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切割帶貼合單元和具有切割帶貼合單元的序列式系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:72131閱讀:424來源:國知局
專利名稱:切割帶貼合單元和具有切割帶貼合單元的序列式系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體封裝裝配,更具體而言,涉及一種切割帶貼合單元(adicing tape attachment unit),和包括切割帶貼合單元的序列式系統(tǒng)(a in-linesystem)。
背景技術(shù)
許多半導體芯片是在晶片制造過程中由半導體晶片制造而成。當一塊晶片被切割成小塊時,半導體芯片隨之產(chǎn)生。然而,這些半導體芯片單體是不完全的且不能發(fā)揮作用,除非它們具有外部連接端,例如焊球或焊盤。震動和碰撞極易造成這些外部連接端的損壞。半導體封裝裝配工藝是密封半導體芯片,形成一個有效的外部連接端,從而使其免受震動和碰撞。
在一般的半導體封裝裝配次序中,首先使用環(huán)形框架將晶片粘附在切割帶(dicing tape)上。然后是切割過程,切割過程為使用帶有鉆石的切割刀將晶片分離為單體芯片。隨后,單體芯片粘附在引線框或底層上,接著進行導線的焊接工藝。
為了減小半導體封裝尺寸,通常在晶片粘附在切割帶之前先將晶片進行背磨,從而減小晶片的厚度。如此的晶片背磨過程主要用在改進半導體封裝裝配過程中,例如,多芯片封裝(MCP)過程,雙芯片封裝(DDP)過程,薄而小的外形封裝(TSOP)過程,極薄而小的外形封裝(USOP)過程。
通常情況下,當經(jīng)過晶片背磨過程后的晶片厚度會減少大約100-200μm。磨削后的晶片受到外部震動時易于損壞,有時又趨向彎曲。因此,當晶片轉(zhuǎn)移到半導體封裝過程的裝配單元時,或是當晶片在裝配單元中操作時困難就出現(xiàn)了。為了克服上述困難,晶片磨削機和用于將晶片和切割帶相粘結(jié)的單元將在序列式系統(tǒng)中形成一個單體。
圖1為傳統(tǒng)序列式系統(tǒng)的方框圖,此系統(tǒng)中晶片磨削機和切割帶貼合單元形成為一個單體。參照圖1,示出了一個用于半導體封裝裝配過程中傳統(tǒng)的序列式系統(tǒng)10。系統(tǒng)10包括一個晶片裝載單元12,它能夠?qū)⒕掣接趯訝顜希瑥亩沟镁捻敹嗣庥谑艿轿廴?,系統(tǒng)10還包括一個晶片磨削機14,其用于磨削已裝載的晶片背面,從而減小晶片的厚度,一個紫外線輻射單元16,其在晶片頂端上放射出紫外線,一個切割帶貼合單元18,其使用環(huán)形框架將切割帶和晶片背面粘附在一起,一個層狀帶分離單元20,其用于去除晶片頂端的層狀帶,和一個晶片卸載單元22,其可將晶片從系統(tǒng)10中卸載下來。
將晶片用紫外線輻射的目的是為了減小層狀帶和晶片頂端二者之間的粘附力。從而,當晶片被紫外線照射后,層狀帶易于從晶片頂端去除。這里,切割帶貼合單元18僅靠普通的切割帶和晶片背面相粘結(jié)。
圖2為用于半導體封裝裝配過程中的普通的切割帶30的截面圖。更詳細的說,普通的切割帶3包括一個材料為聚乙烯(PE)的基底膜32,和鋪設(shè)在基底膜32上的粘結(jié)劑膜34,其材料為丙烯酸聚合物。紫外線的照射可使得粘結(jié)劑膜34的膠粘性降低。普通的切割帶30還包括一襯層36,其位于粘結(jié)劑膜34之上。襯層36用于保護粘結(jié)劑膜34,襯層材料為聚乙烯對苯二酸酯(PET)。因此,當使用環(huán)形框架使普通的切割帶30和晶片背面相粘結(jié)時,粘結(jié)劑膜34包括基底膜32和晶片的背面以及環(huán)形框架相粘結(jié),襯層36從普通的切割帶30的膠粘層中剝落下來。
在隨后的小片焊接工藝中,此時的半導體芯片的厚度小于100μm,半導體芯片通過液態(tài)環(huán)氧樹脂貼合到基板或引線框架的芯片閘板(chip paddle)。在使用液態(tài)環(huán)氧樹脂的工藝中,半導體芯片非常薄,暴露出小片傾斜的缺點。當半導體芯片不是以一種水平狀態(tài)而是以一種傾斜狀態(tài)被貼合時,芯片傾斜的缺點就會發(fā)生。為了解決上述問題,發(fā)明了一種利用膠粘帶而不是液態(tài)環(huán)氧樹脂,將半導體芯片貼合到基板或者引線框架的芯片閘板的新技術(shù)。在這種情況下,切割帶包括一個膠粘層,也就是,帶按預定尺寸預先被切割,被稱作預切割的切割帶。這種預切割的切割帶用于小片接合過程中。但是,這種預切割的切割帶應(yīng)用于作為半導體封裝裝配工藝一部分的切割帶貼合工藝中。
如圖3、4所示,A表示圓形預切割線,B表示圓形預切割線A內(nèi)的預切割部分。圓形預切割部分B貼合在晶片和環(huán)形框架(圖中未示出)上。A的外側(cè)部分通過襯膜48連接在一起。圖4為預切割的切割帶40的橫截圖。更詳細的說,基底膜42a和42b由聚乙烯(PE)形成,其位于預切割的切割帶40的最低層?;啄?2的內(nèi)部既預切割部分B標記為42a,基底膜42的外部標記為42b,它們通過預切割線A分開。同樣,擴展層44a、44b和粘結(jié)劑膜46分別形成在基底膜42a、42b之上。
擴展層44a、44b將環(huán)形框架貼合在基底膜42a上。粘結(jié)劑膜46用于將半導體芯片貼合到基板或引線框架的小片焊盤,用來代替在小片接合工藝中使用的液態(tài)環(huán)氧樹脂。最后,襯膜48為聚乙烯對苯二酸酯(PET)材料形成,其用于保護擴展層44a、44b和粘結(jié)劑膜46。當預切割部分B粘結(jié)到環(huán)形框架或者晶片后,預切割線A的其它部分連同基底膜42b和擴展膜44b一起從預切割部分B中去掉。
然而,圖1中的序列式系統(tǒng)10不能使如圖3、4所示的這種預切割的切割帶貼合到晶片。而且,僅能夠?qū)㈩A切割的切割帶貼合到晶片的切割帶貼合單元,不能完成晶片背磨功能,僅能使用在只將切割帶貼合到晶片的獨立工藝。這樣,為了使用預切割的切割帶,應(yīng)該購買僅將預切割的切割帶貼合到晶片的切割帶貼合單元,而不是序列式系統(tǒng)。這就會引出了下述的缺點。
首先,更多的裝配單元,使得生產(chǎn)成本增加。第二,更多的裝配單元,使得半導體封裝裝配占用空間擴大。第三,當通過晶片背磨工藝而變薄的晶片由裝配單元進行運送時,晶片會發(fā)生翹曲而使薄晶片有破裂的危險。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于半導體封裝裝配過程中的序列式系統(tǒng),此系統(tǒng)將普通的切割帶和預切割的切割帶二者用于同一單元中。
本發(fā)明還提供一種切割帶貼合單元,其用于半導體封裝裝配過程中,此單元將普通的切割帶和預切割的切割帶二者一同使用。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種用于半導體封裝裝配工藝中的序列式系統(tǒng),包括一個晶片裝載單元,其將背面未被磨削的晶片裝載到系統(tǒng)中;一個晶片磨削機,其用于磨削由晶片裝載單元提供的晶片的背面;和一個切割帶貼合單元,其將切割帶貼合到經(jīng)晶片磨削機磨削的晶片背面,其中切割帶為預切割的切割帶和普通的切割帶中的一種。
本系統(tǒng)還包括卸載單元,其用于將環(huán)形框架移出序列式系統(tǒng),環(huán)形框架中切割帶貼合到晶片上。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的實施例,層狀帶貼合到裝入晶片裝載單元的晶片頂端,保護晶片在晶片磨削機中不受污染,晶片磨削機包括一個紫外線輻射單元,紫外線照射到晶片頂端,這樣可使當晶片背磨后,層狀帶易于去除,晶片通過晶片磨削機磨削后的厚度為20~200μm。
另外,根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,切割帶貼合單元包括一個帶裝載機,其可提供預切割的切割帶或普通的切割帶中的一種帶;一個襯層繞筒,其用于卷繞從預切割的切割帶或普通的切割帶中分離出來的襯膜;一個環(huán)形框架疊置部分,其用于疊置用來將預切割的切割帶或普通的切割帶貼合到晶片的環(huán)形框架;一個貼合工作臺,預切割的切割帶或普通的切割帶在貼合工作臺被貼合到環(huán)形框架及晶片;一個壓輥部分,其用于對由帶裝載機和環(huán)形框架提供的預切割的切割帶或普通的切割帶施壓;一個剝離單元,其用于從貼合工作臺去掉普通的切割帶被貼合后的剩余部分;一個安裝框架傳送部分,用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到一個層狀帶去除部分,其中環(huán)形框架中的預切割的切割帶或普通的切割帶貼合到晶片上;和一個帶切割機部分,其用于切割普通的切割帶貼合到晶片背面及環(huán)形框架后的剩余部分。
優(yōu)選的帶裝載機,其可以一個旋轉(zhuǎn)方向提供預切割的切割帶,通過相反的方向提供普通的切割帶,且以順時針旋轉(zhuǎn)方向提供預切割的切割帶,以逆時針旋轉(zhuǎn)方向提供普通的切割帶。
優(yōu)選的,在使用預切割的切割帶的情況下,襯層繞筒卷繞預切割的切割帶在預切割工藝后的剩余部分,包括襯膜。
還有,優(yōu)選的,該系統(tǒng)還包括一個層狀帶分離單元,其用于從晶片磨削機中分離層狀帶。
根據(jù)本發(fā)明的另外一個方面,提供了一種切割帶貼合單元,包括一個帶裝載機,依據(jù)帶裝載機的旋轉(zhuǎn)方向,提供預切割的切割帶和普通的切割帶中的一種;一個襯膜繞筒,其將從預切割的切割帶或普通的切割帶中分離出來的襯膜卷繞起來;一個環(huán)形框架疊置部分,用于疊置用來將預切割的切割帶或普通的切割帶貼合到晶片的環(huán)形框架;一個晶片疊置部分,用于疊置用來貼合預切割的切割帶或普通的切割帶的晶片;一個貼合工作臺,預切割的切割帶或普通的切割帶在貼合工作臺被貼合于環(huán)形框架和晶片上;一個壓輥部分,其對由帶裝載機以及環(huán)形框架提供的預切割的切割帶或普通的切割帶施壓;一個剝離單元,其從貼合工作臺除去普通的切割帶貼合后的剩余部分;一個安裝框架傳送部分,其用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到層狀帶分離單元中,環(huán)形框架中預切割的切割帶或普通的切割帶貼合于晶片;一個帶切割機部分,其用于切割普通的切割帶在貼合到晶片的背面以及環(huán)形框架后的剩余部分;和一個卸載單元,其用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)以外的地點,環(huán)形框架中的預切割的切割帶或普通的切割帶貼合在晶片上。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,帶裝載機當提供預切割的切割帶時順時針旋轉(zhuǎn),當提供普通的切割帶時逆時針旋轉(zhuǎn)。
還有,優(yōu)選的,在使用預切割的切割帶的情況下,襯層繞筒卷繞預切割的切割帶在預切割工藝后的剩余部分,包括襯膜。
利用本發(fā)明,不再需要購買額外的將預切割的切割帶貼合到晶片上的切割帶貼合單元,就能夠?qū)㈩A切割的切割帶和普通的切割帶貼合到一個序列式系統(tǒng)中,其中,晶片磨削機和切割帶貼合單元形成為一個單一主體。因此,減少了裝配設(shè)備的生產(chǎn)成本和占地空間,避免了被磨薄了的晶片轉(zhuǎn)移或搬運時被損壞或翹曲。



本發(fā)明上述和其它的特征和優(yōu)點將通過對優(yōu)選實施例的詳細描述來表示出來,參照附圖對優(yōu)選實施例進行詳細描述,其中圖1為一方框圖,示出了一個傳統(tǒng)序列式系統(tǒng),其中晶片磨削機和切割帶貼合單元形成為一個單體;圖2為用于半導體的封裝裝配過程中的普通的切割帶的橫截圖;圖3為預切割的切割帶的透視圖;圖4為沿圖3中線IV-IV的橫截圖;圖5為根據(jù)本發(fā)明的序列式系統(tǒng)的方框圖,此系統(tǒng)中晶片磨削機和切割帶貼合單元形成為一個單體;圖6為圖5中切割帶貼合單元的方框圖;圖7為將普通的切割帶貼合到晶片的步驟的側(cè)視圖,此步驟是通過圖5中切割帶貼合單元來完成的;圖8和圖9為切割帶貼合單元的貼合工作臺操作時的側(cè)視圖;圖10為圖5中的切割帶貼合單元中的環(huán)形框架的透視圖,環(huán)形框架中普通的切割帶貼合到晶片;
圖11為預切割的切割帶貼合到晶片過程的側(cè)視圖,此過程完成在圖5中的切割帶貼合單元中;圖12為圖5中的切割帶貼合單元中的環(huán)形框架的透視圖,環(huán)形框架中預切割的切割帶貼合到晶片;圖1 3為圖12中沿線XIII-XIII橫截圖;和圖14為根據(jù)本發(fā)明改進后實施例中的切割帶貼合單元的方框圖。
具體實施方式
在下文中將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例作進一步詳細的描述。然而,本發(fā)明可以以不同的方式實現(xiàn),所以,本發(fā)明不能解釋為受到這里提出的實施例的限制。相反地,提供這些實施例是為了徹底和完整地公開,并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
首先,在解釋本發(fā)明實施例之前,先介紹一下用于本發(fā)明中不同的帶以及它們的功能。在半導體封裝裝配工藝中,在引線結(jié)合工藝之前使用的帶包括一種層狀帶,其用于晶片背磨過程中,和一種切割帶,其用于晶片鋸切工藝中。
層狀帶用于減少在晶片背磨過程中晶片頂端的污染。因此,在晶片背磨過程中,層狀帶起到保護晶片頂端免于受到污染、吸收機械震動和減小晶片上的壓力的作用。在晶片背磨過程后和鋸切過程前,層狀帶從晶片剝離并去掉。通過紫外線的照射削減層狀帶的粘附力,可以去掉層狀帶?;蛘?,在不受紫外線的照射的情況下去除層狀帶。然而,在大多數(shù)情況下,都是通過紫外線的照射來削減層狀帶的粘附力,從而去除層狀帶。
切割帶包括例如上述中的普通的切割帶(圖2)和預切割的切割帶(圖3和圖4)。普通帶不具備在小片接合工藝中替代環(huán)氧樹脂使用的粘結(jié)劑帶層,而且也沒有預先切割。預切割的切割帶具有在小片接合工藝中使用的粘結(jié)劑帶層,并進行了預先切割,以便于分離預切割部分,并便于將預切割部分再貼合到環(huán)形框架以及晶片。
實施例圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例中序列式系統(tǒng)的方框圖,此系統(tǒng)中晶片背磨單元和切割帶貼合單元形成為一個單一實體。參照圖5,在序列式系統(tǒng)100中的晶片背磨單元和切割帶貼合單元形成為一個單一實體。系統(tǒng)100中包括下述部件(a)晶片裝載單元102,其用于裝載晶片背面還沒有被磨削的晶片,(b)晶片磨削機104,其磨削由晶片裝載單元102裝載的晶片背面,(c)紫外線輻射單元106,其向晶片頂端放射紫外線,從而可使層狀帶易于去除,(d)切割帶貼合單元120,使用環(huán)形框架將切割帶貼合到經(jīng)晶片磨削機104打磨后的晶片背面,(e)層狀帶分離單元108,其將通過紫外線輻射單元106削弱了粘附力的層狀帶從晶片磨削機104中去除,和(f)卸載單元110,其將環(huán)形框架移出序列式系統(tǒng)100,其中,切割帶粘附在晶片上。
優(yōu)選的,通過晶片磨削機104打磨后的晶片厚度大約為20~200μm。根據(jù)本發(fā)明的實施例,用于半導體封裝裝配過程的序列式系統(tǒng)中,切割帶貼合單元120為一個重要特征。在現(xiàn)有技術(shù)中,僅僅能夠使用普通的切割帶,但是在本發(fā)明中,預切割的切割帶能夠和普通的切割帶一起使用。
因此,不再單獨需要額外的僅僅貼合預切割的切割帶的切割帶貼合單元。晶片背磨過程和切割帶粘附過程可同時在本發(fā)明的序列式系統(tǒng)中完成,這樣避免了當晶片轉(zhuǎn)移或搬運過程中出現(xiàn)的問題。
參照圖6,根據(jù)本發(fā)明的切割帶貼合單元120包括下述組件(a)帶裝載機122,其用于提供預切割的切割帶或普通的切割帶,(b)襯膜繞筒124,其用于卷繞從預切割的切割帶或是切割帶中分離出來的襯膜,(c)環(huán)形框架疊置部分126,其用于疊置將預切割的切割帶或普通的切割帶貼合于晶片上的環(huán)形框架并為貼合工作臺提供環(huán)形框架,(d)貼合工作臺128,在此處,預切割的切割帶或切割帶貼合在環(huán)形框架和晶片上,(e)壓輥部分130,其用于給由帶裝載機122和環(huán)形框架提供的預切割的切割帶或普通的切割帶施壓,(f)剝離單元132,從貼合工作臺128去掉貼合后剩下的部分普通切割帶,(g)安裝框架傳送部分134,其將環(huán)形框架移送到層狀帶分離單元(圖5中的108)中,其中,預切割的切割帶或普通的切割帶粘附在晶片上,和(h)帶切割部分136,切割普通的切割帶粘附于晶片背面以及環(huán)形框架后的剩余部分。
根據(jù)本發(fā)明,普通的切割帶或預切割的切割帶貼合在帶裝載機122上,帶裝載機122提供普通的切割帶和預切割的切割帶同時改變轉(zhuǎn)動方向。
參照圖7至圖9,環(huán)形框架152和晶片150裝置于貼合工作臺128上。這里,晶片的頂端朝下。纏繞在帶裝載機122上的普通的切割帶30,在帶裝載機122逆時針方向旋轉(zhuǎn)時通過夾送滾輪138供給。僅有作為保護層的襯膜通過剝離桿125從普通的切割帶30中分離出去,然后纏繞在襯膜繞筒124上。普通的切割帶30的基底膜和粘結(jié)劑膜提供給貼合工作臺128。
當普通的切割帶30(襯膜36從上面除去)提供給貼合工作臺128時,對普通的切割帶施壓的壓輥部分130將從右至左移動,然后將普通的切割帶30貼合到環(huán)形框架152和晶片150的背面。當普通的切割帶30貼合到環(huán)形框架152和晶片150的背面后,移動切割帶貼合單元的帶切割機136并置于貼合工作臺128的上面,于是,帶切割機136內(nèi)部的刀具135沿著環(huán)形框架152的內(nèi)部弧形表面進行旋轉(zhuǎn),對普通的切割帶30進行切割。切割后的普通切割帶30的剩余部分38纏繞在剝離單元132中的繞筒上然后被廢棄。
參照圖10,普通的切割帶30的粘結(jié)劑膜34貼合于環(huán)形框架152以及晶片150的背面。環(huán)形框架152用作載體,將晶片150從鋸切工藝傳送到小片接合工藝,環(huán)形框架中普通的切割帶30貼合到晶片150的背面。
參照圖11,環(huán)形框架152和晶片150置于貼合工作臺128上。類似地,晶片的頂端朝下。接下來,預切割的切割帶40(如圖3和圖4所述)附在帶裝載機122上,代替了普通的切割帶30。這里,帶裝載機122順時針提供預切割的切割帶40,其方向與帶裝載機122提供普通切割帶30的方向相反。由帶裝載機122提供的預切割的切割帶40通過多個夾送滾輪138。僅有預切割部分(圖4中的B)通過剝離桿125被分離出來。預切割的切割帶40的剩余部分纏繞在襯膜繞筒124上。這樣,僅有預切割部分(圖4中的B)通過壓輥部分130貼合到環(huán)形框架152和晶片150的背面。當預切割的切割帶40貼合到晶片上結(jié)時,在將普通的切割帶30貼合到晶片時使用的剝離單元132或帶切割部分136,并不工作。
通過調(diào)解壓輥部分130壓下和移動的距離,預切割部分B能夠貼合到環(huán)形框架152以及晶片150的背面,而不用考慮晶片150的尺寸。因此,在根據(jù)本發(fā)明實施例的用于半導體封裝裝配工藝中的序列式系統(tǒng)中,預切割的切割帶40能貼合到晶片150上而不用考慮晶片150的尺寸。同樣,擴展膜44b和基底膜42b,不包括預切割部分(圖4中的B),連同襯膜48一起被纏繞到襯膜繞筒124上。
因而,根據(jù)本發(fā)明,對傳統(tǒng)的普通的切割帶貼合單元做了改良或修改,使得預切割的切割帶也能夠貼合到環(huán)形框架和晶片,因此解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
參照圖12和圖13,晶片150貼合在預切割的切割帶40上的方法不同于晶片150貼合在普通切割帶30上的方法。通過擴展膜44a貼合到環(huán)形框架152和基底膜42a。通過粘結(jié)劑膜46完成貼合到晶片150的背面和基底膜42a。在這里使用的粘結(jié)劑膜46代替了現(xiàn)有技術(shù)中使用的液態(tài)環(huán)氧樹脂,在小片接合工藝中,粘結(jié)劑膜46將芯片閘板或者基底或引線框的芯片焊墊粘附到半導體芯片。粘結(jié)劑膜46由環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺組分形成,或是由包括環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺的合成材料形成。
改進的實施例改進的實施例是提出一種用于半導體封裝裝配工藝中的序列式系統(tǒng)。然而,本發(fā)明的構(gòu)思也可以用于并非為序列式系統(tǒng)中一個部分的獨立的切割帶貼合單元。也就是說,在現(xiàn)有技術(shù)中切割帶貼合單元僅僅有兩種類型。這些切割帶貼合單元包括用于普通的切割帶貼合單元和用于預切割的切割帶貼合單元。然而,通過應(yīng)用本發(fā)明的構(gòu)思,一個切割帶貼合單元既能處理普通的切割帶,也能處理預切割的切割帶。在本發(fā)明的改進實施例中,將描述這種情況。
參照圖14,根據(jù)本發(fā)明的改進后的實施例,一種切割帶貼合單元200包括(a)一個帶裝載機202,其依據(jù)旋轉(zhuǎn)方向提供預切割的切割帶或是普通的切割帶,(b)一個襯膜繞筒204,其用于纏繞從預切割的切割帶或普通的切割帶中分離出來的襯膜,(c)一個環(huán)形框架疊置部分206,疊置用于將預切割的切割帶或普通的切割帶貼合到晶片的環(huán)形框架,且將環(huán)形框架提供給貼合工作臺,(d)一個晶片疊置部分208,用于疊置上面要貼合預切割的切割帶或普通的切割帶的晶片,且將晶片提供給貼合工作臺,(e)一個貼合工作臺210,在貼合工作臺210處,預切割的切割帶或普通的切割帶被貼合到環(huán)形框架以及晶片,(f)一個壓輥部分212,其用于對由帶裝載機202和環(huán)形框架提供來的預切割的切割帶或普通的切割帶,(g)一個剝離單元214,用于從貼合工作臺210去除普通的切割帶貼合后的剩余部分,(h)一個帶切割部分216,其用于切割普通的切割帶貼合到晶片背面及環(huán)形框架后的剩余部分,和(g)一個卸載單元218,用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到工地外,環(huán)形框架中預切割的切割帶或切割帶貼合到晶片上。
切割帶貼合單元200為一個獨立的工藝單元,其中還包括晶片疊置單元208。本發(fā)明的改進實施例與上述的序列式系統(tǒng)的實施例相似,不同之處在于,它不包括在序列式系統(tǒng)中所需的層狀帶分離部分和安裝框架傳送部分等部件。無論何種情況,普通的切割帶貼合于晶片的工作原理,或者貼合預切割的切割帶的工作原理,在這兩個實施例中都是相似的,因此不再重復描述它們的功能。
因此,本發(fā)明具有下述優(yōu)點。
首先,在半導體封裝裝配工藝中,普通的切割帶和預切割的切割帶能夠由相同的一個單元供給。第二,由于本發(fā)明作為一序列式系統(tǒng)來實施的,因此當晶片轉(zhuǎn)移或搬運過程中避免了晶片翹曲或損壞,從而提高了半導體封裝的產(chǎn)量和改進了半導體封裝的可靠性。第三,不再需要額外的用于貼合預切割的切割帶的設(shè)備,于是,減少了裝配半導體封裝的成本和半導體封裝裝配線的占地空間。第四,即使使用預切割的切割帶,同樣可以解決被磨薄的晶片被轉(zhuǎn)移或搬運時所發(fā)生的問題。
雖然參照優(yōu)選實施例,具體展示并描述了本發(fā)明,但是,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員都會明白,可以進行各種形式和細節(jié)上的改變,但不會脫離后附權(quán)利要求
所限定的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于半導體封裝裝配工藝中的序列式系統(tǒng),包括一個晶片裝載單元,其將背面未被磨削的晶片裝載到系統(tǒng)中;一個晶片磨削機,其用于磨削由晶片裝載單元提供的晶片的背面;和一個切割帶貼合單元,其將切割帶貼合到經(jīng)晶片磨削機磨削的晶片背面,其中切割帶為預切割的切割帶和普通的切割帶中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),其中,晶片裝載單元中的晶片用層狀帶貼合到晶片的頂端,晶片和所貼合的層狀帶裝載到晶片裝載單元中,避免在晶片磨削機中晶片受到污染。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),其中,晶片磨削機包括一個紫外線輻射部分,其在晶片的頂端放射紫外線,使層狀帶在磨削后易于除去。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),其中,經(jīng)晶片磨削機磨削后的晶片的厚度為20~200μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),還包括環(huán)形框架和一個卸載單元,所述晶片貼合在環(huán)形框架上,卸載單元將環(huán)形框架和晶片轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)以外的地點。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),其中,切割帶貼合單元包括一個帶裝載機,其用于提供預切割的切割帶和普通的切割帶中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6中所述的系統(tǒng),其中,帶裝載機提供預切割的切割帶時朝著一個方向旋轉(zhuǎn),提供普通的切割帶時朝著相反的方向旋轉(zhuǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的系統(tǒng),其中,當提供預切割的切割帶時,帶裝載機朝著順時針方向旋轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的系統(tǒng),其中,當提供普通的切割帶時,帶裝載機朝著逆時針方向旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的系統(tǒng),還包括一個襯膜繞筒,其將預切割的切割帶經(jīng)預切割過程后剩余的部分和襯膜一同卷繞起來。
11.一種切割帶貼合單元,包括一個帶裝載機,依據(jù)帶裝載機的旋轉(zhuǎn)方向,提供預切割的切割帶和普通的切割帶中的一種;一個帶切割機部分,其用于切割普通的切割帶在貼合到晶片的背面以及環(huán)形框架后的剩余部分;和一個卸載單元,其用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)以外的地點,環(huán)形框架中的預切割的切割帶或普通的切割帶貼合在晶片上。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,其中,當提供預切割的切割帶時,帶裝載機朝著順時針方向旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,其中,當提供普通的切割帶時,帶裝載機朝著逆時針方向旋轉(zhuǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個襯膜繞筒,其將從預切割的切割帶或普通的切割帶中分離出來的襯膜卷繞起來。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14中所述的單元,其中,襯膜繞筒用于將預切割的切割帶預切割過程后剩余的部分卷繞起來。
16.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個貼合工作臺,預切割的切割帶或普通的切割帶在貼合工作臺被貼合于環(huán)形框架和晶片上。
17.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個壓輥部分,其對由帶裝載機以及環(huán)形框架提供的預切割的切割帶或普通的切割帶施壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個剝離單元,其從貼合工作臺除去普通的切割帶貼合后的剩余部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個安裝框架傳送部分,其用于將環(huán)形框架轉(zhuǎn)移到層狀帶分離單元中,環(huán)形框架中預切割的切割帶或普通的切割帶貼合于晶片。
20.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個晶片疊置部分,用于疊置用來貼合預切割的切割帶或普通的切割帶的晶片。
21.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的單元,還包括一個環(huán)形框架疊置部分,用于疊置用來將預切割的切割帶或普通的切割帶貼合到晶片的環(huán)形框架。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種切割帶貼合單元和序列式系統(tǒng)。在半導體封裝裝配過程中的,切割帶貼合單元將預切割的切割帶和普通的切割帶貼合到晶片。序列式系統(tǒng)用于半導體封裝裝配工藝中,包括切割帶貼合單元。切割帶貼合單元可根據(jù)帶裝載機的旋轉(zhuǎn)方向提供預切割的切割帶或普通的切割帶,使其貼合晶片。因而,不再需要額外的預切割的切割帶貼合單元,就能夠?qū)㈩A切割的切割帶或普通的切割帶通過相同的一個單元貼合到晶片背面。
文檔編號H01L21/301GKCN1327500SQ03127788
公開日2007年7月18日 申請日期2003年7月12日
發(fā)明者丁起權(quán), 金東局 申請人:三星電子株式會社導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (2),
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