技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基有機(jī)發(fā)光器件底電極結(jié)構(gòu)及其制造方法，涉及硅基有機(jī)發(fā)光領(lǐng)域，其中硅基有機(jī)發(fā)光器件底電極包括第一金屬層、連接孔、透明絕緣膜、有機(jī)接觸層，硅基底中含有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，連接孔設(shè)置于透明絕緣膜中，有機(jī)接觸層通過(guò)連接孔連接至第一金屬層，第一金屬層連接至金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出端。連接第一金屬層和有機(jī)接觸層的連接孔設(shè)置在底電極的邊緣位置或四角位置且突出于發(fā)光區(qū)。絕緣鈍化物包覆有機(jī)接觸層的外圍邊緣。本發(fā)明的硅基有機(jī)發(fā)光器件底電極結(jié)構(gòu)將反光層下移，通孔偏置并且對(duì)電極進(jìn)行覆蓋絕緣鈍化物處理，極大提高了有機(jī)發(fā)光層鋪設(shè)時(shí)的平整度并減小了電極厚度，提高了發(fā)光效率和良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：季淵;沈偉星
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京邁智芯微光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.25
技術(shù)公布日：2017.11.07