本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種平面柵超結(jié)MOSFET器件。

背景技術(shù)：

目前現(xiàn)有的普通VDMOS器件如圖1所示，包括N+型襯底1’(N+sub)、N-型外延層2’(N-epi)、柵氧化層3’、多晶硅柵極4’(Poly Gate)、P型體區(qū)5’(Pbody)，普通VDMOS想要提高耐壓，需要更高電阻率、更厚的N-epi，但這樣會(huì)極大的增加導(dǎo)通電阻。

現(xiàn)有的平面柵超結(jié)MOS器件如圖2所示，包括N+型襯底1”、N-型外延層2”(N-epi)、P型柱深槽結(jié)構(gòu)3”(P pillar trench)、柵氧化層4”、多晶硅柵極5”(Poly Gate)、P型體區(qū)6”(Pbody)；通過在器件內(nèi)部引入深槽Trench結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)橫向的P型柱/N-型外延層耗盡，這樣可以在很低電阻率的N-型外延層下，就實(shí)現(xiàn)很高耐壓，并降低導(dǎo)通電阻，但是由于深槽Trench結(jié)構(gòu)的引入，增大了寄生電容，影響開關(guān)特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有的平面柵超結(jié)MOS器件寄生電容大且開關(guān)特性差的缺陷，提供一種平面柵超結(jié)MOSFET器件，可減小低電壓下的輸出電容，讓電容曲線變得平緩，改善開關(guān)特性。

為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，所采用的技術(shù)方案是：

本實(shí)用新型的平面柵超結(jié)MOSFET器件包括：

N+型襯底；

N-型外延層，所述N-型外延層位于所述N+型襯底的上表面；

P型柱深槽結(jié)構(gòu)，所述N-型外延層兩側(cè)自頂部向下形成所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)，所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)的底部浮空，兩側(cè)所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)之間形成深槽Trench結(jié)構(gòu)；

P型體區(qū)，所述P型體區(qū)引入到所述深槽Trench結(jié)構(gòu)內(nèi)部并與兩側(cè)所述P型柱深槽結(jié)構(gòu)分離開；

N+型源區(qū)，所述P型體區(qū)頂部形成所述N+型源區(qū)；

柵氧化層，位于所述P型體區(qū)、N+型源區(qū)、N-型外延層和P型柱深槽結(jié)構(gòu)的上表面；

多晶硅柵極，所述多晶硅柵極為兩個(gè)，且分別位于所述柵氧化層的上表面的兩側(cè)，所述多晶硅柵極作為MOSFET器件的柵極；

源極金屬，位于所述多晶硅柵極和柵氧化層的上方，部分所述源極金屬向下延伸，經(jīng)過所述柵氧化層和N+型源區(qū)延伸至P型體區(qū)內(nèi)，所述源極金屬與P型體區(qū)和N+型源區(qū)連接形成MOSFET器件的源極。

本實(shí)用新型所述源極金屬與兩個(gè)所述多晶硅柵極之間由介質(zhì)層隔離。

本實(shí)用新型所述N+型襯底背面淀積漏極金屬形成MOSFET器件的漏極。

本實(shí)用新型的平面柵超結(jié)MOSFET器件的有益效果是：本實(shí)用新型的平面柵超結(jié)MOSFET器件采用P型體區(qū)(Pbody)與P型柱深槽結(jié)構(gòu)(P-pillar trench)分離的結(jié)構(gòu)，P型柱深槽結(jié)構(gòu)(P-pillar trench)浮空，P型體區(qū)(Pbody)注入在深槽Trench結(jié)構(gòu)中間，該結(jié)構(gòu)保留了超結(jié)MOSFET器件橫向擴(kuò)散高耐壓的特點(diǎn)，又因?yàn)镻型體區(qū)(Pbody)與P型柱深槽結(jié)構(gòu)(P-pillar trench)分離，減小了低電壓下的Coss，讓電容曲線變得平緩，改善開關(guān)特性。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1是現(xiàn)有的VDMOS器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有的平面柵超結(jié)MOSFET器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)施例的平面柵超結(jié)MOSFET器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：N+型襯底1、N-型外延層2、P型柱深槽結(jié)構(gòu)3、P型體區(qū)4、N+型源區(qū)5、柵氧化層6、多晶硅柵極7、源極金屬8、介質(zhì)層9。

具體實(shí)施方式

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“徑向”、“軸向”、“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。在本實(shí)用新型的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。

在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“設(shè)置”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

如圖3所示，本實(shí)施例的平面柵超結(jié)MOSFET器件包括N+型襯底1、N-型外延層2、P型柱深槽結(jié)構(gòu)3、P型體區(qū)4、N+型源區(qū)5、柵氧化層6、多晶硅柵極7和源極金屬8。其中，N-型外延層2位于N+型襯底1的上表面，N-型外延層2兩側(cè)自頂部向下形成P型柱深槽結(jié)構(gòu)3，P型柱深槽結(jié)構(gòu)3的底部浮空，兩側(cè)P型柱深槽結(jié)構(gòu)3之間形成深槽Trench結(jié)構(gòu)，深槽Trench結(jié)構(gòu)內(nèi)部引入P型體區(qū)4，P型體區(qū)4與兩側(cè)P型柱深槽結(jié)構(gòu)3分離開，P型體區(qū)4頂部形成N+型源區(qū)5，P型體區(qū)4、N+型源區(qū)5、N-型外延層2和P型柱深槽結(jié)構(gòu)3的上表面設(shè)有柵氧化層6，柵氧化層6上設(shè)有多晶硅柵極7，多晶硅柵極7為兩個(gè)，且分別位于柵氧化層6的上表面的兩側(cè)，多晶硅柵極7作為MOSFET器件的柵極。

本實(shí)施例的多晶硅柵極7和柵氧化層6的上方設(shè)有源極金屬8，部分源極金屬8向下延伸，經(jīng)過柵氧化層6和N+型源區(qū)5延伸至P型體區(qū)4內(nèi)，源極金屬8與P型體區(qū)4和N+型源區(qū)5連接形成MOSFET器件的源極，源極金屬8與兩個(gè)多晶硅柵極7之間由介質(zhì)層9隔離。

本實(shí)施例的N+型襯底1背面淀積漏極金屬形成MOSFET器件的漏極。

本實(shí)施例的的平面柵超結(jié)MOSFET器件采用P型體區(qū)4(Pbody)與P型柱深槽結(jié)構(gòu)3(P-pillar trench)分離的結(jié)構(gòu)，P型柱深槽結(jié)構(gòu)3(P-pillar trench)浮空，P型體區(qū)4(Pbody)注入在深槽Trench結(jié)構(gòu)中間，該結(jié)構(gòu)保留了超結(jié)MOSFET器件橫向擴(kuò)散高耐壓的特點(diǎn)，又因?yàn)镻型體區(qū)4(Pbody)與P型柱深槽結(jié)構(gòu)3(P-pillar trench)分離，減小了低電壓下的Coss，讓電容曲線變得平緩，改善開關(guān)特性。

應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。