本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種臺(tái)面型半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

在以往的臺(tái)面型(Mesa型)半導(dǎo)體器件中，已知的以下幾種形成鈍化層及金屬層的方法，如刀刮法、電泳法、光阻玻璃法、CVD等，均采用將完成PN結(jié)制作的晶片腐蝕出窄槽，在槽璧上涂布或燒結(jié)玻璃等單層或者多層絕緣膜形成鈍化層，然后在半導(dǎo)體層的表面上制作電極。玻璃屬于一種脆性材料，這些方法形成的玻璃厚度大多不均勻，且后續(xù)切割成單顆芯片時(shí)，玻璃層是脆性材料在切割斷面處易產(chǎn)生微裂紋；以往臺(tái)面型半導(dǎo)體器件的玻璃鈍化層位于芯片的最外側(cè)，易受到碰撞等損傷，也會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生微裂紋。這些裂紋在使用中會(huì)逐漸擴(kuò)展，從而影響到PN結(jié)乃至整個(gè)芯片，導(dǎo)致器件壽命降低或很快失效。另外，之后利用電鍍法等形成金屬層時(shí)，易在鈍化層上附著金屬，因鈍化層都較薄，影響PN結(jié)的電場(chǎng)分布和器件的耐ESD能力，降低了器件的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種高性能、高可靠性、和使用壽命長(zhǎng)的臺(tái)面型半導(dǎo)體器件。

本實(shí)用新型解決現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案：一種臺(tái)面型半導(dǎo)體器件，包括N+型半導(dǎo)體襯底；N型半導(dǎo)體層，接合于所述N+型半導(dǎo)體襯底的表面；P+型半導(dǎo)體層，接合于所述N型半導(dǎo)體層的表面，與所述N型半導(dǎo)體層共同形成PN接合部；第一溝槽，從所述P+型半導(dǎo)體層的表面到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層中；鈍化層，填充于所述第一溝槽內(nèi)；第二溝槽，位于相鄰的兩個(gè)第一溝槽之間；鈍化薄膜，設(shè)在第二溝槽的表面；金屬層，形成在所述P+型半導(dǎo)體層和N+型半導(dǎo)體襯底的表面。

進(jìn)一步地，所述鈍化薄膜延伸到所述第一溝槽的鈍化層上。

進(jìn)一步地，所述鈍化層由SiO2、Si3N4、SIPOS、SiC、聚酰亞胺、玻璃中的一種或多種材料固化制作形成。

進(jìn)一步地，第二溝槽的深度超過(guò)第一溝槽的深度，第一溝槽的寬度為350μm-450μm，深度為35μm-45μm。

進(jìn)一步地，該鈍化薄膜為SiO2或者聚酰亞胺薄膜。

采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有以下的有益效果：

(1)本實(shí)用新型的鈍化層均勻且厚，可以很好的阻隔開(kāi)外界雜質(zhì)，從而可以獲得最佳的鈍化性能。

(2)本實(shí)用新型可以形成較深的溝槽，即使PN接合部耗盡層增寬時(shí)也不會(huì)暴露到芯片截?cái)嗝?，從而?shí)現(xiàn)器件的更高耐壓。

(3)本實(shí)用新型的切斷面不含有脆性材質(zhì)，能夠抑制破裂、微裂紋的產(chǎn)生，且切斷面與半導(dǎo)體結(jié)面距離較遠(yuǎn)，有效降低了切斷面的影響，有效實(shí)現(xiàn)了臺(tái)面型半導(dǎo)體器件的高性能、高可靠性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是表示本實(shí)用新型臺(tái)面型半導(dǎo)體器件的剖視圖。

圖中：1、N+型半導(dǎo)體襯底，2、N型半導(dǎo)體層，3、P+型半導(dǎo)體層，4、PN接合部，5、第一溝槽，6、第二溝槽，7、鈍化薄膜，8、金屬層，9、掩膜。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示的一種臺(tái)面型半導(dǎo)體器件，包括N+型半導(dǎo)體襯底1；N型半導(dǎo)體層2，接合于所述N+型半導(dǎo)體襯底1的表面；P+型半導(dǎo)體層3，接合于所述N型半導(dǎo)體層2的表面，與所述N型半導(dǎo)體層2共同形成PN接合部4；第一溝槽5，從所述P+型半導(dǎo)體層3的表面到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層2中；鈍化層，填充于所述第一溝槽5內(nèi)；第二溝槽6，位于相鄰的兩個(gè)第一溝槽5之間；鈍化薄膜7，設(shè)在所述第二溝槽6的表面；金屬層8，形成在所述P+型半導(dǎo)體層3和N+型半導(dǎo)體襯底1的表面。

具體地，第二溝槽6的深度超過(guò)第一溝槽5的深度，第一溝槽5的寬度為350μm-450μm，深度為35μm-45μm。第一溝槽5的寬深比大，底部平坦，填充的鈍化層完全填滿(mǎn)第一溝槽5。

具體地，該鈍化層由SiO2、Si3N4、SIPOS、SiC、聚酰亞胺、玻璃等中的一種或多種材料固化制作形成。

具體地，該鈍化薄膜7為SiO2或者聚酰亞胺薄膜。

在上述的實(shí)施方式中，以作為臺(tái)面型半導(dǎo)體器件的PN結(jié)二極管為例說(shuō)明了本實(shí)用新型，但本實(shí)用新型并不受此限制。例如，本實(shí)用新型可適用于除PN結(jié)二極管外的二極管(例如：肖特基二極管、觸發(fā)二極管、PIN二極管等)、晶體管(三極管、MOSFET、IGBT等)、可控硅以及其它半導(dǎo)體器件。鈍化層的材質(zhì)僅需考慮作為半導(dǎo)體鈍化作用的要求，而不必考慮后續(xù)切割的影響。鈍化層均勻且厚，可以很好的阻隔開(kāi)外界雜質(zhì)，從而可以獲得最佳的鈍化性能。此外，最終可以形成較深的溝槽，即使PN接合部耗盡層增寬時(shí)也不會(huì)暴露到芯片截?cái)嗝?，可以?shí)現(xiàn)器件的更高耐壓。器件的切斷面不在含有脆性材質(zhì)，能夠抑制破裂、微裂紋的產(chǎn)生，且切斷面與半導(dǎo)體結(jié)面距離較遠(yuǎn)，有效降低了切斷面的影響，這些措施有效實(shí)現(xiàn)了臺(tái)面型半導(dǎo)體器件的高性能、高可靠性。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。