技術(shù)編號：12907331
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其一種基于二次濕法刻蝕的處理方法。背景技術(shù)二十一世紀(jì)，社會邁入了超高速發(fā)展的信息時代，全球數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)呈現(xiàn)幾何倍數(shù)的爆炸式增長，對網(wǎng)絡(luò)帶寬和速度的需求飛速增長，這為傳統(tǒng)電信業(yè)務(wù)的迅速發(fā)展提供了新的挑戰(zhàn)和機遇。近年來，隨著人們不斷增長的通信帶寬與速度的需求，傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體器件受材料本征極限的限制，已無法滿足應(yīng)用需求。人們的研究重點從單元素半導(dǎo)體轉(zhuǎn)向了化合物半導(dǎo)體，即以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體和以SiC、GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體。與傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體...
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