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具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

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技術(shù)特征:

1.具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括基座和板蓋,所述基座包括底座、設(shè)置在底座上方中心區(qū)域的安裝槽、在底座上方兩側(cè)延伸的卡塊,所述卡塊的下方設(shè)有滑槽,所述滑槽與板蓋配合連接;所述底座依次包括安裝層、導(dǎo)電層、散熱層,所述安裝層的中心區(qū)域設(shè)有安裝槽,所述安裝槽內(nèi)部位于所述導(dǎo)電層上方設(shè)有穩(wěn)定層,所述穩(wěn)定層內(nèi)對(duì)稱(chēng)設(shè)有導(dǎo)電通孔,所述導(dǎo)電通孔分別感光傳感器和導(dǎo)電層連接;所述安裝層內(nèi)部圍繞所述安裝槽設(shè)有逃氣槽,所述逃氣槽包括至少3層環(huán)形通道以及與外界聯(lián)通的槽口,所述槽口處設(shè)有擋板,所述相鄰的環(huán)形通道間設(shè)有開(kāi)口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),所述環(huán)形通道的內(nèi)部設(shè)有吸附層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),所述擋板由四個(gè)相連的弧形突起組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述安裝槽的水平截面為圓形或橢圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述板蓋為透明板蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述板蓋下方設(shè)有聚光層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述板蓋安裝到卡塊滑槽內(nèi)部后,板蓋的聚光層的下底面與基座底座的上表面相抵。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述底座依次包括安裝層、導(dǎo)電層、散熱層,所述安裝層的中心區(qū)域設(shè)有安裝槽,所述安裝槽內(nèi)部位于所述導(dǎo)電層上方設(shè)有穩(wěn)定層,所述穩(wěn)定層內(nèi)對(duì)稱(chēng)設(shè)有導(dǎo)電通孔,所述導(dǎo)電通孔分別感光傳感器和導(dǎo)電層連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述穩(wěn)定層的厚度為500-700um。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的導(dǎo)電層的厚度為0.5-0.8mm。

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