的標(biāo)準(zhǔn)化連接。因此，INT 311 —起實施用于所說明裸晶的可編程互連結(jié)構(gòu)。每一個INT 311還包含到同一單元片內(nèi)的可編程邏輯元件及來自所述元件的連接，如圖3的頂部處所包含的實例所示。
[0052]例如，CLB 302可包含可以被編程以實施用戶邏輯的可配置邏輯元件(CLE) 312外加單個INT 311。BRAM 303可包含除一或多個INT 311之外的BRAM邏輯元件(BRL) 313。通常，單元片中所包含的INT 311的數(shù)目取決于單元片的高度。在所描畫的架構(gòu)中，BRAM單元片與五個CLB具有相同的高度，但也可以使用其它數(shù)目(例如，四個)。除適當(dāng)數(shù)目的INT 311之外，DSP單元片306可包含DSP邏輯元件(DSPL)314。除INT 311的一個實例之夕卜，1B 304可包含(例如)I/O邏輯元件(1L) 315的兩個實例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚，連接到例如1L 315的實際I/O襯墊通常不局限于1L 315的區(qū)域。
[0053]在圖3所描畫的實例中，接近裸晶的中心(例如，由區(qū)域305、307和308所形成)的柱狀區(qū)域可用于配置、時鐘和其它控制邏輯。由此柱延伸的水平區(qū)域309用以橫跨可編程IC的寬度來分布時鐘與配置信號。
[0054]架構(gòu)300進(jìn)一步包含一或多個接口 350。每一接口 350為參考本說明書的圖5及6更詳細(xì)描述的裸晶到裸晶接口。一般來說，接口 350實施為可編程數(shù)據(jù)路徑及促進(jìn)裸晶到裸晶通信的配置緩沖器。更明確地說，接口 350支持從實施架構(gòu)300的裸晶到基底單元的通信。應(yīng)了解，架構(gòu)300可包含超過一個接口 350。在一個方面中，架構(gòu)300針對每一基底單元包含一個接口 350，實施架構(gòu)300的裸晶將與所述每一基底單元通信。
[0055]一些利用圖3中所說明的架構(gòu)的IC包含額外的邏輯區(qū)塊，所述邏輯區(qū)塊分裂組成IC的較大部分的規(guī)則柱狀結(jié)構(gòu)。額外的邏輯區(qū)塊可以為可編程區(qū)塊和/或?qū)Ｓ秒娐废到y(tǒng)。例如，被描繪成PROC 310的處理器區(qū)塊跨越了若干列的CLB與BRAM。
[0056]在一個方面中，PROC 310被實施為專用電路系統(tǒng)，例如，制造為裸晶的一部分的硬連線處理器，所述裸晶實施IC的可編程電路系統(tǒng)。PROC 310可表示各種不同的處理器類型和/或系統(tǒng)中的任一者，從復(fù)雜性上來說，范圍從個別處理器(例如，能夠執(zhí)行程序代碼的單個核心)到具有一或多個核心、模塊、協(xié)處理器、接口或類似者的完整處理器系統(tǒng)。
[0057]在另一方面中，將PROC 310從架構(gòu)300中省去并用所描述的其它各種可編程區(qū)塊的一或多者替換。另外，可利用這些區(qū)塊形成“軟處理器”，因為可編程電路系統(tǒng)的各種區(qū)塊可用于形成可執(zhí)行程序代碼的處理器，與PROC 310的情況一樣。
[0058]短語“可編程電路系統(tǒng)”可以指代IC或裸晶內(nèi)的可編程電路元件(例如，本文所述的各種可編程或可配置的電路區(qū)塊或單元片)，以及根據(jù)加載到裸晶中的配置數(shù)據(jù)選擇性地與各種電路區(qū)塊、單元片和/或元件耦合的互連電路系統(tǒng)。舉例來說，圖3中所示的在PROC 310外部的部分(例如，CLB 303和BRAM 303)可被視為裸晶的可編程電路系統(tǒng)。
[0059]一般來說，直到配置數(shù)據(jù)被加載到裸晶中，可編程電路系統(tǒng)的功能才建立。一組配置比特可用于對裸晶的可編程電路系統(tǒng)(例如FPGA)進(jìn)行編程。配置比特通常被稱作“配置比特流”。一般來說，可編程電路系統(tǒng)在未先將配置比特流加載到裸晶中的情況下不具有操作性或功能性。配置比特流有效地實施或?qū)嵗删幊屉娐废到y(tǒng)內(nèi)的特定電路設(shè)計。電路設(shè)計指定了(例如)可編程電路區(qū)塊的功能方面以及各種可編程電路區(qū)塊之間的實體連接性。
[0060]為“硬連線”或“硬化”(即不可編程)的電路系統(tǒng)被制造為IC的部分。不同于可編程電路系統(tǒng)，硬連線電路系統(tǒng)或電路區(qū)塊不在通過加載配置比特流的IC的制造之后實施。通常認(rèn)為硬連線電路系統(tǒng)具有(例如)在未先將配置比特流加載到裸晶的情況下具有功能性的專用電路區(qū)塊及互連，例如，PROC 310和/或接口 350。
[0061]在一些情況下，硬連線電路系統(tǒng)可具有一或多個可操作模式，所述可操作模式可根據(jù)存儲在裸晶內(nèi)的一或多個存儲器元件中的寄存器設(shè)定或值來設(shè)置或選擇?？刹僮髂Ｊ娇梢?例如)通過將配置比特流加載到裸晶中來設(shè)置。盡管具有此能力，但硬連線電路系統(tǒng)并不被認(rèn)為是可編程電路系統(tǒng)，因為硬連線電路系統(tǒng)是可操作的并且當(dāng)制造為裸晶的部分時具有特定的功能。
[0062]圖3旨在說明可用于實施裸晶的示范性架構(gòu)，所述裸晶包含可編程電路系統(tǒng)，例如，可編程網(wǎng)狀架構(gòu)。例如，一列中邏輯區(qū)塊的數(shù)目、列的相對寬度、列的數(shù)目以及排序、包含在列中的邏輯區(qū)塊的類型、邏輯區(qū)塊的相對大小，以及包含在圖3頂部處的互連/邏輯實施純粹為示范性的。在實際的裸晶中，(例如)CLB出現(xiàn)的任何地方通常包含超過一個相鄰列的CLB，以便于用戶電路設(shè)計的有效實施。然而，相鄰CLB列的數(shù)目可以隨著裸晶的整體大小而變化。另外，裸晶內(nèi)的區(qū)塊(例如PROC 310)的大小和/或定位僅出于說明的目的，且并不意圖作為本說明書內(nèi)所揭示的一或多個實施例的限制。
[0063]參照圖1，例如，圖3的架構(gòu)300可實施于裸晶110內(nèi)。然而，應(yīng)了解，裸晶110內(nèi)實施的架構(gòu)不需要包含參考圖3所描述的所有元件。裸晶110 (例如)可包含圖3中所描述的元件的任何子集。然而，在一個方面中，裸晶110包含接口 350。類似地，裸晶115可包含參考圖3所描述的元件的任何子集。在一特別方面中，包含在裸晶110和裸晶115中的一或多個或所有元件可為互相排斥的，因為IC結(jié)構(gòu)100的一個裸晶中所包含的任何元件類型或區(qū)塊不包含在IC結(jié)構(gòu)100的任何其它裸晶中，以避免功能重疊。然而，在另一方面中，裸晶110和裸晶115可包含功能重疊的一或多個相同類型的元件。
[0064]圖4為說明不范性晶片400的第四框圖。晶片400上的每一正方形陰影區(qū)域表不基底單元。如圖所示，每一基底單元通過劃線或劃線區(qū)域與每一其它基底單元間隔開。每一基底單元與每一其它基底單元相同。通過如圖所示將劃線放置在每一基底單元之間，可由晶片400形成具有不同數(shù)目的基底單元的裸晶。
[0065]舉例來說，如果具有單個基底單元的裸晶根據(jù)以粗重輪廓示出的劃線環(huán)405與晶片400實體分離，那么所述裸晶可從晶片400產(chǎn)生。裸晶的周邊由劃線環(huán)405定義。如果具有兩個基底單元的裸晶根據(jù)以粗重輪廓示出的劃線環(huán)410與晶片400實體分離，那么所述裸晶可從晶片400產(chǎn)生。裸晶的周邊由劃線環(huán)410定義。作為另一實例，如果具有三個基底單元的裸晶和具有四個基底單元的裸晶分別使用劃線環(huán)415和420與晶片400實體分離，那么所述裸晶可從晶片400產(chǎn)生。具有三個基底單元的裸晶的周邊由劃線環(huán)415定義。具有四個基底單元的裸晶的周邊由劃線環(huán)420定義。
[0066]圖4中說明的實例僅用于說明的目的。應(yīng)了解，可根據(jù)用于分割晶片400的劃線的特定型樣獲得具有數(shù)目變化的基底單元的裸晶。參考圖1，裸晶115是可從晶片400產(chǎn)生的具有三個基底單元的裸晶的實例。
[0067]圖5為說明集成電路結(jié)構(gòu)(IC結(jié)構(gòu))500的地形視圖的第五框圖。IC結(jié)構(gòu)500是可類似于圖1的IC結(jié)構(gòu)100實施的多裸晶1C。IC結(jié)構(gòu)500是使用SSI技術(shù)實施的。如圖所示，IC結(jié)構(gòu)包含插入層505，裸晶510與裸晶515安裝在所述插入層上。在此實例中，裸晶510用于例如代替裸晶110。IC結(jié)構(gòu)500可為IC結(jié)構(gòu)100的較小版本，例如，提供相較于IC結(jié)構(gòu)100類似但較少的功能的不同族的多裸晶1C。鑒于圖1的IC結(jié)構(gòu)100包含具有三個基底單元的裸晶115，圖5的IC結(jié)構(gòu)500包含僅具有兩個基底單元520和525的裸晶515?；讍卧?20和525可彼此相同并與基底單元120相同。裸晶515可從參考圖1及4所描述的晶片獲得，即，獲得裸晶115的同一晶片。
[0068]如所論述，每一基底單元是裸晶上的單獨及獨立的電路區(qū)塊。在一個方面中，然而每一基底單元實施可編程IC架構(gòu)，如參考圖3所說明。在另一方面中，每一基底單元實施固定或?qū)嵸|(zhì)上固定的電路系統(tǒng)，在所述電路系統(tǒng)中，響應(yīng)于配置數(shù)據(jù)的加載而實施一或多個不同的操作模式。舉例來說，考慮每一基底單元實施HSS1的情況。每一 HSS1可經(jīng)配置以實施一或多個不同的操作模式，所述操作模式為了實施而需要來自多裸晶IC結(jié)構(gòu)內(nèi)的另一裸晶(例如，主裸晶)的配置。
[0069]在實施HSS1時，每一基底單元(例如)可實施一或多個操作模式。每一操作模式可指定包含在HSS1接口內(nèi)的收發(fā)器的各種屬性。例如，收發(fā)器可配置為以每秒1、2、3、4、5或更多千兆比特(gbps)進(jìn)行通信。收發(fā)器可經(jīng)配置以使用多個不同的通信協(xié)議(例如，周邊組件互連(PCI)高速、千兆附接單元接口(XAUI)或類似者)中的一者進(jìn)行通信。操作模式進(jìn)一步指定裝置(例如，復(fù)用器、解復(fù)用器、觸發(fā)器、解碼圖案、循環(huán)冗余校驗(CRC)及類似者)的設(shè)定。因此，基底單元的每一操作模式可指定通信速度、通信協(xié)議及所述的各種其它參數(shù)。應(yīng)了解，在每一基底單元內(nèi)實施的特定操作模式取決于加載到基底單元中的配置數(shù)據(jù)，并且不管其它基底單元是否定位在同一裸晶上，每一基底單元可獨立于每一其它基底單元配置。
[0070]因此，在一個方面中，每一基底單元具有來自主裸晶(例如，裸晶110或裸晶510)的用于配置基底單元的專用配置路徑。在另一方面中，可將配置數(shù)據(jù)提供到第一基底單元并隨后從一個基底單元串行級聯(lián)到下一個基底單元。在任一情況下，不管配置信息是從基底單元級聯(lián)到基底單元還是通過主裸晶獨立地提供到每一基底單元，通過插入層505 (或圖1的情況中的插入層105)形成或?qū)嵤?shù)據(jù)路徑的連接。
[0071]圖6為說明圖1及2的IC結(jié)構(gòu)100的另一方面的第六框圖。為了說明，裸晶110實施為可編程IC(例如，F(xiàn)PGA)，盡管本說明書內(nèi)所揭示的實施例在這一點上并不受限。如圖所示，裸晶110包含接口 605、610及615。裸晶110針對裸晶115內(nèi)的每一基底單元包含一個接口。例如，接口 605、610及615中的每一者可實施為如參考圖3所描述的接口 350。因此，基底單元120、125及130中的每一者包含接口 620、625及630中的各自一者。
[0072]如圖所示，接口 605通過焊料凸塊205和如所論述位于插入層105之內(nèi)的裸晶間導(dǎo)線215A耦合到接口 620。接口 610通過焊料凸塊205和位于插入