技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供了一種高亮度LED芯片結(jié)構(gòu)，該高亮度LED芯片結(jié)構(gòu)在厚度方向依次包括襯底、緩沖層、N?GaN層、量子阱層及P?GaN層，N?GaN層為包括上臺(tái)階部和下臺(tái)階部的臺(tái)階型結(jié)構(gòu)，量子阱層及P?GaN層依次設(shè)置在上臺(tái)階部上方，下臺(tái)階部的N?GaN上直接設(shè)置有N區(qū)圍壩結(jié)構(gòu)，其中N區(qū)圍壩結(jié)構(gòu)中間區(qū)域設(shè)置有N電極、P?GaN層上設(shè)置有P電極，N區(qū)圍壩結(jié)構(gòu)為一端由N?GaN層的下臺(tái)階部封閉的空心的柱體狀，且在其朝向P電極的一側(cè)不留缺口或留有用于電流流出的缺口，圍壩結(jié)構(gòu)高度為0.7um～5um，且大于等于其所包圍的N電極高度，N區(qū)圍壩結(jié)構(gòu)為含GaN的結(jié)構(gòu)，其寬度為4um～40um。本實(shí)用新型的LED芯片增加了N區(qū)圍壩結(jié)構(gòu)，有利于提高芯片亮度，同時(shí)不會(huì)出現(xiàn)由于LED芯片擠金現(xiàn)象而造成的安全問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：周智斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201720311338
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.10.17