整氧氣通入 量調(diào)變氧化鋁鋅（AZ0)薄膜的薄膜電阻值以及穿透率，使其具有大于80%的穿透率而具有 較低的電子傳導(dǎo)能力。較佳的，透明絕緣層28的厚度不小于800埃(人)時(shí)，透明絕緣層28 的薄膜電阻大于lOQ/口（〇hm/Sq)，又更佳的，大于103Q/□。于本實(shí)施例中，透明絕緣層 28的薄膜電阻大于106Q/□。透明絕緣層28的厚度例如但不限于不小于800埃(A)>于 本實(shí)施例中，透明絕緣層28的厚度為0. 5微米m)。
[0037]發(fā)光疊層25的材料可為半導(dǎo)體材料，包含一種以上的元素，此元素可選自鎵 (Ga)、鋁（A1)、銦（In)、砷（As)、磷（P)、氮（N)以及硅（Si)所構(gòu)成的群組。常用的材料如 磷化鋁鎵銦（AlGalnP)系列、氮化鋁鎵銦（AlGalnN)系列等III族氮化物、氧化鋅（ZnO)系 列等。上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層252與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層254是電性、極性或摻雜物相 異，分別用以提供電子與空穴的半導(dǎo)體材料單層或多層結(jié)構(gòu)（「多層」是指二層或二層以 上，以下同）。其電性選擇可以為P型、n型、及i型中的任意二者的組合?；钚詫?53是位 于上述二個(gè)部分的電性、極性或摻雜物相異、或者是分別用以提供電子與空穴的半導(dǎo)體材 料之間，為電能與光能可能發(fā)生轉(zhuǎn)換或被誘發(fā)轉(zhuǎn)換的區(qū)域。活性層253的結(jié)構(gòu)是如：?jiǎn)萎?質(zhì)結(jié)構(gòu)（singleheterostructure;SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)（doubleheterostructure;DH)、雙側(cè) 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)（double-sidedoubleheterostructure;DDH)、或多層量子講（multi-quantum well;MQW)。再者，調(diào)整量子阱的對(duì)數(shù)也可改變發(fā)光波長(zhǎng)。
[0038] 窗戶層251對(duì)于活性層253所發(fā)的光為透明，其材料可為透明導(dǎo)電材料，包含但不 限于氧化銦錫（IT0)、氧化銦（InO)、氧化錫（SnO)、氧化鎘錫（CT0)、氧化銻錫（AT0)、氧化鋁 鋅（AZ0)、氧化鋅錫（ZT0)、氧化鎵鋅（GZ0)、氧化銦鎢（IW0)、氧化鋅（ZnO)、氧化鎂（MgO)、 砷化鋁鎵（AlGaAs)、氮化鎵（GaN)、磷化鎵（GaP)或氧化銦鋅（IZ0)。
[0039] 透明導(dǎo)電層23的材料對(duì)于發(fā)光疊層25所發(fā)的光為透明，可增加窗戶層251 與反射層22之間的歐姆接觸以及電流傳導(dǎo)與擴(kuò)散，并與反射層22形成全方向反射鏡 (Omni-DirectionalReflector, 0DR)。其材料可為透明導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦 錫（IT0)、氧化銦（InO)、氧化錫（SnO)、氧化鎘錫（CT0)、氧化銻錫（AT0)、氧化鋁鋅（AZ0)、 氧化鋅錫（ZT0)、氧化鎵鋅（GZ0)、氧化銦鎢（IW0)、氧化鋅（ZnO)、磷化鎵（GaP)、氧化銦鈰 (IC0)、氧化銦鎢（IW0)、氧化銦鈦（ITiO)、氧化銦鋅（IZ0)、氧化銦鎵（IG0)、氧化鎵鋁鋅 (GAZ0)或上述材料的組合。
[0040] 絕緣層24對(duì)于發(fā)光疊層25所發(fā)之光的穿透率大于90%，折射率小于1. 4,較佳為 介于1. 3與1. 4之間。絕緣層24的材料可包括但不限于非氧化物絕緣材料，例如為苯并環(huán) 丁烯（BCB)、環(huán)烯經(jīng)聚合物（C0C)、氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer)、氮化娃（SiNx)、氟 化鈣（CaF2)或氟化鎂（MgF2);絕緣層24的材料可包含鹵化物或IIA族及VII族的化合物， 例如氟化鈣（CaF2)或氟化鎂（MgF2)。在此實(shí)施例中，絕緣層24的材料為氟化鎂（MgF2)。絕 緣層24的折射率小于窗戶層251與透明導(dǎo)電層23的折射率，因此窗戶層251與絕緣層24 間界面的臨界角小于窗戶層251與透明導(dǎo)電層23間界面的臨界角，所以發(fā)光疊層25所發(fā) 的光射向絕緣層24后，在窗戶層251與絕緣層24之間的界面形成全反射的機(jī)率增加。
[0041] 反射層22可反射來自發(fā)光疊層25之光，其材料可為金屬材料，包含但不限于銅 (Cu)、鋁（A1)、錫（Sn)、金（Au)、銀（Ag)、鉛（Pb)、鈦（Ti)、鎳（Ni)、鉬（Pt)、鎢（W)或上述材 料的合金等。粘結(jié)層21可連接基板20與反射層22,可具有多個(gè)從屬層（未顯示）。粘結(jié) 層21的材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料，透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫（IT0)、 氧化銦（InO)、氧化錫（SnO)、氧化鎘錫（CT0)、氧化鋪錫（AT0)、氧化錯(cuò)鋅（AZ0)、氧化鋅錫 (ZT0)、氧化鎵鋅（GZ0)、氧化鋅（ZnO)、磷化鎵（GaP)、氧化銦鈰（IC0)、氧化銦鎢（IW0)、氧化 銦鈦（ITiO)、氧化銦鋅（IZ0)、氧化銦鎵（IG0)、氧化鎵鋁鋅（GAZ0)或上述材料的組合。金 屬材料包含但不限于銅（Cu)、鋁（Al)、錫（Sn)、金（Au)、銀（Ag)、鉛（Pb)、鈦（Ti)、鎳（Ni)、 鉬（Pt)、鎢（W)或上述材料的合金等。
[0042]基板20可用以支持位于其上的發(fā)光疊層25與其它層或結(jié)構(gòu)，其材料可為透明材 料或?qū)щ姴牧?。透明材料包含但不限于藍(lán)寶石（Sapphire)、鉆石（Diamond)、玻璃（Glass)、 環(huán)氧樹脂（Epoxy)、石英（Quartz)、壓克力（Acryl)、氧化錯(cuò)（A1203)、氧化鋅（ZnO)或氮化錯(cuò) (A1N)等。導(dǎo)電材料包含但不限于銅（Cu)、鋁（A1)、鑰（Mo)、錫（Sn)、鋅（Zn)、鎘（Cd)、鎳 (Ni)、鈷（Co)、類鉆碳薄膜（DiamondLikeCarbon;DLC)、石墨（Graphite)、碳纖維（Carbon fiber)、金屬基復(fù)合材料（MetalMatrixComposite;MMC)、陶瓷基復(fù)合材料（Ceramic MatrixComposite;CMC)、娃（Si)、磷化碘（IP)、硒化鋅（ZnSe)、砷化鎵（GaAs)、碳化娃 (SiC)、磷化鎵（GaP)、磷砷化鎵（GaAsP)、硒化鋅（ZnSe)、磷化銦（InP)、鎵酸鋰（LiGa02)或 鋁酸鋰（LiA102)。
[0043] 與一未包含有透明絕緣層28,其他結(jié)構(gòu)均相同的發(fā)光元件相較，本實(shí)施例的發(fā)光 元件1的電流高出約6至7%，故出光效率提高。于另一實(shí)施例中，透明絕緣層28的厚度為 1Um，相較于透明絕緣層28的厚度為0. 5ym的發(fā)光元件，其電流又更高。于又一實(shí)施例中， 透明絕緣層28的厚度為2ym，相較于透明絕緣層28的厚度為1ym的發(fā)光元件，其電流又 高出約5%，因此出光效率又更高。
[0044] 圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例公開一燈泡分解示意圖。燈泡2包含一燈罩41，一透鏡 42, 一發(fā)光模塊44, 一燈座45, 一散熱鰭片46, 一結(jié)合部47及一電連接器48。其中發(fā)光模 塊44包含一載板43,并在載板43上包含至少一個(gè)上述實(shí)施例中的發(fā)光元件1。
[0045] 以上各附圖與說明雖僅分別對(duì)應(yīng)特定實(shí)施例，然而，各個(gè)實(shí)施例中所說明或公開 的元件、實(shí)施方式、設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實(shí)施之外， 吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。
[0046] 雖然本發(fā)明已說明如上，然其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實(shí)施順序、或使用的材 料與制作方法方法。對(duì)于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一發(fā)光元件，包含： 發(fā)光疊層，包含至少一活性層； 透明絕緣層位于該發(fā)光疊層之上，該透明絕緣層具有一邊緣；及 電極區(qū)，包含第一電極，位于該透明絕緣層之上，且該第一電極具有一邊緣； 其中該第一電極遠(yuǎn)離該透明絕緣層的表面的表面積小于該透明絕緣層遠(yuǎn)離該發(fā)光疊 層的表面的表面積，且該透明絕緣層的折射率介于1至3. 4之間，穿透率（T%)大于80%。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該透明絕緣層的部分該邊緣凸出于該第一電極 的該邊緣。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該透明絕緣層的面積大致為該活性層的面積的 5%至97%之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該透明絕緣層的厚度不小于800埃(：人)。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該透明絕緣層包含一氧化物材料。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該氧化物材料包含氧化鋁鋅。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含一電接觸層，位于該發(fā)光疊層之上且接觸該 透明絕緣層。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中該電極區(qū)還包含延伸電極，包覆該電接觸層。
9. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中部分該透明絕緣層覆蓋于部分該電接觸層之 上。
10. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包括絕緣層，位于該發(fā)光疊層之下。
【專利摘要】本發(fā)明公開一發(fā)光元件，包含：一發(fā)光疊層，至少包含一活性層；一透明絕緣層位于發(fā)光疊層之上，透明絕緣層具有一邊緣；及一電極區(qū)，包含一第一電極位于透明絕緣層之上，且第一電極具有一邊緣；其中第一電極遠(yuǎn)離透明絕緣層的表面的表面積小于透明絕緣層遠(yuǎn)離發(fā)光疊層的表面的表面積，且透明絕緣層的折射率介于1至3.4之間，穿透率(T%)大于80%。
【IPC分類】H01L33-38, H01L33-44
【公開號(hào)】CN104576870
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310500242
【發(fā)明人】廖文祿, 鄭鴻達(dá), 張耀儒, 陳世益, 許嘉良
【申請(qǐng)人】晶元光電股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月22日