本實(shí)用新型涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大功率GaN基LED芯片技術(shù)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(即LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化成光能的一種半導(dǎo)體器件，是新一代光源。LED具有體積小、耗電量低、使用壽命長(zhǎng)、發(fā)光效率高、發(fā)熱量低、環(huán)保節(jié)能、堅(jiān)固耐用等諸多優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊。目前，LED已在背光源、交通燈、在屏幕顯示、汽車、裝飾照明等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，并隨著技術(shù)的不斷的發(fā)展與成熟，LED將有望成為第四代照明光源。而氮化鎵(GaN)及其化合物是繼鍺(Ge)、硅(Si)和砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)之后重要的第三代半導(dǎo)體材料，基于GaN基的LED的發(fā)展目前被公認(rèn)為是光電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的重大成就，是發(fā)展固態(tài)照明、實(shí)現(xiàn)人類照明革命性的光源，具有十分廣闊的應(yīng)用前景。

目前，GaN基LED芯片是電光轉(zhuǎn)換效率及出光率還需要進(jìn)一步提高，如何系統(tǒng)地設(shè)計(jì)一個(gè)性能良好的大功率LED芯片是一個(gè)很有價(jià)值的研究課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決以上的問題，本實(shí)用新型提供一種大功率GaN基LED芯片。

本實(shí)用新型公開了一種大功率GaN基LED芯片，包括襯底、在所述的襯底上依次設(shè)置N型GaN層、量子阱層、P型GaN層，在所述的P型GaN層上方設(shè)置電流擴(kuò)散層，在所述的電流擴(kuò)散層上設(shè)置埋覆層，在所述的埋覆層上方設(shè)置電流阻擋層，在所述的電流阻擋層上方設(shè)置PAD電極。

進(jìn)一步地，所述的埋覆層為金屬導(dǎo)電薄膜層，厚度為2000A～3000A。

進(jìn)一步地，所述的電流阻擋層為二氧化硅涂覆層。

實(shí)施本實(shí)用新型的一種大功率GaN基LED芯片，具有以下有益的技術(shù)效果：

實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)方案的一種大功率GaN基LED芯片，提高了LED芯片整體出光效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例一種大功率GaN基LED芯片的剖面圖；

圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例一種大功率GaN基LED芯片的PAD電極結(jié)構(gòu)的局部放大圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例一種大功率GaN基LED芯片的剖面圖

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1、圖2，本實(shí)用新型的實(shí)施例，一種大功率GaN基LED芯片100，包括襯底8、在襯底8上依次設(shè)置的N型GaN層7、量子阱層6、P型GaN層1，P型GaN層1上方為電流擴(kuò)散層2，電流擴(kuò)散層2上設(shè)置埋覆層3，埋覆層3上方設(shè)置電流阻擋層4，在電流阻擋層4上方設(shè)置PAD電極5。

埋覆層3為金屬導(dǎo)電薄膜層，其厚度為2000A～3000A。

電流阻擋層4為二氧化硅涂覆層。

下面進(jìn)一步說明如下：

請(qǐng)參閱圖3，較之于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提出的一種大功率GaN基LED芯片技術(shù)方案，是在晶體表面鍍一層鏡面鋁的薄膜(埋覆層)，然后鋁的薄膜(埋覆層)上加鍍二氧化硅來進(jìn)行電流阻擋，最后在二氧化硅上做上PAD電極，這樣既能把電極下方的電流擴(kuò)展開，同時(shí)鏡面鋁的薄膜(埋覆層)對(duì)發(fā)光形成反射，讓光在電極和晶體表面之間，震蕩后從側(cè)面出光，以提升整體的出光效率。

經(jīng)實(shí)踐證實(shí)，本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于：

在晶體表面鍍一層鏡面鋁的薄膜(埋覆層)，鏡面鋁的薄膜(埋覆層)對(duì)發(fā)光形成反射，讓光在PAD電極和晶體表面之間，震蕩后從側(cè)面出光，以提升整體的出光效率。

實(shí)施本實(shí)用新型的一種大功率GaN基LED芯片，具有以下有益的技術(shù)效果：

實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)方案的一種大功率GaN基LED芯片，提高了LED芯片整體出光效率。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。