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集成芯片及其形成方法與流程

文檔序號:40389456發(fā)布日期:2024-12-20 12:12閱讀:4來源:國知局
集成芯片及其形成方法與流程

本申請的實(shí)施例涉及集成芯片及其形成方法。


背景技術(shù):

1、現(xiàn)代集成芯片使用廣泛的器件來實(shí)現(xiàn)變化的功能。通常,集成芯片包括有源器件和無源器件。有源器件包括晶體管(例如,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)),而無源器件包括電感器、電容器和電阻器。電阻器廣泛用于許多應(yīng)用中,諸如電阻器-電容器(rc)電路、電源驅(qū)動器、電源放大器、射頻(rf)應(yīng)用等。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的一些實(shí)施例提供了一種集成芯片,包括:薄膜電阻器(tfr)層,位于半導(dǎo)體襯底上面;第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述薄膜電阻器層的外部區(qū)域上,其中,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括與垂直部分相鄰的橫向部分,其中,所述垂直部分的高度大于所述橫向部分的高度;以及覆蓋結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述薄膜電阻器層的中間區(qū)域上,并且鄰接所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所述垂直部分。

2、本申請的另一些實(shí)施例提供了一種集成芯片,包括:第一介電層,位于半導(dǎo)體襯底上面;電阻器結(jié)構(gòu),位于所述第一介電層上面,其中,所述電阻器結(jié)構(gòu)包括薄膜電阻器(tfr)層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對,其中,所述薄膜電阻器層包括在外部區(qū)域?qū)χg延伸的中間區(qū)域,其中,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述外部區(qū)域上面;第二介電層,位于所述薄膜電阻器層上面并且在所述薄膜電阻器層周圍延伸;以及覆蓋結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述薄膜電阻器層的所述中間區(qū)域上并且在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間延伸,其中,所述第二介電層的下表面通過所述覆蓋結(jié)構(gòu)與所述薄膜電阻器層垂直間隔開。

3、本申請的又一些實(shí)施例提供了一種形成集成芯片的方法,包括:在半導(dǎo)體襯底上方形成薄膜電阻器(tfr)層;在所述薄膜電阻器層的中間區(qū)域上方形成覆蓋結(jié)構(gòu);在所述薄膜電阻器層和所述覆蓋結(jié)構(gòu)上方沉積導(dǎo)電層和蝕刻停止層;以及對所述導(dǎo)電層和所述蝕刻停止層實(shí)施第一圖案化工藝,從而在所述薄膜電阻器層的外部區(qū)域上限定導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對,其中,在所述第一圖案化工藝期間,所述覆蓋結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述薄膜電阻器層上。



技術(shù)特征:

1.一種集成芯片,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片,其中,所述覆蓋結(jié)構(gòu)直接接觸所述垂直部分的第一側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成芯片,其中,所述垂直部分的所述第一側(cè)壁包括筆直段上方的彎曲段。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成芯片,其中,所述橫向部分的第二側(cè)壁是彎曲的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成芯片,其中,所述第二側(cè)壁的高度大于所述第一側(cè)壁的所述筆直段的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片,還包括:

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片,其中,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的寬度大于所述薄膜電阻器層的所述中間區(qū)域的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片,其中,所述垂直部分的第一側(cè)壁是筆直的。

9.一種集成芯片,包括:

10.一種形成集成芯片的方法,包括:


技術(shù)總結(jié)
本公開的各個(gè)實(shí)施例針對包括位于半導(dǎo)體襯底上面的薄膜電阻器(TFR)層的集成芯片。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在TFR層的外部區(qū)域上。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括與垂直部分相鄰的橫向部分。垂直部分的高度大于橫向部分的高度。覆蓋結(jié)構(gòu)設(shè)置在TFR層的中間區(qū)域上,并且鄰接第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的垂直部分。本申請的實(shí)施例還涉及集成芯片及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員:郭俊聰,徐鴻文,盧玠甫
受保護(hù)的技術(shù)使用者:臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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