技術(shù)編號(hào):40398022
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅片和其制造方法。背景技術(shù)、近年來(lái),作為用于電力用途的開(kāi)關(guān)裝置,正在積極開(kāi)發(fā)晶閘管、雙極晶體管、mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor)、絕緣柵雙極晶體管(igbt:insulated?gate?bipolar?transistor)等。其中,igbt是兼具mosfet的高速性和雙極晶體管的低飽和電壓特性的裝置,在如混合動(dòng)力車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力馬達(dá)用電源這樣的、要求大容量、高耐壓、高速開(kāi)關(guān)的用途中備受關(guān)注。、i...
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