1.一種半導(dǎo)體器件的接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一接觸孔刻蝕停止層上形成原始犧牲層包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述原始犧牲層進(jìn)行部分改性處理包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，對所述原始犧牲層中的未被光刻膠覆蓋的部分進(jìn)行改性處理包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，其中所述第一接觸孔刻蝕停止層包括氮化硅層，且所述原始犧牲層包括氧化硅層，對所述原始犧牲層中的未被光刻膠覆蓋的部分進(jìn)行改性處理包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述改性犧牲層和所述第一接觸孔刻蝕停止層進(jìn)行刻蝕包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，對所述回推后的改性犧牲層和所述第一接觸孔刻蝕停止層進(jìn)行刻蝕包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成包含有第二接觸孔刻蝕停止層和層間介電層的目標(biāo)結(jié)構(gòu)包括：
9.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述補償刻蝕停止層是由位于改性犧牲層和每個所述柵極結(jié)構(gòu)頂部之間的第一接觸孔刻蝕停止層形成，且每個所述柵極結(jié)構(gòu)頂部被補償刻蝕停止層覆蓋的區(qū)域?qū)?yīng)的接觸孔刻蝕停止層的膜厚大于所述襯底上的其他區(qū)域?qū)?yīng)的接觸孔刻蝕停止層的膜厚，所述補償刻蝕停止層的關(guān)鍵尺寸小于所述柵極結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸。