技術(shù)編號：40383000
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請一般涉及半導體制造工藝領(lǐng)域。更具體地，本申請涉及一種半導體器件的接觸孔的形成方法及半導體器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、在半導體器件的制備工藝中，層間介電層（interlayer?dielectric，簡稱ild）工藝是指在器件與金屬層之間形成的介質(zhì)材料，以形成電性隔離。而接觸孔工藝是指在ild介質(zhì)層上形成很多細小的垂直通孔，它是晶體管與金屬層的連接通道。現(xiàn)有的接觸孔加工過程中，由于柵極較源漏極存在較大高度差，往往需要設(shè)置接觸孔蝕刻停止層來消除刻蝕負載。其中，接觸孔蝕刻停止層必須具有一定厚度，以...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。