本發(fā)明涉及半導體制造業(yè)技術領域，尤其一種基于二次濕法刻蝕的處理方法。
背景技術：
二十一世紀，社會邁入了超高速發(fā)展的信息時代，全球數(shù)據(jù)業(yè)務呈現(xiàn)幾何倍數(shù)的爆炸式增長，對網(wǎng)絡帶寬和速度的需求飛速增長，這為傳統(tǒng)電信業(yè)務的迅速發(fā)展提供了新的挑戰(zhàn)和機遇。近年來，隨著人們不斷增長的通信帶寬與速度的需求，傳統(tǒng)的si半導體器件受材料本征極限的限制，已無法滿足應用需求。人們的研究重點從單元素半導體轉(zhuǎn)向了化合物半導體，即以gaas、inp為代表的第二代半導體和以sic、gan為代表的第三代寬禁帶半導體。
與傳統(tǒng)的si半導體不同，很多化合物半導體器件需要進行刻蝕深度較深的刻蝕工藝，且出于設備成本、工藝穩(wěn)定度、工藝性價比等方面考量，多采用濕法工藝制作。例如在gaashbt器件制作過程中，發(fā)射極臺面和集電極臺面刻蝕深度累計達到了約1μm~2μm；在gaaspin器件制作過程中，根據(jù)器件需求不同，中間的絕緣層刻蝕深度從0.5μm~2μm不等。由于刻蝕深度的精準度將直接影響器件性能，而實際的刻蝕速率溶液當天濃度變化、環(huán)境變化等諸多因素影響，因此一般采用兩次刻蝕的方式，即根據(jù)第一次刻蝕得到的實際刻蝕速率，精確計算第二次刻蝕所需時間，進行二次刻蝕得到精準刻蝕深度的化合物半導體器件。
在實際制作過程中，一方面為了精確控制刻蝕深度，總共刻蝕時間一般較長，在2分鐘以上，對光膠在晶圓表面的附著力提出了挑戰(zhàn)；另一方面，由于第一次刻蝕后，暴露在潔凈室中，表面難免會附著一些顆粒，顆粒將惡化刻蝕后臺面形貌，影響器件性能，一般采用弱堿性的氨水（一般為1%~5%）去除顆粒，但由于刻蝕晶圓表面圖形的光膠呈弱酸性，在去除顆粒的同時會去除少量的光膠且降低光膠在圖形邊的附著力，增加了刻蝕失敗的風險。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種基于二次濕法刻蝕的處理方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的：一種基于二次濕法刻蝕的處理方法，包括以下步驟：
s1：在經(jīng)過一次刻蝕后，采用烘烤的方式處理一次刻蝕完成后的晶圓，增加光膠與晶圓的附著力；
s2：采用反應離子束（rie）方法處理晶圓表面，在光膠表面形成一層高分子聚合物；
s3：采用一定濃度的氨水去除一次刻蝕形成的顆粒；
s4：進行二次刻蝕。
進一步地，在采用烘烤的方式處理一次刻蝕完成后的晶圓之前，還包括一個量測步驟：
s0：在經(jīng)過一次刻蝕后，對晶圓進行必要數(shù)據(jù)的量測。
進一步地，所述的必要數(shù)據(jù)包括刻蝕深度、關鍵尺寸。
進一步地，所述的晶圓包括gaas、inp、藍寶石、sic、gan。
進一步地，所述的烘烤的方式包含熱板、烘箱。
進一步地，烘烤的溫度小于120攝氏度。
進一步地，采用反應離子束方法處理晶圓表面時采用的氣體為含c的f基氣體。
進一步地，所述的含c的f基氣體包括cf4、ch3f。
進一步地，所述的氨水的濃度為0.1%~10%。
進一步地，所述的氨水的濃度為1%~5%。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明在進行二次刻蝕前，增加光膠烘烤工藝，并結合含c的f基氣體處理光膠的方式，增加表面附著力，在表面形成一層高聚物，采用氨水等弱堿溶液處理表面，去除表面附著顆粒。在精確控制刻蝕深度的同時，進一步提高刻蝕質(zhì)量，確?；衔锇雽w器件的良好性能。
附圖說明
圖1為本發(fā)明方法流程圖。
具體實施方式
下面結合附圖進一步詳細描述本發(fā)明的技術方案：如圖1所示，一種基于二次濕法刻蝕的處理方法，包括以下步驟：
s1：在經(jīng)過一次刻蝕后，對晶圓進行必要數(shù)據(jù)的量測；其中，所述的晶圓包括gaas、inp、藍寶石、sic、gan；所述的必要數(shù)據(jù)包括刻蝕深度、關鍵尺寸；
s2：采用光膠烘烤工藝處理一次刻蝕完成后的晶圓，增加光膠與晶圓的表面附著力；其中，烘烤的方式包含熱板、烘箱，烘烤的溫度小于120攝氏度；
s3：用含c的f基氣體，在較小的功率（≤400w）下處理晶圓表面，在光膠表面形成一層高聚物，該高聚物在弱堿性的氨水（一般為1%~5%）去除顆粒工藝時，用以保護光膠免受氨水攻擊；其中，所述的含c的f基氣體包括cf4、ch3f；
s4：采用弱堿性的氨水處理表面，去除表面附著顆粒；其中，所述的氨水的濃度為0.1%~10%；更優(yōu)地，所述的氨水的濃度為1%~5%；
s5：進行二次刻蝕。
具體地，在本實施例中，在第一次刻蝕結束后，采用烘烤的方式增加光膠與晶圓的附著力，用含c的f基氣體，在較小的功率下處理晶圓表面，在光膠表面形成一層高分子聚合物，在弱堿性的氨水（一般為1%~5%）去除顆粒工藝時，用以保護光膠免受氨水攻擊，然后再進行二次刻蝕。
本發(fā)明的上述實施例是為說明本發(fā)明所列舉的典型實施方式，而不是對本發(fā)明的實施方式所作的限定。由本發(fā)明實施例的提示所引申出的明顯的變化方式仍處于本發(fā)明的權利保護范圍當中。