技術編號：40389456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請的實施例涉及集成芯片及其形成方法。背景技術、現(xiàn)代集成芯片使用廣泛的器件來實現(xiàn)變化的功能。通常，集成芯片包括有源器件和無源器件。有源器件包括晶體管(例如，金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosfet))，而無源器件包括電感器、電容器和電阻器。電阻器廣泛用于許多應用中，諸如電阻器-電容器(rc)電路、電源驅(qū)動器、電源放大器、射頻(rf)應用等。技術實現(xiàn)思路、本申請的一些實施例提供了一種集成芯片，包括：薄膜電阻器(tfr)層，位于半導體襯底上面；第一導電結(jié)構(gòu)，設置在所述薄膜電阻器層的外部區(qū)域上...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。