質(zhì)的厚度，可調(diào)整晶體管的閾值電壓。例如，通過減小第二柵極電介質(zhì)的厚度，可減小晶體管的閾值電壓。
[0033]由于主體接觸區(qū)35的存在，第二源極端子54進(jìn)一步經(jīng)由二極管56連接到第二漏極端子55。當(dāng)將大于正向電壓的電壓施加到處于適當(dāng)極性的二極管56時，電流從源極端子56流到第二漏極端子55。在小于正向電壓的電壓下，沒有電流流動。當(dāng)將反向電壓施加到二極管56時，電流流動被阻塞，并且沒有電流從第二漏極流到第二源極端子。
[0034]根據(jù)圖3中所示的配置，因?yàn)榈诙礃O端子54也與第二柵極電極42連接，甚至當(dāng)小于正向電壓的電壓被施加在源極端子54和第二漏極端子55之間時，電流從第二源極端子54流到第二漏極端子55。
[0035]根據(jù)上文描述的配置，集成電路I可包括功率部件3和二極管部件4，其中二極管部件4的溝槽與功率部件3的溝槽集成。由于二極管柵極接觸部22的特定實(shí)施方式，第一溝槽11……1n和二極管器件溝槽20、21可具有相同的寬度和相同的節(jié)距。特別是，因?yàn)槎O管柵極接觸部22包括延伸在兩個相鄰溝槽之間的連接結(jié)構(gòu)27、271，所以即使二極管器件溝槽20、21的寬度被減小，在二極管柵極接觸部22和導(dǎo)電材料之間的良好接觸可被實(shí)現(xiàn)。二極管器件溝槽20、21的寬度可被減小以便與第一溝槽11……1n的寬度相等。作為結(jié)果，第一溝槽和二極管器件溝槽的節(jié)距可被進(jìn)一步減小，導(dǎo)致增大的晶體管密度。因?yàn)槎O管柵極接觸部22包括在兩個相鄰二極管器件溝槽20、21之間延伸的連接結(jié)構(gòu)27、271，所以進(jìn)一步簡化接觸焊盤28的放置。因?yàn)槎O管器件溝槽20、21的寬度可以等于第一溝槽11……1n的寬度，所以用于形成二極管器件溝槽的分開的掩模不是必須的，這進(jìn)一步簡化了制造工藝。
[0036]根據(jù)圖1、2A和2C中所示的實(shí)施例，第二柵極電介質(zhì)層40可被連續(xù)布置成相鄰于二極管器件溝槽20、21的側(cè)壁。根據(jù)圖2B和4中示出的實(shí)施例，第二柵極電介質(zhì)層40在二極管柵極接觸部分處中斷，使得二極管器件溝槽的該部分不充當(dāng)二極管器件。在二極管柵極接觸部分處，第二柵極電介質(zhì)層40中斷，并且存在較厚的第一柵極電介質(zhì)層30。根據(jù)另外的實(shí)施例，可修改臺面的部分以使得它們不充當(dāng)?shù)诙礃O區(qū)。例如，可在二極管柵極接觸部分處不形成第二源極區(qū)。
[0037]根據(jù)圖1-4所示的實(shí)施例，二極管柵極接觸部22和接觸焊盤28的長度I可被選擇為大于二極管器件溝槽20、21的寬度，在相對于第一方向垂直的方向上測量長度I和寬度。另外，沿著第一方向測量的連接結(jié)構(gòu)27、271的寬度w可以大于二極管器件溝槽20、21的寬度。因此，可減小二極管柵極接觸部的接觸電阻。另外，可使在連接結(jié)構(gòu)27、271上的接觸焊盤28的著陸(landing)更容易，因此提高制造工藝的可靠性和性能。根據(jù)實(shí)施例，根據(jù)接觸焊盤28的寬度來選擇連接結(jié)構(gòu)27、271的寬度W，使得接觸焊盤28在連接結(jié)構(gòu)27、271上的著陸變得更容易。
[0038]根據(jù)實(shí)施例，二極管柵極接觸部22或接觸焊盤并不延伸超過第一二極管器件溝槽20或第二二極管器件溝槽21的外部側(cè)壁。例如，形成二極管柵極接觸部22的接觸焊盤的長度可小于在第一二極管器件溝槽20和第二二極管器件溝槽21的外部側(cè)壁之間的距離。因此，二極管柵極接觸部并不橫過形成功率部件3的部分的臺面。圖5A-5F圖示根據(jù)實(shí)施例制造集成電路的方法。開始點(diǎn)可以是具有第一主表面510和第二主表面520的半導(dǎo)體襯底500,第二主表面520與第一主表面510相反。例如，半導(dǎo)體襯底500可摻雜有第一導(dǎo)電類型，并且可以在半導(dǎo)體襯底中形成另外的摻雜部分533、534、535。例如,層530可以是η+摻雜的，層533可以是n_摻雜的，層534可以是P摻雜的，且層535可以是n+摻雜的。如將被清楚理解的，這些導(dǎo)電類型中的任何一種可以反轉(zhuǎn)。在半導(dǎo)體襯底500的第一主表面510上形成硬掩模層540，接著是光致抗蝕劑層541。圖5A示出在II和11'之間的襯底的示例的橫截面視圖。
[0039]之后,可在半導(dǎo)體襯底500的第一主表面510上限定溝槽。例如，可使用光刻工藝生成光致抗蝕劑掩模和可選的硬掩模。光致抗蝕劑掩?？砂▽?yīng)于第一溝槽、第一和第二二極管器件溝槽的開口。另外，光致抗蝕劑掩?？砂▽?yīng)于溝槽連接結(jié)構(gòu)27的開口。
[0040]圖5B示出其中溝槽連接結(jié)構(gòu)27和功率部件3的第一溝槽11被形成在第一主表面510中的示例。二極管器件溝槽20、21和第一溝槽11在附圖的描繪平面之前和之后的橫截面視圖中可以相同于彼此。例如，它們可以相互具有相對于彼此的相同的寬度和相同的深度。如將被清楚理解的，可在半導(dǎo)體襯底中形成另外的二極管器件溝槽和另外的功率溝槽。
[0041]根據(jù)不同的實(shí)施例，可在不形成專用的溝槽連接結(jié)構(gòu)27的情況下形成二極管器件溝槽20、21。根據(jù)該實(shí)施例，可例如如圖2C中圖示的實(shí)現(xiàn)連接結(jié)構(gòu)。在該情況下，可以在相對于彼此的等同方式下形成第一溝槽11……1n以及第一和第二二極管器件溝槽20、
21。例如，可以以參考圖5A-5F描述的方式來形成第一溝槽、第一和第二二極管器件溝槽。
[0042]形成場電介質(zhì)層550的第一電介質(zhì)層在溝槽側(cè)壁上形成，接著是導(dǎo)電層551(諸如用于形成場板的多晶硅層)。圖5B示出得到的結(jié)構(gòu)的示例。
[0043]之后，蝕刻掉第一導(dǎo)電層551,接著是蝕刻第一電介質(zhì)層550。因?yàn)樵诟綀D的描繪平面之前和之后的平面中存在兩個二極管器件溝槽20、21，所以可在不使用用于二極管部件4的專用掩模的情況下執(zhí)行蝕刻第一導(dǎo)電層。然后，在整個半導(dǎo)體襯底上形成第二電介質(zhì)層552 (其可形成第一溝槽11的柵極電介質(zhì)層)。圖5C示出得到的結(jié)構(gòu)的示例。
[0044]根據(jù)實(shí)施例，可從二極管器件溝槽20移除第二電介質(zhì)層552。例如，這可使用適當(dāng)?shù)墓庋谀?55來完成。之后，可執(zhí)行另外的氧化步驟以便在二極管器件溝槽20中形成第二柵極電介質(zhì)層562。根據(jù)該實(shí)施例，第二柵極電介質(zhì)層562的厚度可以小于將形成第一柵極電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)層552的厚度。圖示出得到的結(jié)構(gòu)的示例。
[0045]根據(jù)另外的實(shí)施例，第二電介質(zhì)層552還可形成存在于二極管器件溝槽中的第二柵極電介質(zhì)層562。
[0046]之后,在表面上形成第二導(dǎo)電層553。第二導(dǎo)電層553可包括摻雜的多晶娃。圖5E示出得到的結(jié)構(gòu)的示例。
[0047]然后，可以以這樣的方式從半導(dǎo)體襯底的部分移除第二導(dǎo)電層553，使得第二導(dǎo)電層553保留在第一二極管器件溝槽20和第二二極管器件溝槽(該附圖中未示出)之間。例如，這可使用CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)方法或蝕刻方法來完成。
[0048]根據(jù)實(shí)施例，可蝕刻第二導(dǎo)電層553使得得到的導(dǎo)電填充物的表面在半導(dǎo)體襯底100的第一主表面110之下。在圖5F中示出得到的結(jié)構(gòu)的示例的橫截面視圖。由此，創(chuàng)建了拓?fù)洹Q言之，得到的表面包括可用于以自對準(zhǔn)方式形成接觸部的凹槽。為了進(jìn)一步處理二極管接觸部22，可在得到的表面上形成另外的絕緣層556 (如圖2B、2C中所示)。限定了接觸開口，接著是形成導(dǎo)電層。作為結(jié)果，形成接觸焊盤28。作為結(jié)果，包括接觸焊盤28的二極管接觸部22與第二導(dǎo)電層553接觸。
[0049]如前文中已經(jīng)示出的，可使用用于制造功率器件的標(biāo)準(zhǔn)工藝來以簡單方式制造包括功率部件3和二極管部件4的集成電路I。特別是，可制造集成電路，使得用于功率部件和二極管部件的溝槽可具有相同的寬度和相同的節(jié)距。因此，可在不使用分別用于二極管器件溝槽和功率晶體管溝槽的專用蝕刻掩模的情況下蝕刻掉從二極管器件溝槽和功率晶體管溝槽11……1n的頂部大部分移除的第一導(dǎo)電層551。因此，進(jìn)一步簡化制造工藝。此夕卜，如上面已經(jīng)討論的，可以以自對準(zhǔn)方式形成用于形成主體接觸區(qū)的接觸開口。在本說明書的上下文中，術(shù)語“以自對準(zhǔn)方式”意在意指使用已經(jīng)由之前形成的圖案限定的蝕刻掩模來蝕刻接觸部。
[0050]如已描述的，可使用在二極管器件溝槽之間的另外的溝槽部分中的溝槽連接結(jié)構(gòu)來完成到二極管部