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模塊集成電路封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法_2

文檔序號(hào):8262386閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S110及模 塊集成電路封裝結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0022] 圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例所披露的模塊集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0023]【符號(hào)說明】
[0024] 封裝結(jié)構(gòu) Z 屏蔽單元初始基板1' 基板單元 1 電路基板 10 外環(huán)繞周圍 100
[0025] 接地層 11 貫穿孔 12' 第一半穿孔 121 第二半穿孔 122 內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 13 內(nèi)導(dǎo)電層 130 第一末端 1301 第二末端 1302 電子單元 2 電子元件 20 初始封裝單元 3' 封裝單元 3 封裝膠體 30 外環(huán)繞周圍 300 屏蔽單元 4 金屬屏蔽M 40 割面線 A-A
[0026] 割面線 B-B 切割線 XX
【具體實(shí)施方式】
[0027]〔第一實(shí)施例〕
[0028] 請(qǐng)參閱圖1至圖10所示,本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種具有電性屏蔽功能的模塊集 成電路封裝結(jié)構(gòu)Z的制作方法,其包括下列步驟:
[0029] 首先,步驟S100為:配合圖1、圖2及圖3所示,提供一初始基板1',初始基板1' 包括多個(gè)彼此相連且呈矩陣排列的基板單元1,其中每一個(gè)基板單元1包括一電路基板10、 一設(shè)置在電路基板10內(nèi)部且被電路基板10完全包覆的接地層11(例如片狀的接地層11)、 及一設(shè)置在電路基板10內(nèi)部且電性連接于接地層11的內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)13,其中內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)13 包括多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130 (例如條狀的內(nèi)導(dǎo)電層130),并且每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130具有一直接 接觸接地層10的第一末端1301及一相反于第一末端1301的第二末端1302。舉例來(lái)說,基 板單元1可為一多層電路板結(jié)構(gòu),而接地層11就是多層電路板結(jié)構(gòu)中的其中一層,當(dāng)然接 地層11也可以是多層電路板結(jié)構(gòu)的最上層,而這最上層的接地層11會(huì)被直接設(shè)置在電路 基板10的頂面上,然而本發(fā)明不以此例子為限。
[0030] 接著,步驟S102為:配合圖1、圖3及圖4所示,將多個(gè)電子單元2分別設(shè)置在多 個(gè)基板單元1的多個(gè)電路基板10上,其中每一個(gè)電子單元2包括多個(gè)設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的電路 基板10上且電性連接于相對(duì)應(yīng)的電路基板10的電子元件20,并且每一個(gè)電子單元2的多 個(gè)電子元件20通過相對(duì)應(yīng)的電路基板10以電性連接于相對(duì)應(yīng)的接地層11。舉例來(lái)說,作 為多層電路板結(jié)構(gòu)的電路基板10內(nèi)部具有至少一電性連接于電子元件20及接地層11之 間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),以使得每一個(gè)電子單元2的多個(gè)電子元件20可通過相對(duì)應(yīng)的電路基板 10以電性連接于相對(duì)應(yīng)的接地層11。
[0031] 然后,步驟S104為:配合圖1、圖4及圖5所示,形成一初始封裝單元3 '于初始基 板1'上,以覆蓋多個(gè)電子單元2,其中初始封裝單元3'包括多個(gè)彼此相連的封裝膠體30, 并且每一個(gè)封裝膠體30設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的電路基板10上且覆蓋多個(gè)相對(duì)應(yīng)的電子元件20。 舉例來(lái)說,封裝膠體30可為娃樹脂(silicone)或環(huán)氧樹脂(epoxy)所制成的非透明膠體。
[0032] 接下來(lái),步驟S106為:配合圖1、圖5、圖6及圖7所示,形成多個(gè)同時(shí)貫穿初始基 板1'及初始封裝單元3'的貫穿孔12',以裸露每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130的第二末端1302。舉 例來(lái)說,多個(gè)貫穿孔12'可以是經(jīng)由鉆孔所形成,例如激光鉆孔。
[0033] 緊接著,步驟S108為:配合圖1、圖7及圖8所示,沿著多個(gè)貫穿孔12'(也即沿著 圖7的X-X切割線)來(lái)切割初始基板1'及初始封裝單元3',以分離多個(gè)基板單元1及分離 多個(gè)封裝膠體30。更進(jìn)一步來(lái)說,如圖8所示,基板單元1包括多個(gè)設(shè)置在電路基板10的 一外環(huán)繞周圍100上且貫穿電路基板10的第一半穿孔121,封裝膠體30包括多個(gè)貫穿封裝 膠體30且分別連通于多個(gè)第一半穿孔121的第二半穿孔122,并且每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130的 第二末端1302被相對(duì)應(yīng)的第一半穿孔121所裸露。另外,封裝膠體30具有一外環(huán)繞周圍 300,封裝膠體30的外環(huán)繞周圍300與電路基板10的外環(huán)繞周圍100皆為切割面,且封裝 膠體30的外環(huán)繞周圍300與電路基板10的外環(huán)繞周圍100可以彼此互相齊平。
[0034] 最后,步驟S110為:配合圖1、圖8、圖9及圖10所示,形成多個(gè)金屬屏蔽層40,其 中每一個(gè)金屬屏蔽層40披覆在相對(duì)應(yīng)的封裝膠體30的外表面上及相對(duì)應(yīng)的電路基板10 的外環(huán)繞周圍100上,并且每一個(gè)金屬屏蔽層40直接接觸相對(duì)應(yīng)的基板單元1的內(nèi)導(dǎo)電層 130的第二末端1302,以使得每一個(gè)基板單元1的接地層11可直接通過多個(gè)相對(duì)應(yīng)的內(nèi)導(dǎo) 電層130以電性連接于相對(duì)應(yīng)的金屬屏蔽層40。更進(jìn)一步來(lái)說,多個(gè)第一半穿孔121的內(nèi) 表面及多個(gè)第二半穿孔122的內(nèi)表面皆被金屬屏蔽層40所覆蓋。
[0035] 綜上所述,配合圖9及圖10所示,依據(jù)上述所提供的制作方法,本發(fā)明第一實(shí)施例 可以提供一種具有電性屏蔽功能的模塊集成電路封裝結(jié)構(gòu)Z,其包括:一基板單元1、一電 子單元2、一封裝單元3及一屏蔽單元4。
[0036] 首先,基板單元1包括一具有一外環(huán)繞周圍100的電路基板10、一設(shè)置在電路基板 10內(nèi)部且被電路基板10完全包覆的接地層11、及一設(shè)置在電路基板10內(nèi)部且電性連接于 接地層11的內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)13,其中內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)13包括多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130,并且每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電 層130具有一直接接觸接地層11的第一末端1301及一相反于第一末端1301且從電路基 板10的外環(huán)繞周圍100裸露的第二末端1302。
[0037] 再者,電子單元2包括多個(gè)設(shè)置在電路基板10上且電性連接于電路基板10的電 子元件20,其中多個(gè)電子元件20可通過電路基板10以電性連接于接地層11。舉例來(lái)說, 多個(gè)電子元件20可為電阻、電容、電感、或具有一預(yù)定功能的半導(dǎo)體芯片等等,然而本發(fā)明 不以此為限。
[0038] 另外,封裝單元3包括一設(shè)置在電路基板10上且覆蓋多個(gè)電子元件20的封裝膠 體30,并且屏蔽單元4包括一披覆在封裝膠體30的外表面上及電路基板10的外環(huán)繞周 圍100上的金屬屏蔽層40。藉此,金屬屏蔽層40可直接接觸每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130的第二 末端1302,以使得接地層11可直接通過內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)13的多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130以電性連接 于金屬屏蔽層40。舉例來(lái)說,依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求,金屬屏蔽層40可為一通過噴涂方式 (spraying)所形成的導(dǎo)電噴涂層、一通過溉鍍方式(sputtering)所形成的導(dǎo)電溉鍍層、一 通過印刷方式(printing)所形成的導(dǎo)電印刷層、或一通過電鍍方式(electroplating)所 形成的導(dǎo)電電鍍層等等,然而本發(fā)明不以此為限。
[0039] 更進(jìn)一步來(lái)說,基板單元1包括多個(gè)設(shè)置在電路基板10的外環(huán)繞周圍100上且貫 穿電路基板10的第一半穿孔121,并且封裝單元3包括多個(gè)貫穿封裝膠體30且分別連通 于多個(gè)第一半穿孔121的第二半穿孔122。每一個(gè)內(nèi)導(dǎo)電層130的第二末端1302被相對(duì) 應(yīng)的第一半穿孔121所裸露,并且多個(gè)第一半穿孔121的內(nèi)表面及多個(gè)第二半穿孔122的 內(nèi)表面皆被金屬屏蔽層40所覆蓋。另外,封裝膠體30具有一外環(huán)繞周圍300,封裝膠體30 的外環(huán)繞周圍300與電路基板10的外環(huán)繞周圍100皆為切割面,并且封裝膠體30的外環(huán) 繞周圍300與電路基板10的外環(huán)繞周圍100可以彼此互相齊平。
[0040]〔第二實(shí)施例〕
[0041] 請(qǐng)參閱圖11所示,本發(fā)明第二實(shí)施例可以提供一種具有電性屏蔽功能的模塊集 成電路封裝結(jié)構(gòu)Z,其包括:一基板單元1、一電子單元2、一封裝單元3及一屏蔽單元4。由 圖11及圖9的比較可知,本發(fā)明第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于:在第二實(shí)施例 中,基板單兀1包括一具有一外環(huán)繞周圍10
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