技術(shù)特征：

1.一種micro?led顯示芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro?led顯示芯片的制備方法，其特征在于，所述mqw層的厚度為10nm-100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro?led顯示芯片的制備方法，其特征在于，所述激光加工的具體步驟包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種micro?led顯示芯片的制備方法，其特征在于，超快脈沖激光為皮秒級(jí)超快脈沖激光，激光能量在0.7ev-5.5ev之間，激光光斑大小為10nm-500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro?led顯示芯片的制備方法，其特征在于，步驟（4）中所述陰極淺槽和所述陰極深通孔的具體制備方法包括如下步驟：

6.一種micro?led顯示芯片，其特征在于，由權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制備方法制得。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種micro?led顯示芯片，其特征在于，所述micro?led顯示芯片的結(jié)構(gòu)分為像素區(qū)域和陰極區(qū)域；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種micro?led顯示芯片，其特征在于，所述micro?led顯示芯片中的所述第一保護(hù)層、所述第二保護(hù)層、所述第三保護(hù)層為sio保護(hù)層。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求6-8任意一項(xiàng)所述的micro?led顯示芯片。

10.一種電子顯示屏，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于LED顯示芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種Micro?LED顯示芯片及其制備方法，本發(fā)明通過超快脈沖激光對(duì)外延片MQW層進(jìn)行加工，從而使后續(xù)沉積加工制備出可以免ICP蝕刻的EBL層和P?GaN層，使得構(gòu)筑豎直分布LED顯示芯片的制備方法大為簡(jiǎn)化，同時(shí)通過陰極淺槽網(wǎng)絡(luò)和深通孔設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)較大電流密度，能夠有效防止光串?dāng)_。

技術(shù)研發(fā)人員：陳良鍵,崔澤林,岳大川,蔡世星,李小磊,伍德民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：季華實(shí)驗(yàn)室
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19