本技術(shù)屬于太陽(yáng)能電池制作，具體涉及一種石英舟。

背景技術(shù)：

1、topcon電池(也即隧穿氧化鈍化接觸電池)制備過(guò)程中，電池背面制備一層超薄的隧穿氧化硅層和一層高摻雜的多晶硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)。目前高摻雜的多晶硅薄層常用的制備方式之一為lpcvd(low?pressure?chemical?vapor?deposition-低壓化學(xué)氣相沉積)方式，制備過(guò)程中，需要先在硅片表面制備一層本征多晶硅層，再通過(guò)磷擴(kuò)散工藝將磷原子摻雜至本征多晶硅層內(nèi)制得高摻雜的多晶硅膜層。

2、該方法制備隧穿鈍化結(jié)構(gòu)時(shí)使用的載片工具為石英舟，重疊硅片兩端有卡點(diǎn)固定硅片，在隧穿鈍化結(jié)構(gòu)制備過(guò)程中，由于相鄰硅片無(wú)法完全貼合，硅片間存在較小間隙，反應(yīng)氣體會(huì)自發(fā)的擴(kuò)散至硅片正面間隙后會(huì)產(chǎn)生較小面積的繞鍍層，在高溫條件下反應(yīng)氣體被活化并沉積至硅片正面產(chǎn)生繞鍍(如圖4及圖5所示)，繞鍍即使用lpcvd設(shè)備沉積摻雜多晶硅時(shí)，多晶硅、磷原子繞過(guò)硅片背面及邊緣并沉積到硅片正面。

3、為去除繞鍍對(duì)電池性能的影響，需要在摻雜多晶硅沉積后增加額外的清洗步驟以去除繞鍍，若繞鍍結(jié)構(gòu)中含有已被腐蝕的硼磷玻璃層，在同一刻蝕溶液中，硼磷玻璃被快速刻蝕，導(dǎo)致清洗過(guò)程中易造成p-n結(jié)的損傷，影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率和電池的成品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種石英舟，旨在避免正面硼磷玻璃的產(chǎn)生，提升電池的轉(zhuǎn)換效率，降低清洗的難度。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：提供一種石英舟，包括：石英舟本體，所述石英舟本體內(nèi)設(shè)置有若干卡固條，相鄰的兩所述卡固條之間構(gòu)成用于卡接背靠背放置的兩片硅片的卡接槽；其中，相鄰的兩個(gè)所述卡固條中間還設(shè)置有中間卡條，所述中間卡條位于背靠背的兩片硅片之間。

3、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的高度小于所述卡固條的高度。

4、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的高度h2小于所述卡固條的高度h1，h2的范圍為1/2h1-2/3?h1，單位為mm。

5、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的厚度小于所述卡固條的厚度。

6、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的厚度m2為0.1mm-0.3mm。

7、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述卡固條和所述中間卡條交替構(gòu)成梳齒狀，所述中間卡條的截面形狀與所述卡固條的截面形狀一致。

8、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的截面形狀的上端為橢圓形長(zhǎng)軸對(duì)應(yīng)的曲線。

9、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述中間卡條的截面形狀的上端為梯形結(jié)構(gòu)。

10、本實(shí)用新型提供的石英舟，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：在原有的石英舟上，不改變硅片載片數(shù)量，不改變相鄰的卡固條間距的前提下，通過(guò)減小原有的卡固條的寬度，增大了相鄰的兩個(gè)卡固條之間的間隙，節(jié)余的空間在相鄰的兩個(gè)卡固條之間增設(shè)中間卡條，利用中間卡條隔開(kāi)背靠背的兩片硅片，從而整體上，相鄰的兩個(gè)卡固條之間的間隙增大，再通過(guò)中間卡條配合卡固條對(duì)硅片的固定，整體上增加了相鄰硅片之間的間隙，得到更寬的本征多晶硅層覆蓋在bsg(borosilicate?glass)硼硅玻璃邊緣，而磷擴(kuò)散的寬度無(wú)法超過(guò)本征多晶硅的寬度，從而阻止磷擴(kuò)散進(jìn)入bsg中形成bpsg，簡(jiǎn)化了清洗工序，避免了清洗中損傷pn結(jié)的問(wèn)題，保證了電池的光電轉(zhuǎn)換效率和電池的成品率。

11、本實(shí)用新型提供的石英舟，通過(guò)改變多晶硅沉積時(shí)的石英舟結(jié)構(gòu)，在相鄰卡點(diǎn)間增加額外的卡點(diǎn)增大硅片間的間隙，增加繞鍍到硅片正面的本征多晶硅的寬度，從而阻止磷擴(kuò)散進(jìn)入bsg中形成bpsg。

技術(shù)特征：

1.一種石英舟，其特征在于，包括：石英舟本體，所述石英舟本體內(nèi)設(shè)置有若干卡固條(3)，相鄰的兩所述卡固條(3)之間構(gòu)成用于卡接背靠背放置的兩片硅片(1)的卡接槽；其中，相鄰的兩個(gè)所述卡固條(3)中間還設(shè)置有中間卡條(2)，所述中間卡條(2)位于背靠背的兩片硅片(1)之間。

2.如權(quán)利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的高度小于所述卡固條(3)的高度。

3.如權(quán)利要求2所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的高度h2小于所述卡固條(3)的高度h1，h2的范圍為1/2h1-2/3?h1，單位為mm。

4.如權(quán)利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的厚度小于所述卡固條(3)的厚度。

5.如權(quán)利要求4所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的厚度m2為0.1mm-0.3mm。

6.如權(quán)利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述卡固條(3)和所述中間卡條(2)交替構(gòu)成梳齒狀，且所述中間卡條(2)的截面形狀與所述卡固條(3)的截面形狀一致。

7.如權(quán)利要求6所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的截面形狀的上端為橢圓形長(zhǎng)軸對(duì)應(yīng)的曲線。

8.如權(quán)利要求6所述的石英舟，其特征在于，所述中間卡條(2)的截面形狀的上端為梯形結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種石英舟，屬于太陽(yáng)能電池制作技術(shù)領(lǐng)域，包括石英舟本體，石英舟本體內(nèi)設(shè)置有若干卡固條，相鄰的兩卡固條之間構(gòu)成用于卡接背靠背放置的兩片硅片的卡接槽；其中，相鄰的兩個(gè)卡固條中間還設(shè)置有中間卡條，中間卡條位于背靠背的兩片硅片之間。本技術(shù)提供的石英舟，整體上增加了相鄰硅片之間的間隙，得到更寬的本征多晶硅層覆蓋在硼硅玻璃邊緣，而磷擴(kuò)散的寬度無(wú)法超過(guò)本征多晶硅的寬度，從而阻止磷擴(kuò)散進(jìn)入硼硅玻璃中形成硼磷玻璃，不需要清洗硼磷玻璃的工藝，避免了清洗中損傷PN結(jié)的問(wèn)題，保證了電池的光電轉(zhuǎn)換效率和電池的成品率。

技術(shù)研發(fā)人員：賓鵬帥,馬紅娜,趙學(xué)玲,史金超,蘇政,孟燦,周淵博,尹麗麗,高仕康
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英利能源發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240105
技術(shù)公布日：2024/12/19