堆棧在一起的折迭段(1001-1004)及多個U形彎折段1005。另外，每一個U形彎折段1005連接于每兩個相對應(yīng)的折迭段(1001-1004)之間，且多個折迭段(1001-1004)之中的最下面一個可連接于焊接部100A。舉例來說，如圖1A所示，金屬箔片100具有L形外觀。如圖1B的步驟SlOO至S102所示，位于最外側(cè)的折迭段1001可以被折向折迭段1002，以形成一位于兩個折迭段(1001、1002)之間的U形彎折段1005，并且最外側(cè)的折迭段1001可以懸空地堆棧在折迭段1002的上方。如圖1B的步驟S102至S104所示，折迭段1002可以被折向折迭段1003，以形成一位于兩個折迭段(1002,1003)之間的U形彎折段1005，并且折迭段(1001、1002)可以同時懸空地堆棧在折迭段1003的上方。如圖1B的步驟S104至S106所示，折迭段1003可以被折向折迭段1004，以形成一位于兩個折迭段(1003、1004)之間的U形彎折段1005，并且折迭段(1001、1002、1003)可以同時懸空地堆棧在折迭段1004的上方。
[0063]再者，如圖1C所示，每一個堆棧型電容器10包括一包覆折迭部100B的導(dǎo)電高分子層102、一完全包覆導(dǎo)電高分子層102的碳膠層103、及一完全包覆碳膠層103的銀膠層104，其中導(dǎo)電高分子層102位于每兩個折迭段(1001-1004)之間，每兩個相鄰的堆棧型電容器10的兩個負(fù)極部N可透過導(dǎo)電膠11以相互迭堆在一起，且每兩個相鄰的堆棧型電容器10的兩個正極部P可透過焊接層12以相互迭堆在一起。再者，每一個堆棧型電容器10包括一設(shè)置在氧化層101的外表面上且圍繞氧化層101的圍繞狀絕緣層105，且堆棧型電容器10的導(dǎo)電高分子層102的長度可被圍繞狀絕緣層105所限制。更進(jìn)一步來說，氧化層101的外表面上具有一圍繞區(qū)域1010，且堆棧型電容器10的圍繞狀絕緣層105圍繞地設(shè)置在氧化層101的圍繞區(qū)域1010上且同時接觸導(dǎo)電高分子層102的末端1020。
[0064]再者，配合圖1C與圖1D 所示，封裝單元2包括一包覆電容單元I的封裝體20，且導(dǎo)電單元3包括至少一電性連接于堆棧型電容器10的正極部P且被部分包覆在封裝體20內(nèi)的第一導(dǎo)電端子31及至少一電性連接于堆棧型電容器10的負(fù)極部N且被部分包覆在封裝體20內(nèi)的第二導(dǎo)電端子32。更進(jìn)一步來說，第一導(dǎo)電端子31與第二導(dǎo)電端子32彼此分離一預(yù)定距離，其中第一導(dǎo)電端子31具有一電性連接于堆棧型電容器10的正極部P且被包覆在封裝體20內(nèi)的第一內(nèi)埋部310及一連接于第一內(nèi)埋部310且外露在封裝體20外的第一裸露部311,且第二導(dǎo)電端子32具有一電性連接于堆棧型電容器10的負(fù)極部N且被包覆在封裝體20內(nèi)的第二內(nèi)埋部320及一連接于第二內(nèi)埋部320且外露在封裝體20外的第二裸露部321。
[0065]舉例來說，封裝體20具有一第一側(cè)面201、一與第一側(cè)面201相對應(yīng)的第二側(cè)面202、及一連接于第一側(cè)面201與第二側(cè)面202之間的底面203，且封裝體20的第一側(cè)面201與封裝體20的第二側(cè)面202彼此背對背。另外，第一裸露部311具有一從第一內(nèi)埋部310向下彎折且沿著封裝體20的第一側(cè)面201延伸的第一延伸段3110及一從第一延伸段3110向內(nèi)彎折且沿著封裝體20的底面203延伸的第一焊接段3111，且第二裸露部321具有一從第二內(nèi)埋部320向下彎折且沿著封裝體20的第二側(cè)面202延伸的第二延伸段3210及一從第二延伸段3210向內(nèi)彎折且沿著封裝體20的底面203延伸的第二焊接段3211。
[0066]因此，以上述具有4個折迭段(1001-1004)的說明為例，(I)本發(fā)明的堆棧型電容器10在電高分子層102的成形(含浸)、碳膠層103的成形、銀膠層104的成形、正極部P的焊接及負(fù)極部N的堆棧等制程中，各別的步驟皆可以省去3/4的制作成本及制作工時；
(2)封裝體20的封裝高度及尺寸可以大幅的縮減；(3)本發(fā)明可有效降低等效串聯(lián)電組(Equivalent Series Resistance, ESR),并提升電容量(capacity)。
[0067]再者，圖1E顯示本創(chuàng)作第一實施例的另外一種金屬箔片被彎折前與被彎折后的上視示意圖，其中金屬箔片100具有直條狀外觀，并且折迭段(1001-1004)也可以經(jīng)過多次折迭后依序堆棧在一起，以形成折迭部100B。另外，圖1F顯示本創(chuàng)作第一實施例的另外再一種金屬箔片被彎折前與被彎折后的上視示意圖，其中金屬箔片100具有十字形外觀，并且折迭段(1001-1004)也可以經(jīng)過多次折迭后依序堆棧在一起，以形成折迭部100B。
[0068]〔第二實施例〕
[0069]請參閱圖2所示，本創(chuàng)作第二實施例提供一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一電容單元1、一封裝單元2及一導(dǎo)電單元3。由圖2與圖1D的比較可知，第二實施例與第一實施例最大的差別在于:在第二實施例中，多個堆棧型電容器10中的其中一部分堆棧型電容器IOA依序堆棧且彼此電性連接于第二內(nèi)埋部320的上方，且多個堆棧型電容器10中的另外一部分堆棧型電容器IOB依序堆棧且彼此電性連接于第二內(nèi)埋部320的下方。另外，每兩個相鄰的堆棧型電容器(10A或10B)的兩個負(fù)極部N可透過導(dǎo)電膠11以相互迭堆在一起，且每兩個相鄰的堆棧型電容器(10A或10B)的兩個正極部P可透過焊接層12以相互迭堆在一起。
[0070]〔實施例的可能功效〕
[0071]綜上所述，本創(chuàng)作實施例所提供的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其可透過“每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部”的設(shè)計，以有效節(jié)省制作成本及制作工時、降低封裝體整體的封裝高度及尺寸、有效降低等效串聯(lián)電組(Equivalent Series Resistance, ESR)、及提升電容量(capacity)。[0072]以上所述僅為本創(chuàng)作之較佳可行實施例，非因此局限本創(chuàng)作之專利范圍，故舉凡運用本創(chuàng)作說明書及圖式內(nèi)容所為之等效技術(shù)變化，均包含于本創(chuàng)作之范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 一電容單元，其包括多個依序堆棧且彼此電性連接的堆棧型電容器，且每一個所述堆棧型電容器具有至少一正極部及至少一負(fù)極部，其中每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部； 一封裝單元，其包括一包覆所述電容單元的封裝體，其中所述封裝體具有一第一側(cè)面、一與所述第一側(cè)面相對應(yīng)的第二側(cè)面、及一連接于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間的底面；以及 一導(dǎo)電單元，其包括至少一第一導(dǎo)電端子及至少一與至少一所述第一導(dǎo)電端子彼此分離的第二導(dǎo)電端子，其中至少一所述第一導(dǎo)電端子具有一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述正極部且被包覆在所述封裝體內(nèi)的第一內(nèi)埋部及一連接于所述第一內(nèi)埋部且外露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導(dǎo)電端子具有一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述負(fù)極部且被包覆在所述封裝體內(nèi)的第二內(nèi)埋部及一連接于所述第二內(nèi)埋部且外露在所述封裝體外的第二裸露部。
2.如權(quán)利要求1所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中每一個所述堆棧型電容器包括一包覆所述折迭部的導(dǎo)電高分子層、一完全包覆所述導(dǎo)電高分子層的碳膠層、及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層，其中每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述負(fù)極部透過導(dǎo)電膠以相互迭堆在一起，且每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述正極部透過焊接層以相互迭堆在一起。
3.如權(quán)利要求1所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述折迭部對應(yīng)于至少一所述負(fù)極部，且所述折迭部具有多個經(jīng)過折迭以依序堆棧在一起的折迭段。
4.如權(quán)利要求3所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述折迭部具有多個U形彎折段，每一個U形彎折段連接于每兩個相對應(yīng)的所述折迭段之間，且多個所述折迭段之中的最下面一個連接于所述焊接部。
5.如權(quán)利要求3所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述導(dǎo)電高分子層位于每兩個所述折迭段之間。
6.如權(quán)利要求1所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中每一個所述堆棧型電容器包括一設(shè)置在所述氧化層的外表面上且圍繞所述氧化層的圍繞狀絕緣層，且所述堆棧型電容器的所述導(dǎo)電高分子層的長度被所述圍繞狀絕緣層所限制。
7.如權(quán)利要求6所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述氧化層的所述外表面上具有一圍繞區(qū)域，且所述堆棧型電容器的所述圍繞狀絕緣層圍繞地設(shè)置在所述氧化層的所述圍繞區(qū)域上且同時接觸所述導(dǎo)電高分子層的末端。
8.如權(quán)利要求1所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述封裝體的所述第一側(cè)面與所述封裝體的所述第二側(cè)面彼此背對背，所述第一裸露部具有一從所述第一內(nèi)埋部向下彎折且沿著所述封裝體的所述第一側(cè)面延伸的第一延伸段及一從所述第一延伸段向內(nèi)彎折且沿著所述封裝體的所述底面延伸的第一焊接段，且所述第二裸露部具有一從所述第二內(nèi)埋部向下彎折且沿著所述封裝體的所述第二側(cè)面延伸的第二延伸段及一從所述第二延伸段向內(nèi)彎折且沿著所述封裝體的所述底面延伸的第二焊接段。
9.一種改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 一電容單元，其包括多個依序堆棧且彼此電性連接的堆棧型電容器，且每一個所述堆棧型電容器具有至少一正極部及至少一負(fù)極部，其中每一個所述堆棧型電容器包括一被氧化層所包覆的金屬箔片，且所述金屬箔片具有一對應(yīng)于至少一所述正極部的焊接部及一連接于所述焊接部且經(jīng)過折迭所形成的折迭部； 一封裝單元，其包括一包覆所述電容單元的封裝體；以及 一導(dǎo)電單元，其包括至少一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述正極部且被部分包覆在所述封裝體內(nèi)的第一導(dǎo)電端子及至少一電性連接于所述堆棧型電容器的至少一所述負(fù)極部且被部分包覆在所述封裝體內(nèi)的第二導(dǎo)電端子。
10.如權(quán)利要求9所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中每一個所述堆棧型電容器包括一包覆所述折迭部的導(dǎo)電高分子層、一完全包覆所述導(dǎo)電高分子層的碳膠層、及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層，其中每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述負(fù)極部透過導(dǎo)電膠以相互迭堆在一起，且每兩個相鄰的所述堆棧型電容器的兩個所述正極部透過焊接層以相互迭堆在一起。
11.如權(quán)利要求9所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述折迭部對應(yīng)于至少一所述負(fù)極部，且所述折迭部具有多個經(jīng)過折迭以依序堆棧在一起的折迭段。
12.如權(quán)利要求11所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述折迭部具有多個U形彎折段，每一個U形彎折段連接于每兩個相對應(yīng)的所述折迭段之間，且多個所述折迭段之中的最下面一個連接于所述焊接部。
13.如權(quán)利要求11所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述導(dǎo)電高分子層位于每兩個所述折迭段之間?！?br> 14.如權(quán)利要求9所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中每一個所述堆棧型電容器包括一設(shè)置在所述氧化層的外表面上且圍繞所述氧化層的圍繞狀絕緣層，且所述堆棧型電容器的所述導(dǎo)電高分子層的長度被所述圍繞狀絕緣層所限制。
15.如權(quán)利要求14所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述氧化層的所述外表面上具有一圍繞區(qū)域，且所述堆棧型電容器的所述圍繞狀絕緣層圍繞地設(shè)置在所述氧化層的所述圍繞區(qū)域上且同時接觸所述導(dǎo)電高分子層的末端。
16.如權(quán)利要求9所述的改良式堆棧型固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:其中所述封裝體具有一第一側(cè)面、一與所述第一側(cè)面彼此背對背的第二側(cè)面、及一連接于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間的底面。
【文檔編號】H01G9/012GK203562317SQ201320453471
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月17日
【發(fā)明者】林俊宏, 邱繼皓, 張坤煌 申請人:鈺邦電子（無錫）有限公司