本實用新型涉及電子設備封裝技術領域，特別是涉及一種具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構。

背景技術：

目前現(xiàn)有技術的前置式CMOS影像傳感器的應用集中在500萬像素以下，隨著智慧手機等的應用，前置式( Front-facing )技術的與時俱進，像素微小化以及先進制程的技術突破，帶動了CMOS影像傳感器高像素的市場，而芯片級封裝( CSP：Chip Scale Packaged )高像素CMOS影像傳感器封裝會有技術的缺陷及瓶頸，板上芯片( COB：Chip On Board )封裝必定是趨勢。

然而，目前的CMOS圖像傳感器的封裝結構的熱穩(wěn)定性不佳，大部分都是采用膠粘或者是焊接的方式進行封裝，殘留下膠劑、錫珠、助焊劑很容易跑到CMOS影像傳感器上面，清潔非常困難或無法清潔，這樣在影像輸出會產(chǎn)生污點等不良現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術的逃氣槽或者逃氣孔結構是直通到傳感器，外界的灰塵、微粒等污染源容易通過逃氣槽或者逃氣孔對傳感器照成污染，容易照成傳感器這樣的精密部件的芯片不良，影響封裝以及后續(xù)的使用。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，為解決背景技術中的技術問題，本實用新型提供一種具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構，本實用新型的封裝結構采用機械式的固定方式，可滿足長期穩(wěn)定使用的要求，并對于封裝結構的熱穩(wěn)定性有明顯的改善；本實用新型的逃氣槽結構能夠有效阻隔外界污染，可得到封裝良率高的影像傳感器封裝。

本實用新型的技術方案為：具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構，其特征在于：包括基座和板蓋，所述基座包括底座、設置在底座上方中心區(qū)域的安裝槽、在底座上方兩側延伸的卡塊，所述卡塊的下方設有滑槽，所述滑槽與板蓋配合連接；所述底座依次包括安裝層、導電層、散熱層，所述安裝層的中心區(qū)域設有安裝槽，所述安裝槽內(nèi)部位于所述導電層上方設有穩(wěn)定層，所述穩(wěn)定層內(nèi)對稱設有導電通孔，所述導電通孔分別感光傳感器和導電層連接；所述安裝層內(nèi)部圍繞所述安裝槽設有逃氣槽，所述逃氣槽包括至少3層環(huán)形通道以及與外界聯(lián)通的槽口，所述槽口處設有擋板，所述相鄰的環(huán)形通道間設有開口。

進一步的，所述環(huán)形通道的內(nèi)部設有吸附層。

進一步的，所述擋板由四個相連的弧形突起組成。

進一步的，所述板蓋為透明板蓋。

進一步的，所述板蓋下方設有聚光層。通過此板蓋結構，能夠使封裝結構將外界的光源聚集到傳感器的表面，進一步提高傳感器對外界的光學敏感性。

進一步的，所述板蓋安裝到卡塊滑槽內(nèi)部后，板蓋的聚光層的下底面與基座底座的上表面相抵。通過這種方式，在將感光傳感器安裝到安裝槽后，不僅實現(xiàn)了板蓋與基座座之間的密封，還可以通過板蓋顯著增加傳感器的光學敏感性能。

進一步的，所述底座依次包括安裝層、導電層、散熱層，所述安裝層的中心區(qū)域設有安裝槽，所述安裝槽內(nèi)部位于所述導電層上方設有穩(wěn)定層，所述穩(wěn)定層內(nèi)對稱設有導電通孔，所述導電通孔分別感光傳感器和導電層連接。本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層和散熱層的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。優(yōu)選的，本實用新型中的穩(wěn)定層和散熱層均為本領域任一現(xiàn)有技術的熱導材料層，導電層為金屬導電層。

進一步的，所述穩(wěn)定層的厚度為500-700um。

進一步的，所述的導電層的厚度為0.5-0.8mm。

本實用新型逃氣槽結構通過在槽口處設置弧形擋板，有效隔離灰塵、碎屑，防止在槽口處累計，影響逃氣槽的性能，并將逃氣槽設計成連通的環(huán)形通道，能夠保證熱傳遞的分層效應，以達到更佳的散熱效果，并在逃氣槽的內(nèi)壁設置吸附層，能將進入的異物吸附住以避免進一步的深入，有效隔離灰塵、碎屑跑到CMOS影像傳感器上面，該結構能夠大大提高封裝測試良率。

本實用新型的封裝結構，通過板蓋的聚光作用，使光線更易透過并匯聚到CMOS圖像傳感器的感光層，即CMOS圖像傳感對光線的敏感度增加，進一步提高了CMOS圖像傳感器的性能；本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層和散熱層的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的結構示意圖；

圖3為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面將對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例1

具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構，包括基座22和板蓋21，所述基座22包括底座、設置在底座上方中心區(qū)域的安裝槽24、在底座上方兩側延伸的卡塊23，所述卡塊23的下方設有滑槽231，所述滑槽231與板蓋21配合連接；所述底座依次包括安裝層221、導電層223、散熱層224，所述安裝層221的中心區(qū)域設有安裝槽24，所述安裝槽24內(nèi)部位于所述導電層223上方設有穩(wěn)定層222，所述穩(wěn)定層222內(nèi)對稱設有導電通孔2221，所述導電通孔分別感光傳感器1和導電層223連接。所述安裝層221內(nèi)部圍繞所述安裝槽設有逃氣槽1，所述逃氣槽包括至少3層環(huán)形通道12以及與外界聯(lián)通的槽口，所述槽口處設有擋板11，所述相鄰的環(huán)形通道間設有開口121。本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層222和散熱層224的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。優(yōu)選的，本實用新型中的穩(wěn)定層222和散熱層224均為本領域任一現(xiàn)有技術的熱導材料層，導電層223為金屬導電層。

進一步的，所述環(huán)形通道12的內(nèi)部設有吸附層。

進一步的，所述擋板11由四個相連的弧形突起組成。

進一步的，所述安裝槽24的水平截面為圓形。

進一步的，所述板蓋21為透明板蓋21。

進一步的，所述板蓋21下方設有聚光層211。通過此板蓋2121結構，能夠使封裝結構將外界的光源聚集到傳感器的表面，進一步提高傳感器對外界的光學敏感性。

進一步的，所述板蓋21安裝到卡塊23滑槽231內(nèi)部后，板蓋21的聚光層211的下底面與基座22底座的上表面相抵。通過這種方式，在將感光傳感器1安裝到安裝槽24后，不僅實現(xiàn)了板蓋21與基座22座之間的密封，還可以通過板蓋2121顯著增加傳感器的光學敏感性能。

進一步的，所述穩(wěn)定層222的厚度為580um。

進一步的，所述的導電層223的厚度為0.68mm。

本實用新型逃氣槽結構通過在槽口處設置弧形擋板，有效隔離灰塵、碎屑，防止在槽口處累計，影響逃氣槽的性能，并將逃氣槽設計成連通的環(huán)形通道，能夠保證熱傳遞的分層效應，以達到更佳的散熱效果，并在逃氣槽的內(nèi)壁設置吸附層，能將進入的異物吸附住以避免進一步的深入，有效隔離灰塵、碎屑跑到CMOS影像傳感器上面，該結構能夠大大提高封裝測試良率。

本實用新型的封裝結構，通過板蓋的聚光作用，使光線更易透過并匯聚到CMOS圖像傳感器的感光層，即CMOS圖像傳感對光線的敏感度增加，進一步提高了CMOS圖像傳感器的性能；本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層和散熱層的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。

實施例2

具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構，包括基座22和板蓋21，所述基座22包括底座、設置在底座上方中心區(qū)域的安裝槽24、在底座上方兩側延伸的卡塊23，所述卡塊23的下方設有滑槽231，所述滑槽231與板蓋21配合連接；所述底座依次包括安裝層221、導電層223、散熱層224，所述安裝層221的中心區(qū)域設有安裝槽24，所述安裝槽24內(nèi)部位于所述導電層223上方設有穩(wěn)定層222，所述穩(wěn)定層222內(nèi)對稱設有導電通孔2221，所述導電通孔分別感光傳感器1和導電層223連接。所述安裝層221內(nèi)部圍繞所述安裝槽設有逃氣槽1，所述逃氣槽包括至少3層環(huán)形通道12以及與外界聯(lián)通的槽口，所述槽口處設有擋板11，所述相鄰的環(huán)形通道間設有開口121。本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層222和散熱層224的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。優(yōu)選的，本實用新型中的穩(wěn)定層222和散熱層224均為本領域任一現(xiàn)有技術的熱導材料層，導電層223為金屬導電層。

進一步的，所述環(huán)形通道12的內(nèi)部設有吸附層。

進一步的，所述擋板11由四個相連的弧形突起組成。

進一步的，所述安裝槽24的水平截面為橢圓形。

進一步的，所述板蓋21為透明板蓋21。

進一步的，所述板蓋21下方設有聚光層211。通過此板蓋2121結構，能夠使封裝結構將外界的光源聚集到傳感器的表面，進一步提高傳感器對外界的光學敏感性。

進一步的，所述板蓋21安裝到卡塊23滑槽231內(nèi)部后，板蓋21的聚光層211的下底面與基座22底座的上表面相抵。通過這種方式，在將感光傳感器1安裝到安裝槽24后，不僅實現(xiàn)了板蓋21與基座22座之間的密封，還可以通過板蓋2121顯著增加傳感器的光學敏感性能。

進一步的，所述穩(wěn)定層222的厚度為700um。

進一步的，所述的導電層223的厚度為0.8mm。

實施例3

具有逃氣槽的CMOS圖像傳感器封裝結構，包括基座22和板蓋21，所述基座22包括底座、設置在底座上方中心區(qū)域的安裝槽24、在底座上方兩側延伸的卡塊23，所述卡塊23的下方設有滑槽231，所述滑槽231與板蓋21配合連接；所述底座依次包括安裝層221、導電層223、散熱層224，所述安裝層221的中心區(qū)域設有安裝槽24，所述安裝槽24內(nèi)部位于所述導電層223上方設有穩(wěn)定層222，所述穩(wěn)定層222內(nèi)對稱設有導電通孔2221，所述導電通孔分別感光傳感器1和導電層223連接。所述安裝層221內(nèi)部圍繞所述安裝槽設有逃氣槽1，所述逃氣槽包括至少3層環(huán)形通道12以及與外界聯(lián)通的槽口，所述槽口處設有擋板11，所述相鄰的環(huán)形通道間設有開口121。本實用新型的底座不僅能夠保持很好的導電性能，并能夠通過穩(wěn)定層222和散熱層224的作用，具有很好的結構穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。優(yōu)選的，本實用新型中的穩(wěn)定層222和散熱層224均為本領域任一現(xiàn)有技術的熱導材料層，導電層223為金屬導電層。

進一步的，所述環(huán)形通道12的內(nèi)部設有吸附層。

進一步的，所述擋板11由四個相連的弧形突起組成。

進一步的，所述安裝槽24的水平截面為圓形。

進一步的，所述板蓋21為透明板蓋21。

進一步的，所述板蓋21下方設有聚光層211。通過此板蓋2121結構，能夠使封裝結構將外界的光源聚集到傳感器的表面，進一步提高傳感器對外界的光學敏感性。

進一步的，所述板蓋21安裝到卡塊23滑槽231內(nèi)部后，板蓋21的聚光層211的下底面與基座22底座的上表面相抵。通過這種方式，在將感光傳感器1安裝到安裝槽24后，不僅實現(xiàn)了板蓋21與基座22座之間的密封，還可以通過板蓋2121顯著增加傳感器的光學敏感性能。

進一步的，所述穩(wěn)定層222的厚度為500um。

進一步的，所述的導電層223的厚度為0.5mm。

對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。

此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。需注意的是，本實用新型中所未詳細描述的技術特征，均可以通過任一現(xiàn)有技術實現(xiàn)。