本公開涉及供體及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法，并且更具體地，例如但不限于，涉及能夠減少發(fā)光二極管的非接觸缺陷的供體以及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。

背景技術：

1、在用于計算機的監(jiān)視器、電視或移動電話的顯示裝置當中，存在作為自發(fā)光裝置的有機發(fā)光顯示裝置(oled)、等離子體顯示裝置(pdp)、場發(fā)射顯示裝置(fed)、微型led(微型發(fā)光二極管)顯示裝置，以及需要單獨光源(例如，背光單元)的液晶顯示裝置(lcd)。顯示裝置的適用范圍多樣化到個人數(shù)字助理以及計算機的監(jiān)視器和電視，并且正在研究具有大顯示區(qū)域以及減小的體積和重量的顯示裝置。

2、此外，近來，包括發(fā)光二極管(led)的顯示裝置作為下一代顯示裝置正受到關注。由于led由無機材料而不是有機材料形成，因此可靠性優(yōu)異，使得其壽命比液晶顯示裝置或有機發(fā)光顯示裝置的壽命長。此外，led具有快速的點亮速度、優(yōu)異的發(fā)光效率和較強的抗沖擊性，使得穩(wěn)定性優(yōu)異并且可以顯示具有高亮度的圖像。包括led的顯示裝置是通過使用供體(donor)對led進行轉移來制造的。

3、此相關技術部分的描述中提供的描述不應當僅因為它在相關技術部分的描述中提及或與相關技術部分的描述相關聯(lián)而被假設為現(xiàn)有技術。相關技術部分的描述可以包括描述了主題技術的一個或更多個方面的信息。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開要實現(xiàn)的一個目的是提供能夠減少發(fā)光二極管的非接觸缺陷的供體以及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。

2、本公開要實現(xiàn)的另一目的是提供補償樹脂層和多個芯片凸塊的厚度不規(guī)則性的供體以及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。

3、本公開要實現(xiàn)的另一目的是提供容易地將空氣從頭部(head)直接注入到氣囊層的供體以及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。

4、本公開要實現(xiàn)的又一目的是提供選擇性地將空氣注入到氣囊層的多個區(qū)域中的每一個以提高工藝效率的供體以及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。

5、本公開的目的不限于上面提到的目的，并且本領域技術人員能夠從以下描述中清楚地理解上面未提及的其它目的。

6、根據(jù)本公開的一方面，一種供體可以包括：基礎基板；樹脂層，其設置在基礎基板上并且包括多個芯片凸塊；以及氣囊層，其設置在基礎基板和樹脂層之間并且被配置為能夠通過從外部注入的空氣而擴張。因此，使用氣囊層來調整多個芯片凸塊的高度，使得可以在轉移工藝期間去除多個芯片凸塊和多個發(fā)光二極管之間的間隙。

7、根據(jù)本公開的一方面，一種使用供體的發(fā)光二極管的轉移方法可以包括：將頂表面上設置有多個發(fā)光二極管的臨時基板裝載到臺上，并且將供體固定到頭部；通過將頭部移動到臺來接合臨時基板和供體；將空氣注入供體的氣囊層；以及移動頭部以使臨時基板和供體分離。因此，空氣被注入到氣囊層以允許發(fā)光二極管與供體接觸并且最小化或至少減小發(fā)光二極管的非轉移缺陷。

8、示例實施方式的其它詳細內容被包括在詳細描述和附圖中。

9、根據(jù)本公開，在使用供體的多個發(fā)光二極管的轉移工藝中，供體和多個發(fā)光二極管的非接觸缺陷被最小化或至少減小以優(yōu)化轉移工藝。

10、根據(jù)本公開，氣囊層形成在供體中以補償樹脂層和多個芯片凸塊的厚度不規(guī)則性，以最小化或至少減小多個發(fā)光二極管的非轉移缺陷。

11、根據(jù)本公開，在基礎基板中形成孔以將空氣直接注入到氣囊層的一個表面上，由此減小供體的厚度并且簡化空氣注入工藝。

12、根據(jù)本公開，根據(jù)情況將空氣選擇性地注入到氣囊層的多個區(qū)域，以提高發(fā)光二極管的轉移效率。

13、根據(jù)本公開的效果不限于以上示例的內容，并且在本說明書中包括更多的各種效果。

14、附加的特征和方面將部分在以下的描述中闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過本文提供的發(fā)明構思的實踐來獲知。發(fā)明構思的其它特征和方面將通過在書面描述中指出的結構或可從其導出的結構以及所附權利要求和附圖來實現(xiàn)和獲得。

15、要理解的是，前述一般描述和以下詳細描述二者都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對所要求保護的發(fā)明構思的進一步解釋。

技術特征：

1.一種供體，所述供體包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的供體，其中，所述氣囊層被配置為擴張并且在從所述基礎基板的底部到所述基礎基板的頂部的方向上推動所述樹脂層和所述多個芯片凸塊。

3.根據(jù)權利要求1所述的供體，其中，所述氣囊層包括：

4.根據(jù)權利要求3所述的供體，其中，所述緩沖單元包括覆蓋所述沖孔板的兩個表面的頂表面部分和底表面部分。

5.根據(jù)權利要求4所述的供體，其中，所述緩沖單元還包括進氣口，并且

6.根據(jù)權利要求3所述的供體，其中，所述沖孔板與所述基礎基板的頂表面接觸，并且所述緩沖單元在覆蓋所述沖孔板的同時連接到所述基礎基板的所述頂表面。

7.根據(jù)權利要求6所述的供體，其中，所述基礎基板包括多個注入孔，所述多個注入孔與所述沖孔板的所述多個孔中的至少一些孔交疊。

8.根據(jù)權利要求7所述的供體，所述供體還包括：

9.根據(jù)權利要求3所述的供體，其中，所述氣囊層包括多個區(qū)域，所述沖孔板包括與所述多個區(qū)域相對應的多個沖孔板，并且所述緩沖單元的一個表面在所述多個區(qū)域的邊界處連接到所述緩沖單元的另一表面或者所述基礎基板的一個表面中的任一者。

10.根據(jù)權利要求3所述的供體，其中，氟涂層形成在所述沖孔板的一個或更多個表面上。

11.根據(jù)權利要求1所述的供體，所述供體還包括粘合層，所述粘合層設置在所述氣囊層與所述基礎基板之間并且設置在所述氣囊層與所述樹脂層之間。

12.根據(jù)權利要求1所述的供體，其中，所述樹脂層包括有效區(qū)域和與所述有效區(qū)域相鄰的無效區(qū)域，并且

13.一種使用供體的發(fā)光二極管的轉移方法，所述轉移方法包括以下步驟：

14.根據(jù)權利要求13所述的轉移方法，其中，將空氣注入到所述供體的所述氣囊層的步驟包括向所述氣囊層注入空氣并且使所述氣囊層擴張來將所述供體的多個芯片凸塊朝向所述多個發(fā)光二極管推動。

15.根據(jù)權利要求14所述的轉移方法，其中，在使所述臨時基板和所述供體接合的步驟中，所述多個芯片凸塊中的至少一些芯片凸塊與所述多個發(fā)光二極管具有間隙，并且在將空氣注入到氣囊層的步驟中，所述多個芯片凸塊中的所述至少一些芯片凸塊與所述多個發(fā)光二極管接觸。

16.根據(jù)權利要求14所述的轉移方法，其中，所述氣囊層包括獨立地注入空氣的多個區(qū)域。

17.根據(jù)權利要求16所述的轉移方法，其中，將空氣注入到所述供體的所述氣囊層的步驟包括將空氣注入到所述多個區(qū)域中的僅一些區(qū)域。

18.根據(jù)權利要求16所述的轉移方法，其中，將空氣注入到所述供體的所述氣囊層的步驟包括順序地將空氣注入到所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域。

19.根據(jù)權利要求16所述的轉移方法，其中，將空氣注入到所述供體的所述氣囊層的步驟包括將不同量的空氣注入到所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域。

20.一種使用供體的發(fā)光二極管的轉移方法，所述轉移方法包括以下步驟：

技術總結
本申請涉及供體及使用其的發(fā)光二極管的轉移方法。根據(jù)本公開的一方面，一種供體可以包括：基礎基板；樹脂層，其設置在基礎基板上并且包括多個芯片凸塊；以及氣囊層，其設置在基礎基板和樹脂層之間并且被配置為能夠通過從外部注入的空氣而擴張。因此，使用氣囊層來調整多個芯片凸塊的高度，使得可以在轉移工藝期間去除多個芯片凸塊和多個發(fā)光二極管之間的間隙。

技術研發(fā)人員：李壽昍,樸賢敏
受保護的技術使用者：樂金顯示有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19