本實(shí)用新型涉及顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種AMOLED顯示器件。

背景技術(shù)：

在平板顯示技術(shù)中，主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）顯示器件以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器（LCD）之后的第三代顯示技術(shù)，可以廣泛用于智能手機(jī)、平板電腦、電視、VR/AR（虛擬現(xiàn)實(shí)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)）及軍用頭盔顯示器等終端產(chǎn)品。AMOLED的彩色化方法主要有采用紅、綠、藍(lán)（R、G、B）發(fā)光材料直接得到對(duì)應(yīng)的三基色子像素（這里稱(chēng)之為RGB直接法）和采用“白光+彩色濾光膜”（W+CF）得到三基色子像素（這里稱(chēng)之為W+CF法）兩種方式； AMOLED的彩色化像素圖案的制造方法也主要有兩種：一是采用精細(xì)金屬掩模板（MASK）真空蒸鍍有機(jī)發(fā)光材料直接形成彩色化像素圖案（這里稱(chēng)之為掩模板法），二是首先制造出白光OLED器件，然后再在其上覆蓋彩色濾光膜形成彩色化像素圖案（這里稱(chēng)之為濾光膜法）。但無(wú)論采用上述現(xiàn)有技術(shù)的哪一種組合方案，均難以在生產(chǎn)大尺寸、高解析度AMOLED顯示器件和提高量產(chǎn)良率、改善顯示性能等諸要素方面得到較好的的解決方案，此為行業(yè)目前面臨的共性技術(shù)難題。比如，目前廣泛采用的RGB直接法、用掩模板法制備RGB條狀排列像素圖案的技術(shù)方案，雖然能得到很好的顯示性能，但由于MASK對(duì)位精度、MASK陰影、MASK變形等因素將嚴(yán)重影響形成精準(zhǔn)的彩色化像素圖案，因此難以提高生產(chǎn)良率且很難生產(chǎn)解析度在300ppi以上或在6代線(xiàn)以上生產(chǎn)大尺寸AMOLED顯示屏；在此基礎(chǔ)上，出現(xiàn)一種PenTile RGB像素排列結(jié)構(gòu)，雖然可以將解析度提高到600ppi，但依然不能解決生產(chǎn)高世代、大尺寸AMOLED的難題，且PenTile RGB像素排列存在圖像串?dāng)_加重、莫爾效應(yīng)明顯、斜線(xiàn)鋸齒惡化及需特別的驅(qū)動(dòng)方法等新問(wèn)題；采用RGB條狀排列的W+CF的濾光膜法，雖然可以生產(chǎn)更高解析度和高世代、大尺寸的AMOLED，但由于濾光膜對(duì)色光的衰減，AMOLED的亮度、色彩、功耗等性能被大大降低；采用WRGB像素排列的W+CF的濾光膜法，雖然顯示性能有所改善但仍不及RGB直接法，且仍難以生產(chǎn)用于VR/AR及頭盔顯示器等對(duì)解析度要求高達(dá)4000ppi以上的微顯示AMOLED器件。為此，我們提出一種AMOLED顯示器件及其制造方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種AMOLED顯示器件及其制造方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)有的技術(shù)無(wú)法解決生產(chǎn)大尺寸、高解析度AMOLED顯示器件，而且產(chǎn)品的產(chǎn)量率低，顯示性能不好的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種AMOLED顯示器件，該AMOLED顯示器件的發(fā)光像素單元呈矩陣排列，且每個(gè)發(fā)光像素單元包括白色子像素單元W、紅色子像素單元R、綠色子像素單元G和藍(lán)色子像素單元B，所述白色子像素單元W、紅色子像素單元R、綠色子像素單元G和藍(lán)色子像素單元B呈矩形排列，且上下左右相鄰像素的同色子像素每四個(gè)呈“田”字形集中排列成一個(gè)組合。

優(yōu)選的，每相鄰兩行像素單元的子像素單元以該兩行像素單元的中心線(xiàn)為軸心對(duì)稱(chēng)排列，且每相鄰兩列像素單元的子像素單元以該兩列像素單元的中心線(xiàn)為軸心也對(duì)稱(chēng)排列。

優(yōu)選的，上下左右相鄰像素單元的同色子像素單元每四組呈“田”字形集中排列成一個(gè)組合。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型提供了一種每個(gè)像素包括WRGB四個(gè)子像素且上下左右相鄰像素的同色子像素每四個(gè)集中排列成一個(gè)組合的像素排列結(jié)構(gòu)及其彩色化方法和彩色化像素圖案的制造方法，由于W子像素的引入，有利于提高相比WOLED+CF技術(shù)的RGB條狀排列結(jié)構(gòu)的AMOLED顯示器件的亮度，降低功耗，延長(zhǎng)壽命；更重要的是，對(duì)無(wú)論是W+CF的濾光膜制備方法還是精細(xì)金屬掩模板制備方法，本實(shí)用新型能夠基于業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備和制程工藝制備更高解析度的AMOLED顯示器件或更高世代線(xiàn)的大尺寸AMOLED顯示器件，或者，在解析度相同的情況下，可以降低對(duì)設(shè)備及制程工藝的要求，有利于提高量產(chǎn)良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型制備AMOLED彩色化像素圖案的MASK示意圖；

圖3為本實(shí)用新型用MASK制備AMOLED彩色化像素圖案的流程；

圖中：1白色子像素單元W、2紅色子像素單元R、3綠色子像素單元G、4藍(lán)色子像素單元B。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，一種AMOLED顯示器件，該AMOLED顯示器件由發(fā)光像素單元呈矩陣排列，且每個(gè)發(fā)光像素單元包括白色子像素單元W1、紅色子像素單元R2、綠色子像素單元G3和藍(lán)色子像素單元B4，所述白色子像素單元W1、紅色子像素單元R2、綠色子像素單元G3和藍(lán)色子像素單元B4呈矩形排列，且上下左右相鄰像素的同色子像素每四個(gè)呈“田”字形集中排列成一個(gè)組合，每相鄰兩行像素單元的子像素單元以該兩行像素單元的中心線(xiàn)為軸心對(duì)稱(chēng)排列，且每相鄰兩列像素單元的子像素單元以該兩列像素單元的中心線(xiàn)為軸心也對(duì)稱(chēng)排列，上下左右相鄰像素單元的同色子像素單元每四組呈“田”字形集中排列成一個(gè)組合。

請(qǐng)參閱圖1-3，本實(shí)用新型還提供一種AMOLED顯示器件的制備方法。

實(shí)施例1

一種AMOLED顯示器件的制備方法，該AMOLED顯示器件的制備方法包括如下步驟：

S1：制備AMOLED顯示器件的彩色化像素圖案的MASK：在MASK1開(kāi)矩形開(kāi)孔，每個(gè)開(kāi)孔分別對(duì)應(yīng)一組同色的四個(gè)子像素單元，開(kāi)孔的長(zhǎng)度和寬度與對(duì)應(yīng)的像素的長(zhǎng)度和寬度相同，每相鄰兩組開(kāi)孔之間的水平間距和垂直間距分別等于一個(gè)像素單元的長(zhǎng)度和寬度，在像素單元為正方形時(shí)，開(kāi)孔的長(zhǎng)度和寬度相等，在MASK2上開(kāi)長(zhǎng)方形孔，每個(gè)開(kāi)孔分別對(duì)應(yīng)相鄰兩行同色的子像素單元，開(kāi)孔長(zhǎng)度為整張MASK2的長(zhǎng)度，開(kāi)孔寬度等于一個(gè)像素單元的寬度，開(kāi)孔間距也等于一個(gè)像素單元的寬度，在MASK3上開(kāi)長(zhǎng)方形孔，開(kāi)孔垂直方向的長(zhǎng)度為MASK3的垂直長(zhǎng)度相同，每個(gè)開(kāi)孔分別對(duì)應(yīng)相鄰兩列同色的子像素單元；

S2：對(duì)白色子像素由黃色（Y）發(fā)光材料和藍(lán)色（B）發(fā)光材料混合發(fā)光的AMOLED顯示器件，采用MASK1依次蒸鍍紅色（R）、綠色（G）和黃色（Y）三種發(fā)光材料，用MASK2蒸鍍藍(lán)色（B）發(fā)光材料，對(duì)白色子像素由紅色（R）、綠色（G）和藍(lán)色（B）發(fā)光材料混合發(fā)光的AMOLED顯示器件，采用MASK2蒸鍍藍(lán)色（B）發(fā)光材料，用MASK3蒸鍍綠色（G）發(fā)光材料，用MASK1分別兩次蒸鍍紅色（R）發(fā)光材料，其中一次蒸鍍像素的紅色子像素，另一次蒸鍍像素的白色子像素中的紅色發(fā)光材料；

S3：當(dāng)蒸鍍某種顏色的子像素時(shí)（以紅色為例），使MASK開(kāi)孔正對(duì)紅色子像素，而綠、藍(lán)子像素被MASK遮擋，這樣從坩鍋蒸發(fā)出的紅色發(fā)光材料就可以精確地只沉積在紅色子像素區(qū)，紅色發(fā)光材料蒸鍍完成后，再用另一張MASK并使其開(kāi)孔對(duì)準(zhǔn)另一顏色的子像素，以此類(lèi)推完成所有發(fā)光材料的蒸鍍，從而形成彩色化像素圖案。

采用本實(shí)用新型所述像素排列結(jié)構(gòu)及彩色化像素圖案制備方法，上述三種MASK的最小開(kāi)孔尺寸和最小開(kāi)孔間距均為一個(gè)像素的寬度，其中最小開(kāi)孔尺寸相當(dāng)于RGB條狀排列結(jié)構(gòu)所用MASK最小開(kāi)孔尺寸的3倍，最小開(kāi)孔間距相當(dāng)于RGB條狀排列結(jié)構(gòu)所用MASK最小開(kāi)孔間距的1.5倍。眾所周知，MASK開(kāi)孔尺寸和開(kāi)孔間距越大，MASK加工越容易，蒸鍍有機(jī)材料時(shí)對(duì)MASK對(duì)位精度的要求及MASK陰影的影響也越小，且MASK越不易變形，這是本實(shí)用新型能夠基于業(yè)內(nèi)成熟的MASK蒸鍍技術(shù)制備高解析度或大尺寸AMOLED顯示器件的彩色化像素圖案的關(guān)鍵；反之，在解析度或顯示器件尺寸相同的情況下，本實(shí)用新型可以降低對(duì)生產(chǎn)設(shè)備和制程工藝的要求，可以顯著提高量產(chǎn)良率。以解析度為500ppi的AMOLED顯示器件為例，采用傳統(tǒng)的RGB條狀排列，所需蒸鍍MASK的最小開(kāi)孔尺寸僅約17um，開(kāi)孔間距約34um，現(xiàn)有MASK蒸鍍技術(shù)極難生產(chǎn)這種高解析度的AMOLED顯示器件，而采用本實(shí)用新型所述像素排列結(jié)構(gòu)及彩色化像素圖案制備方法，MASK的最小開(kāi)孔尺寸和開(kāi)孔間距均約51um，完全能用現(xiàn)有MASK蒸鍍技術(shù)生產(chǎn)并達(dá)到較高的良率要求。

實(shí)施例2

一種AMOLED顯示器件的制備方法，采用W+CF的濾光膜法制備所述AMOLED顯示器件的彩色化像素圖案的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，即：首先制備白光OLED（WOLED）發(fā)光元件，然后在WOLED元件上制備彩色濾光膜（CF）。鑒于所述制備方法是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員都應(yīng)該理解的，因此在此不再詳述。

由于本實(shí)用新型所述特別的像素排列結(jié)構(gòu)，每種顏色子像素的開(kāi)口面積是一個(gè)完整的像素大小，相當(dāng)于傳統(tǒng)RGB條狀排列各子像素開(kāi)口面積的3倍，一般性WRGB排列結(jié)構(gòu)的子像素開(kāi)口面積的4倍，因此將大大降低CF與WOLED元件的對(duì)位精度要求，有利于提高超高解析度AMOLED顯示器件的生產(chǎn)良率；反之，在相同生產(chǎn)設(shè)備及制程工藝的條件下，采用本實(shí)用新型所述像素排列結(jié)構(gòu)及W+CF的彩色化像素圖案制備方法，能夠生產(chǎn)相當(dāng)于采用傳統(tǒng)RGB條狀排列像素結(jié)構(gòu)的3倍解析度或一般性WRGB排列結(jié)構(gòu)的4倍解析度的AMOLED顯示器件。以解析度為2500ppi的AMOLED微顯示器件為例（相當(dāng)于分辨率為1280×720的0.5英寸微顯示器件），傳統(tǒng)RGB條狀排列的各子像素開(kāi)口僅3.3um×10um，而采用本實(shí)用新型所述像素排列結(jié)構(gòu)及W+CF的彩色化像素圖案制備方法，各同色子像素的開(kāi)口均增大到10um×10um，相比原3.3um的開(kāi)口寬度，可以大大降低對(duì)位精度的要求，有利于提高量產(chǎn)良率。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。