本發(fā)明涉及薄膜晶體管的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板。

背景技術(shù)：

具有源矩陣具有機(jī)發(fā)光二極體(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)多采用pmos管，相比于nmos管的漏電流具有很大改善。但為了改善低灰階不良mura，pmos管的特性要求將亞閾值擺幅(ss)做大，然而ss做大后導(dǎo)致pmos管的漏電流增大。

若pmos管的漏電流增大，則導(dǎo)致亮暗點(diǎn)增多，同時(shí)模組γ寫入時(shí)，低灰階亮度過(guò)高而導(dǎo)致無(wú)法成功寫入γ。因此通過(guò)工藝改善pmos的漏電流就顯得非常重要。目前改善漏電流的方法中，最具有效的方法是增加輕摻雜漏區(qū)(ldd)工藝。

一般地，在形成amoled器件中的ldd區(qū)域時(shí)，需要增加一套形成ldd的掩膜版，從而增加了制作成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板，用以采用形成薄膜晶體管中柵極的圖形的掩膜版形成ldd區(qū)域，從而節(jié)省了制作成本。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，在襯底基板上依次形成多晶硅膜層和柵極絕緣層；該方法還包括：

采用構(gòu)圖工藝在具有所述柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形；

對(duì)具有所述柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜；

采用形成所述柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，所述第一光刻膠的圖形覆蓋所述柵極的圖形以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域；

對(duì)具有所述第一光刻膠的圖形的襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，形成有源層的圖形。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用形成所述柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，包括：

采用形成所述柵極的圖形的掩膜版，在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠層，調(diào)節(jié)對(duì)所述第一光刻膠層的曝光量，形成第一光刻膠的圖形。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用構(gòu)圖工藝在具有所述柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形，包括：

在具有所述柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極金屬層；

在具有所述柵極金屬層的襯底基板之上形成第二光刻膠層；

采用掩膜版對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和第二光刻膠完全去除區(qū)域，所述第二光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)用于柵極的區(qū)域；

刻蝕所述第二光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的柵極金屬層，形成柵極的圖形。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用干刻的方式刻蝕所述第二光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的柵極金屬層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，形成柵極的圖形之后，該方法還包括：

剝離所述第二光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第二光刻膠層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用形成所述柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，包括：

在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠層；

采用所述掩膜版對(duì)所述第一光刻膠層曝光、顯影，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域和第一光刻膠完全去除區(qū)域，所述第一光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述柵極的區(qū)域以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，形成有源層的圖形之后，該方法還包括：

剝離所述第一光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第一光刻膠層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，所述第一次摻雜為輕摻雜，所述第二次摻雜為重?fù)诫s。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，包括本發(fā)明實(shí)施例提供上述的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。

本發(fā)明具有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板，該方法包括：在襯底基板上依次形成多晶硅膜層和柵極絕緣層；采用構(gòu)圖工藝在具有所述柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形；對(duì)具有所述柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜；采用形成所述柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，所述第一光刻膠的圖形覆蓋所述柵極的圖形以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域；對(duì)具有所述第一光刻膠的圖形的襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，形成有源層的圖形?？梢?jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)以柵極的圖形為掩膜版對(duì)襯底基板進(jìn)行第一次摻雜，然后采用具有柵極的圖形的掩膜版形成第一光刻膠的圖形，且以第一光刻膠的圖形為掩膜版進(jìn)行第二次摻雜，從而將多晶硅層中僅經(jīng)過(guò)第一次摻雜的區(qū)域作為ldd區(qū)域。因此，本發(fā)明實(shí)施例中僅采用形成柵極的圖形的掩膜版即可形成ldd區(qū)域，從而節(jié)省了制作薄膜晶體管的成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)-圖3(g)分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法在每步驟之后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)具有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所具有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板，用以采用形成薄膜晶體管中柵極的圖形的掩膜版形成ldd區(qū)域，從而節(jié)省了制作成本。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

s101、在襯底基板上依次形成多晶硅膜層和柵極絕緣層；

s102、采用構(gòu)圖工藝在具有柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形；

s103、對(duì)具有柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜；

s104、采用形成柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，第一光刻膠的圖形覆蓋柵極的圖形以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域；

s105、對(duì)具有第一光刻膠的圖形的襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，形成有源層的圖形。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用構(gòu)圖工藝在具有柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形，然后以柵極的圖形為掩膜版對(duì)具有柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜，使得未被柵極覆蓋的多晶硅膜層被摻雜；進(jìn)一步，采用形成柵極的圖形的掩膜版在柵極的圖形上方形成第一光刻膠的圖形，然后以第一光刻膠的圖形作為掩膜版對(duì)襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，使得僅經(jīng)過(guò)第一次摻雜的區(qū)域形成ldd區(qū)域。因此，本發(fā)明實(shí)施例中在形成薄膜晶體管的ldd區(qū)域時(shí)，僅通過(guò)一個(gè)掩膜版進(jìn)行兩次摻雜，從而節(jié)省了制作成本。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，步驟s104中采用形成柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，包括：采用形成柵極的圖形的掩膜版，在經(jīng)過(guò)第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠層，調(diào)節(jié)對(duì)第一光刻膠層的曝光量，形成第一光刻膠的圖形。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)采用形成柵極的圖形的掩膜版對(duì)有源層進(jìn)行兩次摻雜，在第二次摻雜前，通過(guò)采用形成柵極的圖形的掩膜版形成第一光刻膠層，通過(guò)調(diào)節(jié)對(duì)第一光刻膠層的曝光量，從而形成第一光刻膠的圖形，使得第一光刻膠覆蓋柵極的圖形以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域，以第一光刻膠的圖形有掩膜對(duì)襯底基板進(jìn)行第二次摻雜。其中，形成光刻膠的圖形時(shí)，通過(guò)相應(yīng)地減少曝光量，使得在掩膜版的遮光區(qū)域周邊的第一光刻膠未能經(jīng)過(guò)光照的作用顯影掉，從而使得遮光區(qū)域周變的第一光刻膠保留。其中，用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域的寬度可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光量形成。較佳地，用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域的寬度可以調(diào)節(jié)到0.6-0.8μm。因此，本發(fā)明實(shí)施例中提供的薄膜晶體管的制作方法中，ldd區(qū)域的寬度可以根據(jù)不同情況進(jìn)行調(diào)節(jié)，但是無(wú)需增加掩膜版的數(shù)量，節(jié)省了成本。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，步驟s102采用構(gòu)圖工藝在具有柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形，包括：在具有柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極金屬層；在具有柵極金屬層的襯底基板之上形成第二光刻膠層；采用掩膜版對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和第二光刻膠完全去除區(qū)域，第二光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵極的圖形的區(qū)域；刻蝕第二光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的柵極金屬層，形成柵極的圖形。具體地，形成柵極的圖形的掩膜版為僅包括完全遮光區(qū)域和完全遮擋區(qū)域的掩膜版，采用該掩膜版形成柵極的圖形。

在形成柵極的圖形之后，在具有柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜，因此，本發(fā)明實(shí)施例中在進(jìn)行第一次摻雜時(shí)，是以柵極的圖形為掩膜版對(duì)襯底基板形成第一摻雜區(qū)域，且第一摻雜區(qū)域位于多晶硅膜層中除了與柵極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外的區(qū)域。因此，第一次摻雜的離子的濃度較低，為輕摻雜。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用干刻的方式刻蝕第二光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的柵極金屬層。具體地，針對(duì)圖2所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管包括襯底基板01、設(shè)置在襯底基板01之上的有源層02、柵極絕緣層03，以及設(shè)置在柵極絕緣層03之上柵極04、第一絕緣層05、源極06和漏極07，還包括與柵極04同層設(shè)置的第一柵極041，以及設(shè)置在第一絕緣層05、源極06之間的第二柵極042和第二絕緣層08，其中，第一柵極041和第二柵極042組成存儲(chǔ)電容。其中，為了使得第一柵極041和第二柵極042之間組成存儲(chǔ)電容，第一柵極041的坡度角小于30°。而當(dāng)采用濕刻工藝形成柵極的圖形時(shí)，柵極或者第一柵極的坡度角接近70°，為了保證存儲(chǔ)電容的值，第一柵極和第二柵極之間的第一絕緣層的厚度都比第一柵極或柵極的厚度小，這樣在第一柵極的邊緣的第一絕緣層會(huì)斷裂，造成第一柵極和第二柵極的金屬短路，導(dǎo)致顯示異常的情況。因此，為了避免針對(duì)oled顯示器件中的薄膜晶體管中的存儲(chǔ)電容產(chǎn)生短路的現(xiàn)象，本發(fā)明實(shí)施例中在形成柵極的圖形時(shí)，采用干刻的工藝形成。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，為了方便后續(xù)膜層的形成，形成柵極的圖形之后，該方法還包括：剝離第二光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第二光刻膠層。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，步驟s104采用形成柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，包括：在經(jīng)過(guò)第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠層；采用掩膜版對(duì)第一光刻膠層曝光、顯影，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域和第一光刻膠完全去除區(qū)域，第一光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵極的區(qū)域以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中，形成柵極的圖形的掩膜版具有透光區(qū)域和遮光區(qū)域。通過(guò)適當(dāng)調(diào)節(jié)曝光量的多少，使得采用該掩膜版形成的第一光刻膠的圖形，至少覆蓋柵極的區(qū)域以及柵極周邊的區(qū)域。因此，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)掩膜版形成柵極的圖形，通過(guò)調(diào)節(jié)曝光量采用該掩膜版形成第一光刻膠的圖形，分別通過(guò)柵極的圖形對(duì)多晶硅層進(jìn)行第一次摻雜，通過(guò)第一光刻膠的圖形對(duì)多晶硅進(jìn)行第二次摻雜，使得僅通過(guò)第一次摻雜的區(qū)域形成ldd區(qū)域。從而節(jié)省了制作薄膜晶體管的制作成本，且由于第一光刻膠的圖形是通過(guò)調(diào)節(jié)曝光量形成的，從而進(jìn)一步調(diào)節(jié)了ldd區(qū)域的寬度；另外，形成第一光刻膠的圖形是采用形成柵極的圖形的掩膜版形成的，從而進(jìn)一步節(jié)省了制作成本。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，為了方便后續(xù)膜層的形成，形成有源層的圖形之后，該方法還包括：剝離第一光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第一光刻膠層。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，第一次摻雜為輕摻雜，第二次摻雜為重?fù)诫s。具體地，第一次摻雜的離子濃度小于第二次摻雜的離子的濃度。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，包括本發(fā)明實(shí)施例提供上述的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管。

下面以一個(gè)具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明采用本發(fā)明提供的方法制作薄膜晶體管的過(guò)程，具體如下：

步驟一、在襯底基板01上形成緩沖層10、多晶硅膜層11、柵極絕緣層03，如圖3(a)所示；

其中，襯底基板的材料可以為玻璃、石英、硅或有機(jī)聚合物等，緩沖層的材料可以是氧化硅、氮化硅或者兩者的組合物；

步驟二、在柵極絕緣層03的圖形上方形成柵極金屬層12、第二光刻膠層13，如圖3(b)所示；

其中，柵極的材料可以為鉬、鋁、鈦、銅或金等材料；

步驟三、采用掩膜版1對(duì)第二光刻膠層13進(jìn)行曝光、顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域131和第二光刻膠完全去除區(qū)域132，第二光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵極的圖形的區(qū)域；刻蝕第二光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的柵極金屬層，形成柵極04的圖形，如圖3(c)所示；

步驟四、剝離第二光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第二光刻膠層13，并對(duì)襯底基板進(jìn)行輕摻雜，如圖3(d)所示；

步驟五、在柵極的上方形成第一光刻膠層14，采用掩膜版1對(duì)第一光刻膠層14進(jìn)行曝光，并調(diào)節(jié)對(duì)第一光刻膠的曝光量，通過(guò)顯影技術(shù)，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域141和第一光刻膠完全去除區(qū)域142，第一光刻膠完全保留區(qū)域141對(duì)應(yīng)柵極的區(qū)域以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域，如圖3(e)所示；

步驟六、對(duì)圖3(e)所示的襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，從而形成ldd區(qū)域p，使得多晶硅膜層形成有源層，如圖3(f)所示；

步驟七、剝離第一光刻膠完全保留區(qū)域所對(duì)應(yīng)的第一光刻膠層，并在柵極的圖形之上形成層間絕緣層15、源極06和漏極07的圖形，如圖3(g)所示。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、oled顯示面板，該方法包括：在襯底基板上依次形成多晶硅膜層和柵極絕緣層；采用構(gòu)圖工藝在具有所述柵極絕緣層的襯底基板之上形成柵極的圖形；對(duì)具有所述柵極的圖形的襯底基板進(jìn)行第一次摻雜；采用形成所述柵極的圖形的掩膜版在經(jīng)過(guò)所述第一次摻雜之后的襯底基板上形成第一光刻膠的圖形，所述第一光刻膠的圖形覆蓋所述柵極的圖形以及用于形成輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域；對(duì)具有所述第一光刻膠的圖形的襯底基板進(jìn)行第二次摻雜，形成有源層的圖形?？梢?jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)以柵極的圖形為掩膜版對(duì)襯底基板進(jìn)行第一次摻雜，然后采用具有柵極的圖形的掩膜版形成第一光刻膠的圖形，且以第一光刻膠的圖形為掩膜版進(jìn)行第二次摻雜，從而將多晶硅層中僅經(jīng)過(guò)第一次摻雜的區(qū)域作為ldd區(qū)域。因此，本發(fā)明實(shí)施例中僅采用形成柵極的圖形的掩膜版即可形成ldd區(qū)域，從而節(jié)省了制作薄膜晶體管的成本。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。