專(zhuān)利名稱(chēng)：電子束直接繪圖的方法和系統(tǒng)及其記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子束直接繪圖方法，它通過(guò)單步和重復(fù)繪圖的方法，使得半導(dǎo)體器件的圖形被直接繪制在樣板(晶片)上。本發(fā)明具體涉及一種電子束直接繪圖方法，當(dāng)半導(dǎo)體芯片上有多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)時(shí)，繪圖通過(guò)劃分域來(lái)執(zhí)行，在這些域上電子束可被電偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明還涉及這種方法所使用的系統(tǒng)和記錄介質(zhì)。
對(duì)于半導(dǎo)體集成電路，尤其是定制的LSI，顧客可能會(huì)要求各種各樣的邏輯電路，還需要盡可能縮短從接收定單到發(fā)送產(chǎn)品的周期(縮短TAT(周轉(zhuǎn)時(shí)間))。然而，在常規(guī)的單步曝光方法中，由于需要準(zhǔn)備掩模，制造過(guò)程要花很長(zhǎng)時(shí)間才完成，因此，難以縮短TAT。而且，由于準(zhǔn)備所需要的掩模，也產(chǎn)生了增加成本這一問(wèn)題。于是，不需要掩模的電子束直接繪圖技術(shù)便引起了注意?？墒牵陔娮邮苯永L圖中，盡管不需要掩模，卻需要用CAD等方法預(yù)先準(zhǔn)備繪圖數(shù)據(jù)。而且，還需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成電子束直接繪圖系統(tǒng)所能識(shí)別的格式(數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換)。為完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，一般使用通用目的的工作站。盡管轉(zhuǎn)換時(shí)間依賴(lài)于機(jī)器性能和要轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)量，卻仍產(chǎn)生了這一操作所帶來(lái)的時(shí)間浪費(fèi)。若在接收定單之后才開(kāi)始準(zhǔn)備繪圖數(shù)據(jù)和進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，將難以縮短TAT。因此，需要預(yù)先準(zhǔn)備繪圖數(shù)據(jù)和完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。可是，既然繪圖數(shù)據(jù)會(huì)隨著顧客的不同而不同，所以不可能預(yù)先準(zhǔn)備繪圖數(shù)據(jù)和完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。故此，發(fā)明了一種方法，對(duì)于諸如Tr單元、外圍電路等這樣一些原本就是一套的繪圖數(shù)據(jù)預(yù)先準(zhǔn)備好其每一部分的多個(gè)數(shù)據(jù)，將這些數(shù)據(jù)進(jìn)行適當(dāng)組合，然后可用于繪制所需要的LSI電路。如此，繪圖數(shù)據(jù)的準(zhǔn)備和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換可預(yù)先完成，于是縮短了TAT。


圖1顯示了本方法的一個(gè)例子。首先，如圖1A所示，為T(mén)r單元提供了繪圖數(shù)據(jù)1。相應(yīng)地，如圖1B、1C和1D所示，為外圍電路預(yù)先準(zhǔn)備了繪圖數(shù)據(jù)2、3和4，并且所有這些數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換都已完成。通過(guò)為外圍電路選用合適的繪圖數(shù)據(jù)2、3或4，在很短的TAT內(nèi)即可繪制出多個(gè)產(chǎn)品。因此，當(dāng)使用電子束直接繪圖方法繪制一個(gè)常用的LSI時(shí)，在芯片上便存在有多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)。
下面解釋繪制這樣一個(gè)LSI的操作過(guò)程。首先，在圖2中描述了利用傳統(tǒng)的單步和重復(fù)方法(以下簡(jiǎn)稱(chēng)‘S&R’)在芯片上繪制多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)的過(guò)程。由于在電子束直接繪圖中電子束能被穩(wěn)定地進(jìn)行電偏轉(zhuǎn)的距離是有限的，芯片(繪圖數(shù)據(jù))便被分成72個(gè)域(其大小正好是電子束能被穩(wěn)定地偏轉(zhuǎn)的尺寸)，并且這72個(gè)域被組合在一起以便繪圖。在繪圖過(guò)程中，域中心位置73通過(guò)使用臺(tái)架按方向74和75移動(dòng)，以便正好定位在電子束下(在此位置，電子束偏轉(zhuǎn)量為0)，則臺(tái)架停止在該位置。然后，在此位置，電子束76進(jìn)行電偏轉(zhuǎn)，在該域內(nèi)繪制出一圖形。在該域內(nèi)重復(fù)進(jìn)行此操作以完成圖形。
下面再介紹劃分域以得到繪圖數(shù)據(jù)的方法。圖3是一常規(guī)的電子束直接繪圖系統(tǒng)的方塊圖。電子束直接繪圖系統(tǒng)80由一存儲(chǔ)器83、一主體84和一繪圖控制部分85構(gòu)成。首先，用CAD等方法準(zhǔn)備好的繪圖數(shù)據(jù)81被轉(zhuǎn)換成電子束直接繪圖系統(tǒng)80所能識(shí)別的格式。然后，轉(zhuǎn)換后的繪圖數(shù)據(jù)82被發(fā)送并存貯于電子束直接繪圖系統(tǒng)80的存儲(chǔ)器83中。接著，繪圖控制部分85讀出存貯于存儲(chǔ)器83中的繪圖數(shù)據(jù)82，并將繪圖數(shù)據(jù)82劃分成域。在劃分的過(guò)程中，只有繪圖數(shù)據(jù)的大小被識(shí)別。因此，當(dāng)劃分繪圖數(shù)據(jù)成任意域并進(jìn)行S&R操作時(shí)，繪圖也便完成了。
即使在芯片中有多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)時(shí)，同樣的繪圖操作也能完成。例如，如圖4A到4E顯示了在兩個(gè)繪圖數(shù)據(jù)情況下的域劃分操作。繪圖數(shù)據(jù)81具有如圖4B所示的繪圖數(shù)據(jù)1(Tr單元)和如圖4C所示的繪圖數(shù)據(jù)2(外圍電路)，其中，兩繪圖數(shù)據(jù)的大小是不同的。如圖4D和圖4E所示，兩繪圖數(shù)據(jù)被迭放在樣板上以形成一芯片。首先，繪圖數(shù)據(jù)1、2被存貯于如圖4A所示的存儲(chǔ)器83的存儲(chǔ)器1和存儲(chǔ)器2中。然后，繪圖數(shù)據(jù)1首先被從存儲(chǔ)器1中讀出，并如圖4B所示，被繪圖控制部分85劃分成域A、B、C和D。接下來(lái)，繪圖數(shù)據(jù)2被從存儲(chǔ)器2中讀出，并如圖4C所示，被劃分成域e和f直到m。然后，按如上所述的S&R操作來(lái)用繪圖數(shù)據(jù)1和2繪圖。于是，根據(jù)每個(gè)繪圖數(shù)據(jù)進(jìn)行了域劃分操作。故此，如圖4E所示，繪圖數(shù)據(jù)1所得到的域A、B、C、D和繪圖數(shù)據(jù)2所得到的域e和f直到m被定位在樣板上，于是這些域便部分重迭了。
接著，介紹確定域大小的過(guò)程。域大小是由最大偏轉(zhuǎn)寬度確定的，而偏轉(zhuǎn)寬度的范圍是當(dāng)電子束進(jìn)行電偏轉(zhuǎn)時(shí)所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)失真不影響其圖形。圖5A到5D顯示了域內(nèi)的偏轉(zhuǎn)失真。圖5A用點(diǎn)線(xiàn)顯示了一理想域形。相反，圖5B顯示了電子束調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真之前的一實(shí)際域形。與圖5A中所示的理想域形相比，電子束調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真之前的實(shí)際域形有最大為0.065μm(點(diǎn)A)的偏轉(zhuǎn)失真。由于當(dāng)最大偏轉(zhuǎn)值為0.065μm時(shí)會(huì)導(dǎo)致圖形連接的失敗，因此，在繪圖前偏轉(zhuǎn)失真就被調(diào)整了。調(diào)整過(guò)程是如此進(jìn)行的如圖5D所示，幾個(gè)域首先被相鄰擺放，然后在各自的域邊界處測(cè)量連接偏差(偏轉(zhuǎn)失真量)。對(duì)于此失真量，用一個(gè)校正公式來(lái)近似它。由這一近似值產(chǎn)生一近似的校正因子，再在其基礎(chǔ)上進(jìn)行失真校正，以調(diào)整邊界連接。然而，由于第三級(jí)或更高級(jí)的失真，或是由于測(cè)量失真時(shí)產(chǎn)生的測(cè)量錯(cuò)誤，有可能產(chǎn)生校正不完全現(xiàn)象。因此，即使在調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真后，仍存在最大為0.031μm(點(diǎn)B)的偏轉(zhuǎn)失真，如圖5C所示。可是，域邊界處的連接偏差能被校正到大大小于校正前的偏差。圖6A到6D顯示了0.2μm的圖形實(shí)際彼此相連的情形。當(dāng)如圖6A所示的0.065μm的偏差存在時(shí)，就會(huì)在圖6C所示的光刻圖形緩制中導(dǎo)致幾近于斷路的繪圖失敗。然而，對(duì)于0.031μm的偏差不會(huì)發(fā)生這種繪圖失敗現(xiàn)象，如圖6D所示。上述的域連接校正在域的最外邊緣部分(電子束編離最大的位置)被進(jìn)行調(diào)整，可是在域內(nèi)仍留下同樣的失真。圖7顯示了這樣一個(gè)例子，其中，域的內(nèi)部被劃分成25個(gè)塊，在域內(nèi)每個(gè)位置的失真量被測(cè)量。在此例中，域的最外邊緣部分存在0.031μm(點(diǎn)B)的連接偏差，并且在域內(nèi)的最大偏移處存在0.28μm(點(diǎn)C)的連接偏差。在域內(nèi)剩余的這樣一個(gè)偏轉(zhuǎn)失真是由在校正偏轉(zhuǎn)失真過(guò)程中的校正剩余以及控制電子束偏轉(zhuǎn)量的放大器的性能所引起的。圖8表示了一放大器性能的例子，其中，根據(jù)電子束的偏轉(zhuǎn)量和偏轉(zhuǎn)方向，有大約0.01μm的誤差存在。
在電子束繪制一定制LSI過(guò)程中，芯片存儲(chǔ)器在多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)，如以上常規(guī)技術(shù)所述。用S&R方法繪制芯片時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題將在以下給以說(shuō)明。
如圖4A到4E所示，當(dāng)芯片存儲(chǔ)器在繪圖數(shù)據(jù)1、2時(shí)，每一繪圖數(shù)據(jù)都被劃分成多個(gè)域。因此，如圖9所示，一定存在一些域，它們?cè)谛酒瑑?nèi)會(huì)部分重迭。確實(shí)有一些域部分重迭了，繪圖數(shù)據(jù)1的域A和繪圖數(shù)據(jù)2的域e被包含其中。域A和e由電子束繪圖時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題在以下給以說(shuō)明。
如先前參照?qǐng)D7所描述的那樣，即使在調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真后在域內(nèi)仍存在0.028μm的失真。在此情況下，在域內(nèi)繪制圖形的最大偏移量是0.028μm。如先前參照?qǐng)D6A到6D所解釋的那樣，當(dāng)0.20μm的圖形彼此相連時(shí)，即使是0.031μm的連接偏差，在受阻圖形中也不會(huì)出現(xiàn)斷路的繪圖失敗現(xiàn)象。也就是說(shuō)，在一個(gè)域內(nèi)的圖形間不會(huì)出現(xiàn)繪圖失敗。可是，對(duì)于本例中要繪制的芯片，存在域的部分重迭。圖10A到10C是一些放大的視圖，顯示了域A和e的彼此重迭。如圖10A所示，域A內(nèi)的點(diǎn)D處存在一0.028μm的偏轉(zhuǎn)失真。另一方面，如圖10B所示，域e內(nèi)的點(diǎn)E處存在一0.024μm的偏轉(zhuǎn)失真。當(dāng)存在如此失真的域A和e部分重迭時(shí)，域A和域e內(nèi)的圖形將在樣板上連接，如圖9所示。在域A和域e如圖10C所示的那樣部分重迭時(shí)，在樣板上相反的方向上將產(chǎn)生失真。因此，產(chǎn)生一偏差，其值為點(diǎn)D處的偏差(0.028μm)和點(diǎn)E處的偏差(0.024μm)之和。此時(shí)，最大連接偏差可達(dá)0.052μm(點(diǎn)F)。于是，在域A內(nèi)的圖形和域e內(nèi)的圖形連接部分產(chǎn)生繪圖失敗。
實(shí)際繪制的圖形如圖11所示，圖中提供了域A、B、e和h的放大視圖。由于域A和B、域e和h分別屬于同一繪圖數(shù)據(jù)，因此，它們能分別適當(dāng)?shù)乇舜讼噜?。然而，由于域A和e、域B和h分別部分重迭，可能會(huì)增大圖形連接部分的連接偏差，進(jìn)而導(dǎo)致繪圖失敗。
有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一電子束直接繪圖方法，以便在即使存在不同大小的多個(gè)繪圖數(shù)據(jù)時(shí)，也不會(huì)發(fā)生由圖形連接偏差所導(dǎo)致的繪圖失敗。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的就是提供一用于執(zhí)行此操作的電子束直接繪圖系統(tǒng)。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的是提供一種記錄介質(zhì)，以便記錄此方法執(zhí)行的程序。
根據(jù)本發(fā)明，一電子束直接繪圖方法由以下步驟組成將用于在芯片上采用電子束直接繪制半導(dǎo)體器件圖形的繪圖數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一種可識(shí)別的格式；將已轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域，也就是電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域；在芯片上采用單步和重復(fù)方法對(duì)應(yīng)于每一個(gè)劃分的域按繪圖數(shù)據(jù)來(lái)繪制圖形；其中，轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分步驟被執(zhí)行，使得繪圖數(shù)據(jù)在芯片的基面上被劃分成多個(gè)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一電子束直接繪圖系統(tǒng)由以下構(gòu)成一存儲(chǔ)器，它存貯已被轉(zhuǎn)換成可識(shí)別格式的繪圖數(shù)據(jù)，以便電子束在芯片上直接繪制半導(dǎo)體器件的圖形；一主體，它根據(jù)繪圖數(shù)據(jù)在芯片上將電子束曝光；一記錄介質(zhì)；和一繪圖控制部分，它根據(jù)在記錄介質(zhì)中所記錄的程序讀出存貯于存儲(chǔ)器中的繪圖數(shù)據(jù)、將繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域，即電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域，并對(duì)應(yīng)于芯片上每一個(gè)劃分的域。用單步和重復(fù)方法按繪圖數(shù)據(jù)來(lái)繪制圖形，同時(shí)主體將電子束曝光；其中，繪圖控制部分識(shí)別芯片大小，并在芯片的基面上將讀出的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域；根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種記錄介質(zhì)，用于記錄在芯片上采用電子束直接繪制半導(dǎo)體器件圖形的控制程序，該控制程序包括以下執(zhí)行過(guò)程將已轉(zhuǎn)換成可識(shí)別格式的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域，也就是在芯片基面上的電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域；和對(duì)應(yīng)于在芯片上的每一劃分的域采用單步和重復(fù)方法來(lái)用繪圖數(shù)據(jù)繪制圖形，同時(shí)用電子束曝光。
參照附圖，對(duì)本發(fā)明給以更說(shuō)明的說(shuō)明，其中圖1A是一示意圖，顯示了一用于電子束直接繪圖中繪制Tr部分的繪圖數(shù)據(jù)的例子；圖1B到圖1D都是示意圖，顯示了外圍電路部分的繪圖數(shù)據(jù)的例子；圖2是一示意圖，顯示了一采用S&R方法的電子束直接繪圖方法；圖3是一方塊圖，顯示了一常規(guī)的電子束直接繪圖系統(tǒng)的例子；圖4A是一方塊圖，顯示了在圖3中的常規(guī)電子束直接繪圖系統(tǒng)中用兩繪圖數(shù)據(jù)繪圖的情形；圖4B是一示意圖，顯示了繪圖數(shù)據(jù)1被劃分成多個(gè)域；圖4C是一示意圖，顯示了繪圖數(shù)據(jù)2被劃分成多個(gè)域；圖4D是一示意圖，顯示了在樣板上繪制數(shù)據(jù)1和2的狀態(tài)；圖4E是一示意圖，顯示了圖4B和4C的域重迭的情形；圖5A到5D都是示意圖，顯示了由于電子束偏轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的域失真。其中，圖5A顯示了一理想的域形；圖5B顯示了調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真前的一域形；圖5C顯示了調(diào)整偏轉(zhuǎn)失真后的一域形；圖5D顯示了四個(gè)域相鄰排放時(shí)的情形；圖6A和6B都是示意圖，顯示了繪制圖形間的連接偏差；圖6C和6D都是示意圖，顯示了對(duì)應(yīng)于圖6A和6B中繪制圖形所出現(xiàn)的繪圖受阻現(xiàn)象；圖7是一示意圖，顯示在所劃分的25個(gè)域內(nèi)的偏轉(zhuǎn)失真；圖8是一曲線(xiàn)圖，顯示了電子束偏轉(zhuǎn)控制放大器的性能在圖7的域內(nèi)造成偏轉(zhuǎn)失真的情形；圖9是一示意圖，顯示了用常規(guī)的電子束直接繪圖系統(tǒng)將在芯片內(nèi)的繪圖數(shù)據(jù)域重迭的情形；圖10A到10C都是示意圖，顯示了域的偏轉(zhuǎn)失真。其中，圖10A顯示了域A，圖10A顯示了域e，圖10C顯示了由于域A和域e的重迭所引起的失真增大；圖11是一示意圖，顯示了在不同繪制圖形間的圖形連接部分所發(fā)生的繪圖失??；圖12是一流程圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的電子束直接繪圖方法；圖13A是一示意圖，顯示了圖12中在步驟S2所劃分的芯片域；圖13B是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)1；圖13C是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)2；圖14是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)1和2；圖15是一流程圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的電子束直接繪圖方法；圖16A是一方塊圖，顯示了在第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中應(yīng)用圖15的電子束直接繪圖方法時(shí)的一電子束直接繪圖系統(tǒng)，而圖16B是一示意圖，顯示了圖16A中的繪圖控制部分15的操作過(guò)程。
以下參照附圖介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖12是一流程圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的電子束直接繪圖方法。圖13A是一示意圖，顯示了圖12中在流程圖的步驟S2所劃分的芯片域。圖13B是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)1。圖13C是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)2。圖14是一示意圖，顯示了圖13A中的芯片域和繪圖數(shù)據(jù)1和2。
在圖12的電子束直接繪圖方法中，使用CAD等方法預(yù)先準(zhǔn)備好的繪圖數(shù)據(jù)1和2首先被轉(zhuǎn)換成在電子束直接繪圖中可識(shí)別的格式(步驟S1)。
然后，如圖13A所示，芯片大小3被劃分成域F1、F2、…、F9等電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域，以便電子束直接繪圖(步驟S2)。
然后，如圖13B所示，繪圖數(shù)據(jù)1被劃分成對(duì)應(yīng)于圖13A中的域F1、F2、…、F9的繪圖數(shù)據(jù)A1、A2、…、A9(步驟S3)。
然后，劃分的繪圖數(shù)據(jù)A1、A2、…、A9被通過(guò)S&R方法在樣板上繪圖(步驟S4)。在這一步，繪圖數(shù)據(jù)1的各區(qū)域A1、A2、…、A9被分別在域F1、F2、…、F9上繪圖。
然后，如圖13C所示，繪圖數(shù)據(jù)2被劃分成對(duì)應(yīng)于圖13A中的域F1、F2、…、F9的繪圖數(shù)據(jù)B1、B2、…、B9(步驟S5)。
然后，劃分的繪圖數(shù)據(jù)B1、B2、…、B9被通過(guò)S&R方法在樣板上繪圖(步驟S6)。在這一步，繪圖數(shù)據(jù)2的各區(qū)域B1、B2、…、B9被分別在域F1、F2、…、F9上繪圖。
這樣，按照繪圖數(shù)據(jù)1和2在樣板上繪圖，如圖14所示。由于在各個(gè)區(qū)域a、b、…、i中，電子束偏轉(zhuǎn)的曝光僅從一點(diǎn)執(zhí)行，所以不會(huì)出現(xiàn)電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域重迭的部分。因此，防止了在繪圖數(shù)據(jù)1和2的圖形連接部分產(chǎn)生大的連接偏差，而得到好的繪圖效果。
圖15是一流程圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的電子束直接繪圖方法。
圖15中的電子束直接繪圖方法與圖12中的方法相同，只是用步驟S12、S13和S15代替了圖12中的S2、S3和S5。
也就是說(shuō)，在步驟S12，圖13A中的芯片大小3的坐標(biāo)被識(shí)別，并被劃分成域F1、F2、…、F9，它們的坐標(biāo)也被識(shí)別。
然后，如圖13B所示，當(dāng)芯片3被在步驟S12中劃分成域F1、F2、…、F9時(shí)，繪圖數(shù)據(jù)1使用識(shí)別的坐標(biāo)被劃分成區(qū)域A1、A2、…、A9(步驟S13)。繪圖數(shù)據(jù)A1、A2、…、A9被在步驟14用于進(jìn)行樣板繪圖。
然后，如圖13C所示，當(dāng)芯片3被在步驟S12中劃分成域F1、F2、…、F9時(shí)，繪圖數(shù)據(jù)2使用識(shí)別的坐標(biāo)被劃分成區(qū)域B1、B2、…、B9(步驟S15)。繪圖數(shù)據(jù)B1、B2、…、B9被在步驟16用于指導(dǎo)樣板繪圖。
在此電子束直接繪圖方法中，通過(guò)使用在芯片內(nèi)劃分域而得到的坐標(biāo)執(zhí)行了繪制圖形區(qū)域的劃分。因此，與第一個(gè)實(shí)施例一樣，防止了在繪圖數(shù)據(jù)1和2間圖形連接部分發(fā)生的大的連接偏差，從而得到好的繪圖效果。
圖16A是一方塊圖，顯示了在第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中應(yīng)用圖15的電子束直接繪圖方法時(shí)的一電子束直接繪圖系統(tǒng)。圖16B是一示意圖，顯示了圖16A中的繪圖控制部分15的操作過(guò)程。
圖16A中的電子束直接繪圖系統(tǒng)10由一存儲(chǔ)器13、一主體14和繪圖控制部分15所構(gòu)成。
存儲(chǔ)器13用于存貯在電子束直接繪圖中所用的繪圖數(shù)據(jù)。預(yù)先由CAD等準(zhǔn)備好的繪圖數(shù)據(jù)11被轉(zhuǎn)換(12)成由一設(shè)備(未顯示)的電子束直接繪圖系統(tǒng)10所識(shí)別的格式，轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)1和2被傳送并分別存貯于存儲(chǔ)器1和2中。
主體14接收用于繪圖的數(shù)據(jù)，并在使用該數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)在樣板上對(duì)電子束曝光來(lái)進(jìn)行直接繪圖。繪圖控制部分15(芯片3被輸入其中芯片內(nèi)的坐標(biāo)也是由它識(shí)別的)將芯片劃分成如圖13A所示的域F1、F2、…、F9，并將劃分的位置坐標(biāo)存貯于存儲(chǔ)器3，如圖16B所示。繪圖控制部分15含有一記錄介質(zhì)16。在使用記錄在記錄介質(zhì)16上的控制程序從存儲(chǔ)器13中讀取繪圖數(shù)據(jù)1和2、以及芯片3各自的域坐標(biāo)時(shí)，繪圖控制部分15執(zhí)行繪圖操作。
首先，繪圖數(shù)據(jù)1被從存儲(chǔ)器1中讀出，芯片內(nèi)劃分的位置坐標(biāo)被從存儲(chǔ)器3中讀出，而繪圖數(shù)據(jù)1被劃分成對(duì)應(yīng)于域F1、F2、…、F9的區(qū)域A1、A2、…、A9，如圖13B所示。使用這些繪圖數(shù)據(jù)A1、A2、…、A9，繪圖控制部分15控制主體14順序繪制樣板。然后，繪圖數(shù)據(jù)2被從存儲(chǔ)器2中讀出，并被劃分成區(qū)域B1、B2、…、B9，如圖13C所示。使用這些繪圖數(shù)據(jù)B1、B2、…、B9，繪圖控制部分15控制主體14順序繪制樣板。
該電子束直接繪圖系統(tǒng)能使用繪圖數(shù)據(jù)1和2在樣板上直接繪圖，其中繪圖數(shù)據(jù)1和2都按照?qǐng)D14所示的芯片3被劃分。因此，防止了在繪圖數(shù)據(jù)1和2間圖形連接部分發(fā)生的大的連接偏差(它有可能導(dǎo)致斷路)，從而得到好的繪圖效果。通過(guò)分別預(yù)先準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)于Tr部分和外圍電路部分的繪圖數(shù)據(jù)，能根據(jù)顧客的要求將該器件快速地生產(chǎn)出來(lái)。
盡管在上述的實(shí)施例中繪圖數(shù)據(jù)的數(shù)目是兩個(gè)，但它是可以多于2的。同樣，盡管在上述的實(shí)施例中芯片被劃分的數(shù)目是9，但它也自然可以為大于9的數(shù)n。
如上所述，通過(guò)根據(jù)將芯片劃分成多個(gè)部分的域而劃分繪圖數(shù)據(jù)，使得即使是在多個(gè)數(shù)據(jù)被用于一樣板的電子束直接繪圖時(shí)，也能阻止不同繪圖數(shù)據(jù)間域邊界所發(fā)生的大的圖形連接偏差(它有可能導(dǎo)致連接脫離)，并得到好的繪圖效果。對(duì)定制的LSI等，通過(guò)分別預(yù)先準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)于Tr部分和外圍電路部分的繪圖數(shù)據(jù)并將它們進(jìn)行組合，所要求的設(shè)備能很快地制造出來(lái)。因此，TAT能被縮短。
盡管為完全和清楚地公開(kāi)之目的，本發(fā)明僅對(duì)一特定的實(shí)施例進(jìn)行了描述，應(yīng)該知道，附屬的權(quán)利要求并不受限于該實(shí)施例。相反，本發(fā)明包括了精通此技術(shù)者所作的、任何不脫離本發(fā)明基本原理的修改和完善。
權(quán)利要求
1．電子束直接繪圖方法，由以下步驟構(gòu)成將用于在芯片上采用電子束直接繪制半導(dǎo)體器件圖形的繪圖數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一種可識(shí)別的格式；將已轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域，也就是電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域；在芯片上采用單步和重復(fù)方法對(duì)應(yīng)于每一個(gè)劃分的域按上述的繪圖數(shù)據(jù)來(lái)繪制圖形；其中，上述的轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分步驟被執(zhí)行，使得上述的繪圖數(shù)據(jù)在上述芯片的基面上被劃分成多個(gè)域。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的電子束直接繪圖方法，其中，上述的轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分步驟由以下步驟組成識(shí)別芯片的大小，將上述的芯片劃分為上述的多個(gè)域，識(shí)別每一劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息；及根據(jù)識(shí)別的每一劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息，將上述的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)區(qū)域。
3．電子束直接繪圖系統(tǒng)，由以下構(gòu)成一存儲(chǔ)器，它存貯已被轉(zhuǎn)換成可識(shí)別格式的繪圖數(shù)據(jù)，以便電子束在芯片上直接繪制半導(dǎo)體器件的圖形；一主體，它根據(jù)上述繪圖數(shù)據(jù)在上述的芯片上將電子束曝光；一記錄介質(zhì)；和一繪圖控制部分，它根據(jù)在記錄介質(zhì)中所記錄的程序讀出存貯于上述存儲(chǔ)器中的上述繪圖數(shù)據(jù)、將上述繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)區(qū)域，即電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域，并對(duì)應(yīng)于上述的芯片上每一個(gè)劃分的域按上述繪圖數(shù)據(jù)使用單步和重復(fù)方法來(lái)繪制圖形，同時(shí)上述的主體將電子束曝光；其中，上述的繪圖控制部分識(shí)別上述的芯片大小，并在上述的芯片基面上將讀出的繪圖數(shù)據(jù)劃分成上述的多個(gè)域。
4．根據(jù)權(quán)利要求3的電子束直接繪圖方法，其中上述的繪圖控制部分識(shí)別芯片的大小，將上述的芯片大小劃分成上述的多個(gè)域，識(shí)別每一個(gè)劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息，并根據(jù)每一個(gè)劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息將上述的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)區(qū)域。
5．一種記錄介質(zhì)，用于記錄采用電子束在芯片上直接繪制半導(dǎo)體器件圖形的控制程序，其特征在于，上述的控制程序包括以下執(zhí)行過(guò)程將已轉(zhuǎn)換成可識(shí)別格式的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域，也就是在上述的芯片基面上的電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域；和對(duì)應(yīng)于在上述的芯片上的每一劃分的域采用單步和重復(fù)方法來(lái)用上述的繪圖數(shù)據(jù)繪制圖形，同時(shí)用電子束曝光。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的一記錄介質(zhì)，其特征在于，上述的繪圖數(shù)據(jù)劃分過(guò)程由以下過(guò)程組成認(rèn)別芯片大小，將上述的芯片劃分為上述的多個(gè)域，識(shí)別每一劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息；和根據(jù)所識(shí)別的每一劃分域的芯片內(nèi)坐標(biāo)信息，將上述的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)區(qū)域。
全文摘要
一種電子束直接繪圖方法,它包括以下步驟:將用于在芯片上采用電子束直接繪制半導(dǎo)體器件圖形的繪圖數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一種可識(shí)別的格式;將已轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分成多個(gè)域,也就是電子束偏轉(zhuǎn)區(qū)域;在芯片上采用單步和重復(fù)方法對(duì)應(yīng)于每一個(gè)劃分的域按繪圖數(shù)據(jù)來(lái)繪制圖形;其中,轉(zhuǎn)換的繪圖數(shù)據(jù)劃分步驟被執(zhí)行,使得繪圖數(shù)據(jù)在芯片的基面上被劃分成多個(gè)域。同時(shí),還公開(kāi)了電子束直接繪圖系統(tǒng),它具有:一存儲(chǔ)器,一主體,一記錄介質(zhì),和一繪圖控制部分。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1221974SQ9812655
公開(kāi)日1999年7月7日 申請(qǐng)日期1998年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月25日
發(fā)明者小野田中 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社