1.一種平面柵超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：包括：
N+型襯底(1)；
N-型外延層(2)，所述N-型外延層(2)位于所述N+型襯底(1)的上表面；
P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)，所述N-型外延層(2)兩側(cè)自頂部向下形成所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)，所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)的底部浮空，兩側(cè)所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)之間形成深槽Trench結(jié)構(gòu)；
P型體區(qū)(4)，所述P型體區(qū)(4)引入到所述深槽Trench結(jié)構(gòu)內(nèi)部并與兩側(cè)所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)分離開；
N+型源區(qū)(5)，所述P型體區(qū)(4)頂部形成所述N+型源區(qū)(5)；
柵氧化層(6)，位于所述P型體區(qū)(4)、N+型源區(qū)(5)、N-型外延層(2)和P型柱深槽結(jié)構(gòu)(3)的上表面；
多晶硅柵極(7)，所述多晶硅柵極(7)為兩個，且分別位于所述柵氧化層(6)的上表面的兩側(cè)，所述多晶硅柵極(7)作為MOSFET器件的柵極；
源極金屬(8)，位于所述多晶硅柵極(7)和柵氧化層(6)的上方，部分所述源極金屬(8)向下延伸，經(jīng)過所述柵氧化層(6)和N+型源區(qū)(5)延伸至P型體區(qū)(4)內(nèi)，所述源極金屬(8)與P型體區(qū)(4)和N+型源區(qū)(5)連接形成MOSFET器件的源極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面柵超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：所述源極金屬(8)與兩個所述多晶硅柵極(7)之間由介質(zhì)層(9)隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面柵超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：所述N+型襯底(1)背面淀積漏極金屬形成MOSFET器件的漏極。