件4的接觸。根據(jù)實施例，可使用聯(lián)合或公共處理方法來形成另外的溝槽部分、第一溝槽、第一和第二二極管器件溝槽。
[0051]圖6總結了根據(jù)實施例的制造集成電路的方法。如示出的，制造集成電路的方法包括形成包括在單元陣列中的多個第一溝槽的功率部件(S10)，在第一溝槽中的第一導電材料電耦合到功率部件的柵極端子，包括在半導體襯底的第一主表面中形成第一溝槽(S15)，形成包括被布置為相鄰于彼此的第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽的二極管部件(S20)，包括在半導體襯底的第一主表面中形成第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽(S25)，第一和第二二極管器件溝槽中的第二導電材料電耦合到二極管部件的源極端子，以及形成與第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽中的導電材料接觸的二極管柵極接觸部(S30)，包括在布置在第一和第二二極管器件溝槽之間的溝槽部分中形成溝槽連接結構。
[0052]盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的實施例，顯然可實現(xiàn)另外的實施例。例如，另外的實施例可包括權利要求中記載的特征的任何子組合或上面給出的示例中描述的元件的任何子組合。相應地，所附權利要求的該精神和范圍不應限于本文包含的實施例的描述。
【主權項】
1.一種集成電路，包括: 功率部件，其包括在單元陣列中的多個第一溝槽以及在第一溝槽中的電耦合到所述功率部件的柵極端子的第一導電材料； 二極管部件，其包括被布置為相鄰于彼此的第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽，并且所述第一和第二二極管器件溝槽中的第二導電材料電耦合到所述二極管部件的源極端子，所述第一溝槽、所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽被布置在所述半導體襯底的第一主表面中；以及 二極管柵極接觸部，其包括在所述第一和第二二極管器件溝槽之間的連接結構，所述連接結構與所述第一和第二二極管器件溝槽中的所述第二導電材料接觸。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述連接結構是布置在所述第一和第二二極管器件溝槽之間的另外的溝槽部分中的溝槽連接結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述連接結構包括布置在所述第一主表面上的導電材料，所述連接結構被布置在所述第一和第二二極管器件溝槽之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述多個第一溝槽、所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽在第一方向上延伸，并且所述連接結構在與所述第一方向相交的第二方向上延伸。
5.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述功率部件包括功率晶體管單元，所述功率晶體管單元包括第一源極區(qū)、第一漏極區(qū)和第一主體區(qū)，所述第一溝槽中的第一導電材料實現(xiàn)與所述第一主體區(qū)相鄰的第一柵極電極。
6.根據(jù)權利要求5所述的集成電路，其中所述二極管部件包括柵極控制的二極管器件，所述柵極控制的二極管器件包括第二源極區(qū)、第二漏極區(qū)和第二主體區(qū)，所述第一和第二二極管器件溝槽中的所述第二導電材料實現(xiàn)第二柵極電極，所述第二源極區(qū)耦合到所述二極管部件的源極端子。
7.根據(jù)權利要求6所述的集成電路，其中所述二極管部件還包括布置在所述第二柵極電極和所述第二主體區(qū)之間的第二柵極電介質(zhì)，所述第二柵極電介質(zhì)的厚度小于在所述第一柵極電極和所述第一主體區(qū)之間的第一柵極電介質(zhì)的厚度。
8.根據(jù)權利要求4所述的集成電路，其中沿著所述第一方向測量的所述連接結構的寬度大于沿著所述第二方向測量的所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽的覽度。
9.一種集成電路，包括: 功率部件，其包括在單元陣列中的多個第一溝槽，并且所述第一溝槽中的第一導電材料耦合到所述功率部件的柵極端子； 二極管部件，其包括二極管器件溝槽以及在所述二極管器件溝槽中的與所述二極管部件的源極端子耦合的第二導電材料，所述第一溝槽和所述二極管器件溝槽被布置在半導體襯底的第一主表面中， 其中所述第一導電材料和所述第二導電材料被布置在所述半導體襯底的所述第一主表面處。
10.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，其中所述多個第一溝槽和所述二極管器件溝槽在第一方向上延伸。
11.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，其中所述功率部件包括功率晶體管單元，所述功率晶體管單元包括第一源極區(qū)、第一漏極區(qū)和第一主體區(qū)，所述第一溝槽中的所述第一導電材料實現(xiàn)與所述第一主體區(qū)相鄰的第一柵極電極。
12.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，其中所述二極管部件包括柵極控制的二極管器件，所述柵極控制的二極管器件包括第二源極區(qū)、第二漏極區(qū)和第二主體區(qū)，所述二極管器件溝槽中的所述第二導電材料實現(xiàn)第二柵極電極，所述第二源極區(qū)耦合到所述二極管部件的源極端子。
13.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，還包括: 第二二極管器件溝槽；以及 二極管柵極接觸部，其包括在所述第一和第二二極管器件溝槽之間的連接結構，所述連接結構與所述二極管器件溝槽中的和所述第二二極管器件溝槽中的所述第二導電材料接觸。
14.根據(jù)權利要求13所述的集成電路，其中所述連接結構在與所述第一方向相交的第二方向上延伸。
15.根據(jù)權利要求13所述的集成電路，其中所述連接結構是布置在所述第一和第二二極管器件溝槽之間的另外的溝槽部分中的溝槽連接結構。
16.根據(jù)權利要求13所述的集成電路，其中所述連接結構包括布置在所述第一主表面上的導電材料，所述連接結構被布置在所述第一和第二二極管器件溝槽之間。
17.根據(jù)權利要求13所述的集成電路，其中沿著所述第一方向測量的所述連接結構的寬度大于沿著所述第二方向測量的所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽的寬度。
18.—種制造集成電路的方法，所述方法包括: 形成包括在單元陣列中的多個第一溝槽的功率部件，包括在半導體襯底的第一主表面中形成所述第一溝槽以及在所述第一溝槽中形成第一導電材料； 形成包括被布置為相鄰于彼此的第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽的二極管部件，包括在所述半導體襯底的所述第一主表面中形成所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽以及在所述第一和第二二極管器件溝槽中形成第二導電材料； 形成二極管柵極接觸部，所述二極管柵極接觸部包括在所述第一和第二二極管器件溝槽之間的溝槽部分中的溝槽連接結構，從而與所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽中的所述第二導電材料接觸； 將所述第一溝槽中的所述第一導電材料與所述功率部件的柵極端子電耦合；以及 將所述第一和第二二極管器件溝槽中的所述第二導電材料與所述二極管部件的源極端子電耦合。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中形成所述二極管柵極接觸部包括形成與所述第一二極管器件溝槽和所述第二二極管器件溝槽接觸的連接部分。
20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中通過聯(lián)合處理來形成所述第一溝槽、所述第一和第二二極管器件溝槽以及所述第一和第二二極管器件溝槽之間的所述溝槽部分。
【專利摘要】集成電路和制造集成電路的方法。一種集成電路包括：功率部件，其包括在單元陣列中的多個第一溝槽以及在第一溝槽中的電耦合到功率部件的柵極端子的第一導電材料；以及二極管部件，其包括被布置為相鄰于彼此的第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽。第一和第二二極管器件溝槽中的第二導電材料電耦合到二極管部件的源極端子。第一溝槽、第一二極管器件溝槽和第二二極管器件溝槽被布置在半導體襯底的第一主表面中。集成電路還包括二極管柵極接觸部，二極管柵極接觸部包括在第一和第二二極管器件溝槽之間的連接結構。連接結構與第一和第二二極管器件溝槽中的第二導電材料接觸。
【IPC分類】H01L27-02, H01L21-77
【公開號】CN104600067
【申請?zhí)枴緾N201410595066
【發(fā)明人】B.武特
【申請人】英飛凌科技奧地利有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年10月30日
【公告號】DE102014115743A1, US20150115351