本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，尤其是對(duì)中測(cè)后期引入的芯片表面沾污的一種處理方法，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

中測(cè)后期引入的芯片表面沾污，一直是一個(gè)令封裝廠比較困擾的問(wèn)題。前期中測(cè)合格但是在后續(xù)工藝鏡檢過(guò)程中發(fā)現(xiàn)存在表面沾污的芯片會(huì)被視作不良品并將其剔除。由于芯片表面沾污的存在，導(dǎo)致原本合格的芯片無(wú)法流入下工序。芯片總體合格率的下降直接導(dǎo)致了生產(chǎn)成品率的下降，大大抬高了生產(chǎn)成本；同時(shí)，芯片的鏡檢效率也因此大打折扣。

由于引入沾污的因素和途徑非常多：運(yùn)輸、傳遞及工藝過(guò)程中都有可能引入沾污。對(duì)于芯片表面沾污的現(xiàn)象，常規(guī)的處理手段是使用高壓或者二流體方式進(jìn)行清洗，這些方式可以清洗掉部分的表面外來(lái)物沾污。但在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)于上述清洗處理無(wú)效的芯片表面沾污問(wèn)題，我們往往沒(méi)有比較行之有效的處理方法。

正如前面所言，引入沾污的因素和途徑非常多，沾污的類型也多種多樣：各類溶劑、膠、微觀顆粒物等；同時(shí)，以晶圓為單位，沾污芯片也比較分散。要處理諸如此類的沾污，首先要分析各類沾污的成分及特性，然后再針對(duì)性地利用特定的化學(xué)試劑或采用擦拭、或采用浸泡等的方式對(duì)其進(jìn)行處理。但實(shí)際上，上述的處理手段往往收效甚微。究其原因，上述方式通常是人工處理，人工處理的特點(diǎn)是靈活，但是過(guò)程也相對(duì)不可控，所以往往芯片表面原有的沾污沒(méi)有完全被去除，反而導(dǎo)致了其他正常的芯片表面也容易出現(xiàn)異常，包括因操作不當(dāng)或材料本身而造成的芯片二次沾污、表面蹭傷、腐蝕等問(wèn)題的發(fā)生。

綜上所述，尋找一種簡(jiǎn)單并且行之有效的處理方法對(duì)芯片表面沾污的問(wèn)題進(jìn)行整體處理是非常迫切的，徹底改善或者解決芯片表面的沾污問(wèn)題，對(duì)提高生產(chǎn)成品率，降低生產(chǎn)成本是非常有好處的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種適用于半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，該方法采用分選的方法，將表面沾污芯片挑出并集中放置，再利用一種強(qiáng)黏附性材料，粘貼于需要處理的沾污芯片的表面，然后使用自動(dòng)刷洗設(shè)備對(duì)其進(jìn)行整體刷洗，通過(guò)此方法，可以對(duì)芯片表面沾污進(jìn)行處理，大大地改善了原先處理效果不理想的狀態(tài)，極大地提高芯片表面鏡檢成品率。

為實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一. 將需要進(jìn)行處理的沾污圓片集中挑出，并進(jìn)行劃片，形成若干個(gè)按陣列排列芯片；

步驟二. 取一片外形完整的陪片，對(duì)其進(jìn)行井字形分割處理；

步驟三. 將分割后陪片的中心區(qū)域剔除，把步驟一按陣列排列的沾污芯片依次填入陪片的中心區(qū)域，形成一完整圓片；

步驟四. 在步驟三形成的完整圓片的未沾污面上黏貼一種具有強(qiáng)黏附性的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜的厚度為150μm ~200μm；

步驟五. 將步驟四中黏貼保護(hù)膜的圓片放入烘箱中烘烤；

步驟六. 將步驟五中烘烤完畢的圓片取出，放置于自動(dòng)刷洗設(shè)備上，對(duì)圓片的沾污面進(jìn)行刷洗；

步驟七. 將刷洗完畢的芯片進(jìn)行鏡檢，挑出沒(méi)有沾污的合格芯片。

進(jìn)一步地，所述陪片為硅晶圓。

進(jìn)一步地，所述陪片分割后的中心區(qū)域的X方向長(zhǎng)度為A，Y方向長(zhǎng)度為B，按陣列排列的沾污芯片的X方向長(zhǎng)度為a，Y方向長(zhǎng)度為b；其中A≥a；B≥b。

進(jìn)一步地，所述陪片“井”字中心區(qū)域的大小根據(jù)需要處理的沾污芯片的數(shù)量及大小設(shè)定。

進(jìn)一步地，步驟五中烘箱的烘烤溫度為60℃~90℃，烘烤的時(shí)間為15~30min。

進(jìn)一步地，所述的自動(dòng)刷洗設(shè)備為具有自動(dòng)刷洗功能的全自動(dòng)減薄設(shè)備。

進(jìn)一步地，所述自動(dòng)刷洗設(shè)備的刷洗液為去離子水、酒精、丙酮或Diamaflow。

與傳統(tǒng)表面沾污處理方法相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

（1）本發(fā)明運(yùn)用“歸一化”的思路，將存在沾污現(xiàn)象的芯片統(tǒng)一集中進(jìn)行處理，針對(duì)性強(qiáng)；

（2）使用全自動(dòng)機(jī)械化的處理方法，可以使整個(gè)處理過(guò)程更為有效、可控，整體性強(qiáng)，且節(jié)省人工成本；

（3）該處理方法一致性好，可操作性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

圖1為陪片進(jìn)行“井”字形分割處理并剔除中心區(qū)域的示意圖。

圖2為沾污芯片按陣列排列填入陪片中心區(qū)域的示意圖。

附圖說(shuō)明：1-芯片、2-陪片。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例為一種半導(dǎo)體芯片正面沾污處理方法，芯片尺寸為W* L，劃片后的數(shù)量為100個(gè)，需要進(jìn)行芯片正面沾污處理。

步驟一. 將需要進(jìn)行處理的沾污圓片集中挑出，并進(jìn)行劃片，形成100個(gè)按陣列排列芯片1，X方向10個(gè)、Y方向10個(gè)依次排列，X方向尺寸為10*W，記為長(zhǎng)度a，Y方向尺寸為10*L，記為長(zhǎng)度b；

步驟二. 取一片外形完整的陪片2，對(duì)其進(jìn)行“井”字形分割處理，分割后陪片2的中心區(qū)域的X方向?yàn)锳，Y方向?yàn)锽，所述陪片2為硅晶圓；

步驟三. 將分割后陪片2的中心區(qū)域剔除，把步驟一按陣列排列的沾污芯片1依次填入陪片2的中心區(qū)域，形成一完整圓片，其中A≥a；B≥b；

步驟四. 在步驟三形成的完整圓片的背面上黏貼一種具有強(qiáng)黏附性的保護(hù)膜，保護(hù)膜將完整圓片黏附在一起，所述保護(hù)膜為半導(dǎo)體封裝、減薄、劃片工藝中常規(guī)使用的圓片保護(hù)膜，所述保護(hù)膜的厚度為150μm ~200μm；

步驟五. 將步驟四中黏貼保護(hù)膜的圓片放入烘箱中烘烤，烘箱的烘烤溫度為60℃~90℃，烘烤的時(shí)間為15~30min，目的是去除附在芯片1表面的水汽，同時(shí)使保護(hù)膜更好的與圓片黏合；

步驟六. 將步驟五中烘烤完畢的圓片取出，放置于自動(dòng)刷洗設(shè)備上，對(duì)圓片的正面進(jìn)行刷洗，所述自動(dòng)刷洗設(shè)備為具有自動(dòng)刷洗功能的全自動(dòng)減薄設(shè)備，本發(fā)明中凡具備自動(dòng)刷洗功能的刷洗設(shè)備均可；

根據(jù)不同的沾污類型，自動(dòng)刷洗設(shè)備的刷洗液為去離子水、酒精、丙酮或Diamaflow，具體地，若沾污物為顆粒物，一般使用去離子水或Diamaflow去清洗；若沾污物為膠狀物，則使用酒精或丙酮去清洗。

步驟七. 將刷洗完畢的芯片1去掉保護(hù)膜并進(jìn)行鏡檢，挑出沒(méi)有沾污的合格芯片。

本發(fā)明中陪片2分割的“井”字中心區(qū)域的大小根據(jù)需要處理的沾污芯片1的數(shù)量及大小設(shè)定，且若芯片1正面沾污，則保護(hù)膜貼在芯片1的背面，若芯片1背面沾污，則保護(hù)膜貼在芯片1的正面。

本發(fā)明的特點(diǎn)在于，采用分選的方法，將表面沾污的芯片1挑出并集中放置，再利用一種強(qiáng)黏附性的保護(hù)膜，將需要處理的沾污芯片黏附在一起，然后使用自動(dòng)刷洗設(shè)備對(duì)其進(jìn)行整體刷洗，通過(guò)此方法，可以對(duì)芯片1表面沾污進(jìn)行處理，大大地改善了原先處理效果不理想的狀態(tài)，極大地提高芯片1表面鏡檢成品率，節(jié)約了成本。

以上對(duì)本發(fā)明及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述，該描述沒(méi)有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實(shí)施方式之一，實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此?？偠灾绻绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計(jì)出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。