本公開實(shí)施例涉及太陽能電池，特別是涉及一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件。

背景技術(shù)：

1、topcon（tunnel?oxide?passivated?contact，隧穿氧化層鈍化接觸）電池的核心結(jié)構(gòu)由隧穿氧化層和位于隧穿氧化層表面的摻雜多晶硅層組成，隧穿氧化層可以提供高質(zhì)量的化學(xué)鈍化效果，以鈍化襯底表面的缺陷；退火過程中摻雜多晶硅層中的摻雜離子會(huì)向襯底的方向擴(kuò)散，過度的擴(kuò)散會(huì)導(dǎo)致強(qiáng)烈的俄歇復(fù)合，降低隧穿層的鈍化效果，影響太陽能電池的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供了一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件，可以降低退火工藝對(duì)鈍化效果的影響，提高太陽能電池的性能和產(chǎn)品競爭力。

2、一種太陽能電池，包括：

3、基底；

4、隧穿層，位于所述基底的表面；

5、隔離結(jié)構(gòu)，位于所述隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面，所述隔離結(jié)構(gòu)包括沿垂直于所述基底的第一方向交替層疊的硅氧化物層和摻雜緩沖層；

6、第一摻雜層，位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的表面；

7、其中，所述第一摻雜層的摻雜濃度大于所述摻雜緩沖層的摻雜濃度。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的頂層為摻雜緩沖層。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述摻雜緩沖層包括本征層和第二摻雜層中的一種；或者所述緩沖層包括沿所述第一方向?qū)盈B設(shè)置的本征層和第二摻雜層；

10、其中，所述第二摻雜層和所述第一摻雜層的導(dǎo)電類型相同，且所述第二摻雜層的摻雜濃度小于第一摻雜層的摻雜濃度。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)靠近所述基底的底層為至少包括與所述隧穿層遠(yuǎn)離基底的表面鄰接的所述第二摻雜層的摻雜緩沖層。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述硅氧化物層的材料包括二氧化硅。

13、一種太陽能電池的制備方法，包括：

14、提供基底；

15、于所述基底的表面形成隧穿層；

16、于所述隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括沿垂直于所述基底的第一方向交替層疊的硅氧化物層和摻雜緩沖層；

17、于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第一摻雜層；

18、其中，所述第一摻雜層的摻雜濃度大于所述摻雜緩沖層的摻雜濃度。

19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第一摻雜層的步驟，包括：

20、于所述隔離結(jié)構(gòu)頂層的所述摻雜緩沖層的表面形成所述第一摻雜層。

21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述摻雜緩沖層包括本征層和第二摻雜層中的一種；或者所述緩沖層包括沿所述第一方向?qū)盈B設(shè)置的本征層和第二摻雜層；

22、其中，所述第二摻雜層和所述第一摻雜層的導(dǎo)電類型相同，且所述第二摻雜層的摻雜濃度小于第一摻雜層的摻雜濃度。

23、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于所述隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成隔離結(jié)構(gòu)包括：

24、于所述隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成與所述隧穿層鄰接的所述第二摻雜層；

25、其中，所述隔離結(jié)構(gòu)的底層為至少包括與所述隧穿層鄰接的所述第二摻雜層的摻雜緩沖層。

26、一種光伏組件，包括若干如上述的太陽能電池，和/或包括若干采用上述的太陽能電池的制備方法制成的太陽能電池。

27、上述太陽能電池中，第一摻雜層和隧穿層之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)中的摻雜緩沖層的摻雜濃度小于第一摻雜層的摻雜濃度，使得第一摻雜層中的摻雜離子向隧穿層擴(kuò)散之前先擴(kuò)散至摻雜緩沖層中，并且隔離結(jié)構(gòu)中的硅氧化物層可以阻擋第一摻雜層中的摻雜離子向隧穿層和基底的擴(kuò)散，避免對(duì)隧穿層鈍化效果的影響，降低了內(nèi)擴(kuò)的影響，提高了太陽能電池的開路電壓和填充因子，增加了太陽能電池的產(chǎn)品競爭力，擴(kuò)大了激活第一摻雜層中的摻雜離子的退火工藝的工藝窗口，降低了退火工藝匹配對(duì)太陽能電池鈍化性能的影響。

28、上述太陽能電池的制備方法中，在第一摻雜層和隧穿層之間形成有隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)中的摻雜緩沖層的摻雜濃度小于第一摻雜層的摻雜濃度，使得第一摻雜層中的摻雜離子向隧穿層擴(kuò)散之前先擴(kuò)散至摻雜緩沖層中，并且隔離結(jié)構(gòu)中的硅氧化物層可以阻擋第一摻雜層中的摻雜離子向隧穿層和基底的擴(kuò)散，避免對(duì)隧穿層鈍化效果的影響，降低了內(nèi)擴(kuò)的影響，提高了太陽能電池的開路電壓和填充因子，增加了太陽能電池的產(chǎn)品競爭力，擴(kuò)大了激活第一摻雜層中的摻雜離子的退火工藝的工藝窗口，降低了退火工藝匹配對(duì)太陽能電池鈍化性能的影響。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的頂層為摻雜緩沖層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述摻雜緩沖層包括本征層和第二摻雜層中的一種；或者所述緩沖層包括沿所述第一方向?qū)盈B設(shè)置的本征層和第二摻雜層；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)靠近所述基底的底層為至少包括與所述隧穿層遠(yuǎn)離基底的表面鄰接的所述第二摻雜層的摻雜緩沖層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅氧化物層的材料包括二氧化硅。

6.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第一摻雜層的步驟，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述摻雜緩沖層包括本征層和第二摻雜層中的一種；或者所述緩沖層包括沿所述第一方向?qū)盈B設(shè)置的本征層和第二摻雜層；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述于所述隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成隔離結(jié)構(gòu)，包括：

10.一種光伏組件，其特征在于，包括若干如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的太陽能電池，和/或包括若干采用權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制備方法制成的太陽能電池。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件，涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。太陽能電池包括：基底；隧穿層，位于基底的表面；隔離結(jié)構(gòu)，位于隧穿層遠(yuǎn)離基底的表面，隔離結(jié)構(gòu)包括沿垂直于基底的第一方向交替層疊的硅氧化物層和摻雜緩沖層；第一摻雜層，位于隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離基底的表面；其中，第一摻雜層的摻雜濃度大于摻雜緩沖層的摻雜濃度。整體減少擴(kuò)散到隧穿層的摻雜離子，降低了內(nèi)擴(kuò)的影響，提高了太陽能電池的開路電壓和填充因子，增加了太陽能電池的產(chǎn)品競爭力，擴(kuò)大了退火工藝的工藝窗口，降低了退火工藝匹配對(duì)太陽能電池性能的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：伏廣續(xù),卓啟東,陸玉剛,王爽,吳曉鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19