1.一種硅片，其中，在硅片的厚度方向上的氮濃度分布中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其中，所述高氮濃度區(qū)域存在于從所述硅片的背面的最表面至厚度方向15μm為止的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其中，所述硅片的電阻率為30ω·cm以上且10000ω·cm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其中，所述硅片不包含位錯(cuò)簇和cop。
5.一種硅片的制造方法，其包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片的制造方法，其中，從所述高氮濃度層除去工序后的硅片的背面的最表面至厚度方向15μm為止的范圍中的氮濃度的最大值為2×1015個(gè)原子/cm-3以上且1×1016個(gè)原子/cm-3以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片的制造方法，其中，在所述高氮濃度層形成工序中，通過(guò)快速熱氮化處理而形成所述高氮濃度層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片的制造方法，其中，所述高氮濃度層除去工序包含使用雙面研磨裝置同時(shí)研磨所述研磨前硅片的正面和背面的雙面研磨工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片的制造方法，其中，在所述高氮濃度層除去工序中，所述正面的研磨量為10μm以上且12μm以下，所述背面的研磨量為4μm以上且8μm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片的制造方法，其中，所述研磨前硅片是通過(guò)fz法制造的硅片。