本發(fā)明涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種有機發(fā)光顯示面板、包含該有機發(fā)光顯示面板的顯示裝置，以及該有機發(fā)光顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示面板制造技術(shù)也趨于成熟，現(xiàn)有的顯示面板主要包括有機發(fā)光顯示面板(organiclightemittingdiode，oled)、液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)、等離子顯示面板(plasmadisplaypanel，pdp)等。作為自發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光顯示裝置不需要獨立的光源。因此，有機發(fā)光顯示裝置能夠在低電壓下操作，重量輕而薄，并且提供諸如寬視角、高對比度和快速響應(yīng)的高品質(zhì)特性。因此，作為下一代顯示裝置的有機發(fā)光顯示裝置已經(jīng)受到了關(guān)注。如圖1所示，圖1為現(xiàn)有的一種有機發(fā)光顯示面板100’的截面結(jié)構(gòu)示意圖。包含陣列基板10’、發(fā)光器件20’、封裝層30’。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的一種有機發(fā)光顯示面板有機發(fā)光器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，其中，發(fā)光器件20’包含像素定義層24’、發(fā)光層22’以及支撐層40’，像素定義層將發(fā)光層區(qū)隔為發(fā)光像素層(r/g/b)，以及支撐層40’設(shè)置在相鄰發(fā)光像素層之間的像素定義層上，在蒸鍍發(fā)光層時頂住蒸鍍掩膜版。圖3為現(xiàn)有技術(shù)的一種像素定義層的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)中，支撐層的上表面為實心的表面，支撐層與掩膜版的接觸面積較大，會對蒸鍍掩膜版造成污染，顆粒物增多。然而，目前柔性顯示的封裝層大都采用薄膜封裝，這對于對于柔性的薄膜封裝會增加封裝層20’的層數(shù)，不利于柔性屏幕的彎折。另外，現(xiàn)有技術(shù)的支撐層的高度較高，在蒸鍍發(fā)光層22’時造成較大的外擴效應(yīng)，會容易產(chǎn)生混色。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示面板、包含該有機發(fā)光顯示面板的顯示裝置以及該有機發(fā)光顯示面板的制造方法。第一方面，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示面板，包括：陣列基板；設(shè)置在所述陣列基板上的有機發(fā)光器件，所述有機發(fā)光器件包含反射層、像素定義層、設(shè)置在所述像素定義層之間的發(fā)光像素層、設(shè)置在所述發(fā)光像素層背離所述反射層一側(cè)的陰極層，以及設(shè)置在至少一相鄰所述發(fā)光像素層之間的支撐層，所述支撐層包含金屬層以及位于所述金屬層背離所述陣列基板一側(cè)的環(huán)形有機層；封裝層，所述封裝層包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層，且所述封裝層覆蓋所述有機發(fā)光器件。第二方面，本發(fā)明還提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括第一方面所述的有機發(fā)光顯示面板。第三方面，本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光顯示面板的制備方法，包括：制備陣列基板；制備有機發(fā)光器件，制備所述有機發(fā)光器件包含在所述陣列基板上依次制備反射層、像素定義層、在所述像素定義層之間形成發(fā)光像素層、以及在所述發(fā)光像素層上形成陰極層，其中，在制備所述反射層時，在至少一相鄰發(fā)光像素層之間形成金屬層，以及在制備所述像素定義層時，在所述金屬層上形成環(huán)形有機層，所述金屬層和所述環(huán)形有機層形成支撐層；在所述有機發(fā)光器件背離所述陣列基板的一側(cè)形成封裝層。本發(fā)明實施例形成具有環(huán)形有機層的支撐層，減小支撐層和掩膜版的接觸面積，從而減小顆粒物對蒸鍍掩膜版造成的污染。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種有機發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的一種有機發(fā)光顯示面板有機發(fā)光器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的一種像素定義層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a是本發(fā)明實施例提供的一種支撐層的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5b是本發(fā)明實施例提供的一種支撐層的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6a-6c為本發(fā)明實施例提供的支撐層俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7a和圖7b為本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光顯示面板的步驟流程圖；圖8a至圖8f為本發(fā)明實施例提供的制備有機發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)流程圖；圖9a為本發(fā)明實施例提供的一種制備環(huán)形有機層時的環(huán)形掩膜版和反射層的套合結(jié)構(gòu)示意圖；圖9b為本發(fā)明實施例提供的一種制備環(huán)形有機層時的環(huán)形掩膜版和反射層的套合的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1對h的影響的折線圖；圖11為蒸鍍發(fā)光像素層時的示意圖；圖12為本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光顯示裝置示意圖；具體實施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明更全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對它們的重復(fù)描述。本發(fā)明中所描述的表達位置與方向的詞，均是以附圖為例進行的說明，但根據(jù)需要也可以做出改變，所做改變均包含在本發(fā)明保護范圍內(nèi)。本發(fā)明的附圖僅用于示意相對位置關(guān)系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式以便于理解，附圖中的層厚并不代表實際層厚的比例關(guān)系。需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式的限制。如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。說明書后續(xù)描述為實施本申請的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。請參考圖4、圖5a和圖5b，圖4是本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a是本發(fā)明實施例提供的一種支撐層的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5b是本發(fā)明實施例提供的一種支撐層的截面結(jié)構(gòu)示意圖，需要說明的是圖4以一個支撐層、3個發(fā)光像素層為例進行說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，有機發(fā)光顯示面板可以包含多個支撐層、以及多個發(fā)光像素層。本發(fā)明實施例提供一種有機發(fā)光顯示面板，包含：陣列基板10；設(shè)置在陣列基板10上的有機發(fā)光器件20，有機發(fā)光器件20包含反射層21、像素定義層24、設(shè)置在像素定義層24之間的發(fā)光像素層22、設(shè)置在發(fā)光像素層22背離反射層21一側(cè)的陰極層23，以及設(shè)置在至少一相鄰發(fā)光像素層之間的支撐層40，支撐層包含金屬層41以及位于金屬層41背離陣列基板10一側(cè)的環(huán)形有機層42；以及封裝層30，封裝層30包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層41，且封裝層30覆蓋有機發(fā)光器件20。請參照圖5a和圖5b，本發(fā)明實施例中的支撐層包含金屬層41，在金屬層41上制備環(huán)形有機層時，通過金屬層41的反光作用，在金屬層上形成環(huán)形有機層42。本發(fā)明實施例中的支撐層包含環(huán)形有機層42，與現(xiàn)有技術(shù)的實心支撐層相比，支撐層40與掩膜版的接觸面積大大減小，可減少由于支撐層和掩膜版的接觸、摩擦造成的支撐層磨損形成的顆粒物臟污，減少封裝層因臟污、顆粒物等引起的暗斑不良。由于臟污、顆粒物減少了，因為封裝層對顆粒物的覆蓋要求降低了，從而可以有效降低封裝層的厚度，改善有機發(fā)光顯示面板的柔性?？蛇x地，環(huán)形有機層中有機層的寬度可以為0.2μm～1μm?？蛇x地，參照圖3和圖5a，以上表面為半徑為5μm的環(huán)形有機層中有機層的寬度l為1μm的支撐層為例，本發(fā)明實施例的支撐層的上表面積為π*52-π*42＝9π；現(xiàn)有技術(shù)的支撐層上表面為半徑為5μm的圓，其上表面積為π*52＝25π，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的支撐層的上表面積可以大大減小，從而減少掩膜版的臟污，減少封裝層因臟污、顆粒物等引起的暗斑不良?？蛇x地，本發(fā)明實施例支撐層40高度比像素定義層24高度高0.3μm～1.2μm。支撐層高度越低外擴效應(yīng)(shadow效應(yīng))越小，可降低混色風(fēng)險，且對于封裝層的成膜覆蓋性更佳，有利于封裝層的減薄?？蛇x地，該環(huán)形有機層42可以和像素定義層同層制備，金屬層41可以和反射層21同層制備，從而節(jié)省工藝制程，提高工藝產(chǎn)能。本發(fā)明實施例通過在制備反射層時制備金屬層，以及環(huán)形掩膜版和金屬層的套合作用，在金屬層的反光作用下，在制備像素定義層時，可形成比像素定義層高度高0.3μm～1.2um的支撐層，且該支撐層具有環(huán)形有機層，在節(jié)約成本降低產(chǎn)能的同時，降低蒸鍍發(fā)光像素層時減少混色，以及減小支撐層與掩膜版之間的摩擦造成的支撐層的磨損形成的臟污，減少封裝層因臟污、顆粒物等引起的暗斑不良。需要說明的是，本發(fā)明實施例的支撐層形成在相鄰發(fā)光像素層之間的非發(fā)光區(qū)域，可以每兩個相鄰發(fā)光像素層之間的非發(fā)光區(qū)都設(shè)置支撐層，也可以隔幾個發(fā)光像素層的的相鄰發(fā)光像素層之間設(shè)置支撐層，對于陣列排布的發(fā)光像素層，支撐層可以設(shè)置在相鄰行方向的發(fā)光像素層之間，也可以設(shè)置在相鄰列的發(fā)光像素層之間，還可以是相鄰行和相鄰列的發(fā)光像素層之間均設(shè)置支撐層，本發(fā)明對于支撐層的排布位置具體不限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需求進行設(shè)置，只要設(shè)置在相鄰發(fā)光像素層之間的非顯示區(qū)均在本提案的保護范圍內(nèi)?？蛇x地，有機發(fā)光器件20設(shè)置于陣列基板10上，至少包括位于陣列基板10上的反射層21、像素定義層24、設(shè)置在像素定義層24之間的發(fā)光像素層22、設(shè)置在發(fā)光像素層22背離反射層21一側(cè)的陰極層23，以及設(shè)置在至少一相鄰發(fā)光像素層之間的支撐層40，并且有機發(fā)光器件20可以進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的一層或多層。發(fā)光像素層22可以是紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層或藍色發(fā)光層。發(fā)光像素層22可以是單個白色發(fā)光層。發(fā)光像素層22可具有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和/或藍色發(fā)光層的層疊結(jié)構(gòu)。當(dāng)發(fā)光像素層22具有層疊結(jié)構(gòu)時，可包括濾色器(未示出)?？昭ㄗ⑷雽雍?或空穴傳輸層可被設(shè)置在反射層21與發(fā)光像素層22之間。電子注入層和/或電子傳輸層可被設(shè)置在陰極層23與發(fā)光像素層22之間?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層和電子注入層可形成于陣列基板10的整個顯示區(qū)域上。本發(fā)明實施例以頂發(fā)射的有機發(fā)光顯示面板為例進行說明，在其他實施例中還可以為底發(fā)射結(jié)構(gòu)。需要說明的是，對于頂發(fā)射結(jié)構(gòu)，反射層可以包含ito-ag-ito(即，氧化銦錫-銀-氧化銦錫)的結(jié)構(gòu)，反射層可以有效將發(fā)光像素層發(fā)射的光反射到出光側(cè)，提高出光效率，需要說明的是，反射層除了反射發(fā)光像素層發(fā)射的光之外還可以作為有機發(fā)光器件20的陽極，從陽極極注入的空穴和從陰極極注入的電子在發(fā)光像素層中結(jié)合以產(chǎn)生激子，激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)并產(chǎn)生光。可選地，陣列基板10包括襯底基板13、位于襯底基板13上的陣列層11以及位于陣列層11背離襯底基板13一側(cè)的平坦化層12。實現(xiàn)顯示所需的陣列層11包含多條數(shù)據(jù)線金屬層和多條掃描線金屬層(未示出)。其中，陣列層11至少包括有源層、源極、漏極、柵極、絕緣層，陣列層11的漏極與有機發(fā)光器件20的反射層21電性連接；多條數(shù)據(jù)線金屬層和多條掃描線金屬層彼此交叉，其中，數(shù)據(jù)線金屬層電性連接至陣列層11的源極，掃描線金屬層電性連接至陣列層11的柵極。工作時，掃描線金屬層通過陣列層11的柵極控制各子像素的開關(guān)，數(shù)據(jù)線金屬層通過陣列層11的源極與有機發(fā)光器件的反射層21電性連接，在各子像素對應(yīng)的薄膜晶體管打開時，為各子像素提供數(shù)據(jù)信號，控制各子像素的顯示。陣列層11的具體結(jié)構(gòu)可采用已知技術(shù)，在此不予贅述。可選地，有機發(fā)光器件20的反射層21位于該平坦化層12上，并通過位于平坦化層12中的過孔與陣列層11的漏極電性連接。襯底基板13可選地為柔性基板。柔性基板的材料本發(fā)明不限制，可選地可以為有機聚合物，作為示例，有機聚合物可以是聚酰亞胺(pi)、聚酰胺(pa)、聚碳酸酯(pc)、聚苯醚砜(pes)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、環(huán)烯烴共聚物(coc)中的一種。封裝層30設(shè)置于有機發(fā)光器件20背離陣列基板10的一側(cè)，并覆蓋有機發(fā)光器件20，用于將有機發(fā)光器件20與周圍環(huán)境隔離，阻止水汽、氧氣透過并侵蝕有機發(fā)光器件20中的有機物質(zhì)。封裝層包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層。有機封裝層的材料可包括聚合物，如可以是由聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚丙烯酸酯、有機硅氧烷形成的單層或堆疊層。無機封裝層可以是包含金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如無機封裝層可包含sinx(氮化硅)、al2o3(氧化鋁)、sio2(氧化硅)和tio2(氧化鈦)中的任一種。本發(fā)明實施例對于封裝層的具體材料和結(jié)構(gòu)不做限定?？蛇x地，請參照圖6a-圖6c，圖6a-6c為本發(fā)明實施例提供的支撐層俯視結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實施例中的金屬層朝向陣列基板方向的的俯視圖的形狀包含長方形、正方形、菱形、圓形、橢圓形、多邊形中的至少一種或者其任意組合。本發(fā)明實施例中的支撐層在蒸鍍發(fā)光像素層時頂住掩膜版，支撐層40包含環(huán)形有機層42，從而減小支撐層和掩膜版的接觸面積，從而減少掩膜版的臟污，減少封裝層因臟污、顆粒物等引起的暗斑不良。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需求選擇金屬層的俯視圖的形狀，本發(fā)明實施例對此不做限定。本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光顯示面板的制備方法，請參照圖7a、圖7b、圖8a至圖8e，圖7a和圖7b為本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光顯示面板的步驟圖，圖8a-至圖8e為本發(fā)明實施例提供的制備有機發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)流程圖，可選地，本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光顯示面板的制備方法，包含：步驟701；制備陣列基板；步驟702：制備有機發(fā)光器件；其中制備有機發(fā)光器件包含以下步驟：步驟7021：在陣列基板上制備反射層以及金屬層；步驟7022：在反射層以及金屬層上形成像素定義層，同時在金屬層上形成環(huán)形有機層，請參照圖8c和圖9b，圖8c為涂布完像素定義層(環(huán)形有機層)材料后，曝光時的示意圖，圖9b為本發(fā)明實施例提供的一種制備環(huán)形有機層時的環(huán)形掩膜版和反射層的套合截面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，像素定義層可以采用涂布的方式先形成一層有機層，然后進行曝光顯影、光照射的區(qū)域被顯影掉，掩膜版擋住而沒有被光照射的地方保留下來，在金屬層所在的位置，采用環(huán)形掩膜版和金屬層套合形成環(huán)形有機層，在金屬層中間部分的有機層由于被光照射，顯影時被顯影掉了，以及金屬層的反光作用，加強了金屬層中間部分的區(qū)域的有機層的曝光，在顯影時更容易被顯掉，在金屬層外圍，由于掩膜版的遮擋作用，使金屬層外圍區(qū)域的有機層保留下來，從而形成環(huán)形有機層；步驟7023：在像素定義層之間形成發(fā)光像素層；步驟7024：在發(fā)光像素層上形成陽極；步驟703：在有機發(fā)光器件背離陣列基板的一側(cè)形成封裝層。本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光顯示面板的制備方法中，支撐層包含金屬層和環(huán)形有機層，在制備反射層時，在至少一相鄰發(fā)光像素層之間形成金屬層，以及在制備像素定義層時，通過金屬層的反光作用在金屬層上形成環(huán)形有機層。可選地，參照圖9a，圖9a為本發(fā)明實施例提供的一種制備環(huán)形有機層時的環(huán)形掩膜版和反射層的套合結(jié)構(gòu)示意圖。采用環(huán)形掩膜版和金屬層套合形成環(huán)形有機層，環(huán)形掩膜版包含第一掩膜版61和圍繞第一掩膜版的第二掩膜版62。需要說明的是，掩膜版的形狀根據(jù)金屬層的形狀而設(shè)置，本發(fā)明實施例以矩形的環(huán)形掩膜版為例進行說明，還可以是圓形的環(huán)形掩膜版或其他任意多邊形的環(huán)形掩膜版。本發(fā)明實施例設(shè)置的支撐層包含金屬層，在形成像素定義層時的曝光制程中，環(huán)形掩膜版和金屬層之間的套合作用，以及金屬層對光有反射作用，造成金屬層上的被光照射的地方的有機層被被顯影掉了，加上金屬層的發(fā)光作用，金屬層上被光照射的有機層的曝光受到加強，從而使金屬層上被光照射的有機層被顯影掉了，而金屬層邊緣的有機層曝光不足，而保留下來，從而形成環(huán)形有機層。本發(fā)明實施例提供的支撐層40的制備方法可以通過在制備像素定義層時同時制備，減少制程，簡化工藝。另外，本發(fā)明實施例制備的支撐層為環(huán)形有機層，該支撐層的上表面為中間鏤空的環(huán)形，與現(xiàn)有技術(shù)的實心支撐層相比，可以大大減小支撐層和掩膜版的接觸面積，防止由于接觸摩擦產(chǎn)生的顆粒物，臟污等引起的暗斑不良。由于臟污、顆粒物減少了，因為封裝層對顆粒物的覆蓋要求降低了，從而可以有效降低封裝層的厚度，改善有機發(fā)光顯示面板的柔性。另外，本發(fā)明實施例制備的支撐層與像素定義層與高度差可以為0.3μm～1.2μm，與現(xiàn)有技術(shù)的大于1.5微米的高度差相比，可以減小蒸鍍發(fā)光像素層的外擴效應(yīng)，減少混色。另外，請參考圖4，本發(fā)明實施例制備的支撐層包含環(huán)形有機層，在制備封裝層時，封裝層中的有機層和/或無機層可以填充環(huán)形有機層中的孔，從而增大封裝層和有機發(fā)光器件20的接觸面積，降低封裝層和有機發(fā)光器件20間的剝離問題?？蛇x地，參照圖9b，圖9b為本發(fā)明實施例提供的一種制備環(huán)形有機層時的環(huán)形掩膜版和反射層的套合截面結(jié)構(gòu)示意圖。在制備環(huán)形有機層時，利用反射層的反光作用制備環(huán)形有機層，其中，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1可以為0μm～0.5μm，第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space可以為0.5μm～1.5μm，第一掩膜版的寬度l2可以為0.5μm～1.5μm。發(fā)明人通過實驗發(fā)現(xiàn)，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1、第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space、第一掩膜版的寬度l2對支撐層與像素定義層的高度差h(即支撐層的高度比像素定義層的高度高出的高度)的影響如下表1：實驗編號l1/μml2/μmspace/μmh/μm實驗101.251.250.9實驗201.2511實驗30111.1實驗40.251.251.250.7實驗50.251.2510.7實驗60.25110.8實驗70.51.251.250實驗80.51.2510實驗90.5110表1-l1、l2、space對h的影響參圖10，圖10為第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1對h的影響的折線圖。分別對比第一組對比實驗：實驗1、實驗4和實驗7，第二組對比實驗：實驗2、實驗5、實驗8，第三組對比實驗：實驗3、實驗6、實驗9，在第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space以及第一掩膜版的寬度l2相同的情況下，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1對支撐層與像素定義層高度差的影響較大，隨著第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1增大，支撐層的高度逐漸減小。第一掩膜版和金屬層的重疊寬度過大，使金屬層上的有機層曝光區(qū)域小，顯影時顯不開，影響環(huán)形有機層的形成，同時也會造成形成較高的支撐層，這容易引起蒸鍍發(fā)光像素層時造成外擴效應(yīng)，影響相鄰發(fā)光像素層間的混色，影響顯示效果。可選地，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1為0μm～0.5μm，支撐層的高度比像素定義層的高度高0.3μm～1.2μm，可以同時滿足對蒸鍍掩膜版的支撐作用以及降低蒸鍍發(fā)光像素層的外擴效應(yīng)?？蛇x地，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度為0μm，在第一掩膜版和金屬層的重疊寬度為0μm，金屬層上的有機層都可以曝光，且金屬層對其上的有機層具有發(fā)光作用，金屬層上的有機層可以充分被顯影，形成有機層寬度適中的環(huán)形有機層，且支撐層和像素定義層的高度差h具有較高的值，對掩膜版具有較好的支撐作用。對比實驗1和實驗2、對比實驗4和實驗5或者對比實驗7和實驗8，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1以及第一掩膜版的寬度l2分別相同的情況下，當(dāng)?shù)谝谎谀ぐ婧徒饘賹拥闹丿B寬度l1為0μm時，第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space對支撐層與像素定義層的高度差h有影響。當(dāng)?shù)谝谎谀ぐ婧徒饘賹拥闹丿B寬度l1大于或等于0.25μm時，第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space對支撐層與像素定義層的高度差h基本沒有影響。可選地，本發(fā)明實施例中的第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space為0.5μm～1.5μm，在保證掩膜版制備精度的情況下，保證環(huán)形有機層的寬度。對比實驗2和實驗3、對比實驗5和實驗6、或?qū)Ρ葘嶒?和實驗9發(fā)現(xiàn)，在第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1、第一掩膜版的寬度l2相同的情況下，當(dāng)?shù)谝谎谀ぐ婧徒饘賹拥闹丿B寬度l1大于0.5μm時，第一掩膜版和第二掩膜版之間的鏤空區(qū)域的寬度space對支撐層與像素定義層的高度差h沒有影響。綜合上述對比實驗發(fā)現(xiàn)，支撐層40與像素定義層24的高度差h主要受第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1的影響。通過調(diào)節(jié)第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1可以有效調(diào)節(jié)支撐層40與像素定義層24的高度差h?？蛇x地，本發(fā)明實施例中的第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1為0μm～0.5μm，支撐層的高度比像素定義層的高度高0.3μm～1.2μm?？蛇x地，第一掩膜版和金屬層的重疊寬度l1為0μm，以保證支撐層的高度足夠在蒸鍍有機層時可以有效支撐掩膜版?？蛇x地，請參照圖11，圖11為蒸鍍發(fā)光像素層時的示意圖，2位置為發(fā)光像素層的膜厚保證區(qū)，該區(qū)域保證發(fā)光像素層蒸鍍正常，1位置為外擴效應(yīng)區(qū)，從圖11中可以看出，在1位置容易發(fā)生相鄰發(fā)光像素層的混色，且支撐層與像素定義層的高度差h越大，1位置所在的區(qū)域越大，混色越嚴重。本發(fā)明實施例的支撐層包含金屬層41(標(biāo)記？)，在制備像素定義層24(標(biāo)記？)時，通過金屬層41(標(biāo)記？)的反光作用，形成環(huán)形的有機層42(標(biāo)記？)，金屬層和環(huán)形有機層形成支撐層，且支撐層的高度比像素定義層的高度高0.3μm～1.2μm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的支撐層通過一道制程制備，且支撐層的上表面為環(huán)形有機層，其可以有效降低支撐層和掩膜版的接觸面積，從而可減少掩膜版的臟污，減少封裝層因臟污、顆粒物等引起的暗斑不良。以及減小封裝層的厚度，利于柔性顯示。另外，現(xiàn)有技術(shù)中的支撐層和像素定義層的高度差大于1.5μm。這在蒸鍍發(fā)光像素層時外擴效應(yīng)(shadow效應(yīng))較嚴重，產(chǎn)生相鄰像素的混色。本發(fā)明實施例中支撐層的高度比像素定義層的高度差h為0.3μm～1.2μm，在保證有效支撐發(fā)光像素層的掩膜版的同時，可以有效降低外擴效應(yīng)，降低混色的風(fēng)險，提高顯示效果。本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光顯示裝置，如圖12所示，該有機發(fā)光顯示裝置包括上述各實施例的有機發(fā)光顯示面板，可以為手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備等?？梢岳斫?，該有機發(fā)光顯示裝置還可以包括驅(qū)動芯片等公知的結(jié)構(gòu)，此處不再贅述。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。當(dāng)前第1頁12