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一種帶水冷散熱的基板以及光伏用功率模塊的制作方法

文檔序號(hào):40387307發(fā)布日期:2024-12-20 12:10閱讀:4來(lái)源:國(guó)知局
一種帶水冷散熱的基板以及光伏用功率模塊的制作方法

本技術(shù)涉及功率模塊散熱,尤其涉及一種帶水冷散熱的基板以及光伏用功率模塊。


背景技術(shù):

1、在新能源技術(shù)迅速發(fā)展的當(dāng)下,可再生能源的并網(wǎng)發(fā)電技術(shù)已成為電力電子領(lǐng)域的重點(diǎn)研究方向。其中,高頻并網(wǎng)逆變器在風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏發(fā)電等分布式可再生能源系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。光伏逆變器作為關(guān)鍵部件,其技術(shù)要求包括:逆變效率需高達(dá)94%以上,直流輸入范圍要寬,具有最大功率跟蹤功能,具有反孤島效應(yīng)功能,波形畸變率要小,tdd<5%,并且需要具備高可靠性和長(zhǎng)壽命。

2、在這些技術(shù)要求中,逆變器的效率越來(lái)越受到重視,因?yàn)樾实奶岣咧苯雨P(guān)系到經(jīng)濟(jì)效益的提升。決定光伏逆變器效率的關(guān)鍵因素之一是電力電子器件的選擇,主要包括功率場(chǎng)效應(yīng)管,即功率mosfet和絕緣柵雙極型晶體管igbt。igbt模塊因其高可靠性和安全工作區(qū)域而被廣泛使用。然而,功率模塊的散熱性能是制約其發(fā)展的重要因素。

3、目前,常見的igbt模塊散熱結(jié)構(gòu)主要是平面型,通過平面印刷導(dǎo)熱脂直接進(jìn)行散熱,散熱效率過低。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于上述內(nèi)容,本實(shí)用新型提供一種帶水冷散熱的基板以及光伏用功率模塊,旨在提高功率模塊的散熱效率。

2、一種帶水冷散熱的基板,包括:

3、基板本體,包括相對(duì)的散熱面焊接面;

4、凸臺(tái),設(shè)置于所述基板本體的散熱面;

5、所述凸臺(tái)上具有若干散熱柱。

6、進(jìn)一步的,所述散熱柱的橫截面為圓形。

7、進(jìn)一步的,所述散熱柱呈陣列排列。

8、進(jìn)一步的,所述散熱柱呈蜂窩狀陣列排列。

9、進(jìn)一步的,所述散熱柱的高度為1-10mm。

10、進(jìn)一步的,所述凸臺(tái)和所述散熱柱一體成型。

11、進(jìn)一步的,所述散熱柱的材質(zhì)包含銅元素。

12、進(jìn)一步的,所述凸臺(tái)的材質(zhì)包含銅元素。

13、進(jìn)一步的,所述凸臺(tái)的厚度為0-2mm。

14、一種光伏用功率模塊,包括:

15、如前述的一種帶水冷散熱的基板;

16、第一表面焊接于所述基板本體的焊接面的金屬化陶瓷襯底,

17、焊接在所述金屬化陶瓷襯底的第二表面的半導(dǎo)體芯片和pin針;以及

18、塑封外殼,所述塑封外殼通過密封膠與所述基板本體結(jié)合。

19、本使用新型的有益技術(shù)效果在于:通過基板本體散熱面附帶散熱柱,散熱柱直接與冷卻液接觸,從而增大冷卻液與基板的接觸面積,提高冷卻液的熱傳遞能力,有效提高功率模塊的散熱性能,進(jìn)一步提升光伏逆變器的效率。



技術(shù)特征:

1.一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,包括:

2.如權(quán)利要求1所述的一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,所述散熱柱(3)的高度為1-10mm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,所述凸臺(tái)(2)和所述散熱柱(3)一體成型。

4.如權(quán)利要求1所述的一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,所述散熱柱(3)的材質(zhì)包含銅元素。

5.如權(quán)利要求1所述的一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,所述凸臺(tái)(2)的材質(zhì)包含銅元素。

6.如權(quán)利要求1所述的一種帶水冷散熱的基板,其特征在于,所述凸臺(tái)(2)的厚度為0-2mm。

7.一種光伏用功率模塊,其特征在于,包括:


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種帶水冷散熱的基板以及光伏用功率模塊,基板本體,包括相對(duì)的散熱面焊接面;凸臺(tái),設(shè)置于所述基板本體的散熱面;所述凸臺(tái)上具有若干散熱柱。通過基板本體散熱面附帶散熱柱,散熱柱直接與冷卻液接觸,從而增大冷卻液與基板的接觸面積,提高冷卻液的熱傳遞能力,有效提高功率模塊的散熱性能,進(jìn)一步提升光伏逆變器的效率。

技術(shù)研發(fā)人員:徐斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者:斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240116
技術(shù)公布日:2024/12/19
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