本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，涉及一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法。

背景技術(shù)：

以摩爾定律為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去半個世紀(jì)推動了計算(pc)和通訊(互聯(lián)網(wǎng))兩個信息技術(shù)浪潮滾滾向前。然而，隨著硅cmos器件尺寸日益接近原子等級的物理極限，摩爾定律發(fā)展因巨大的研發(fā)投入和制造的困難度而遇到了瓶頸?！俺侥枴?mtm)產(chǎn)業(yè)是指不以縮小器件尺寸為技術(shù)創(chuàng)新的成熟半導(dǎo)體及其延伸技術(shù)，其中包含微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem，mems)、光電、射頻、功率、模擬、微流體、微能源等。

相比于體硅材料，iii族氮化物(亦稱iii-n化合物)材料因其直接帶隙、極大內(nèi)建電場等特性，在光電、功率、射頻、mems等領(lǐng)域有其獨特優(yōu)勢。其中，iii指元素周期表中第iii族中的至少一種元素。

體硅是實現(xiàn)摩爾定律的襯底材料平臺。而新型的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底也將是實現(xiàn)“超越摩爾定律”重要的新技術(shù)創(chuàng)新平臺。

由于iii族氮化物晶體主要為六方晶格，一般僅能生長于六軸對稱的si(111)晶面；而cmos硅工藝大多采用si(100)晶向的硅襯底。

因此，如何提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法，以將iii族氮化物與可用于cmos工藝的si(100)襯底集成，為多種超越摩爾定律產(chǎn)品提供cmos兼容的高質(zhì)量iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中超越摩爾產(chǎn)品缺乏與cmos兼容的高質(zhì)量iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底包括：

硅襯底；

形成于所述硅襯底第一預(yù)設(shè)區(qū)域表面的iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；

形成于所述硅襯底第二預(yù)設(shè)區(qū)域表面的硅基疊層結(jié)構(gòu)；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括第一絕緣層、硅層、第二絕緣層；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)之間通過隔離結(jié)構(gòu)隔離；

覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)表面的蓋帽層。

可選地，所述硅襯底采用(111)晶向硅，所述硅層采用(100)晶向硅。

可選地，所述第一絕緣層、第二絕緣層均包括二氧化硅材料。

可選地，所述蓋帽層包括二氧化硅材料。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、n型gan層、ingan量子阱層及p型gan層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、第一非故意摻雜gan層、n型gan層、第二非故意摻雜gan層及p型gan層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、n型gan層及algan蓋帽層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、algan層、n型gan層、ingan量子阱層、p型algan層及p型gan層。

本發(fā)明還提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法，包括如下步驟：

s1：提供一自下而上依次包括硅襯底、第一絕緣層及硅層的soi襯底；

s2：在所述硅層表面形成第二絕緣層，并刻蝕得到外延窗口；所述外延窗口自上而下依次貫穿所述第二絕緣層、硅層、第一絕緣層，并暴露出所述硅襯底；

s3：在所述外延窗口側(cè)壁形成作為隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)墻；

s4：在所述外延窗口內(nèi)外延生長iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；所述第一絕緣層、硅層、第二絕緣層構(gòu)成硅基疊層結(jié)構(gòu)；

s5：形成覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)表面的蓋帽層。

可選地，所述soi襯底采用混合晶向襯底，其中，所述硅襯底采用(111)晶向硅，所述硅層采用(100)晶向硅。

可選地，所述soi襯底采用鍵合技術(shù)得到。

可選地，于所述步驟s2中，形成所述外延窗口時，采用濕法腐蝕工藝刻蝕所述第一絕緣層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、n型gan層、ingan量子阱層及p型gan層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、第一非故意摻雜gan層、n型gan層、第二非故意摻雜gan層及p型gan層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、n型gan層及algan蓋帽層。

可選地，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括緩沖層、非故意摻雜gan層、algan層、n型gan層、ingan量子阱層、p型algan層及p型gan層。

如上所述，本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法，具有以下有益效果：本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法將硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，其中，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)多種超越摩爾的應(yīng)用。本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法所得的新型異質(zhì)集成襯底與cmos兼容，可以為實現(xiàn)“超越摩爾定律”產(chǎn)品提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2-圖5顯示為所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)在不同應(yīng)用中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法的工藝流程圖。

圖7顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法提供的soi襯底的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法在所述硅層表面形成第二絕緣層，并刻蝕得到外延窗口的示意圖。

圖9顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法在所述外延窗口側(cè)壁形成作為隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)墻的示意圖。

圖10顯示為本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法在所述外延窗口內(nèi)外延生長iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)的示意圖。

元件標(biāo)號說明

1硅襯底

2iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)

201，206，211，215緩沖層

202，207，209，212，216非故意摻雜gan層

203，208，213，218n型gan層

204，219ingan量子阱層

205，210，221p型gan層

214algan蓋帽層

217algan層

220p型algan層

3硅基疊層結(jié)構(gòu)

301第一絕緣層

302硅層

303第二絕緣層

4隔離結(jié)構(gòu)

5蓋帽層

6外延窗口

s1-s5步驟

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。

請參閱圖1至圖10。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實施例一

本發(fā)明提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，請參閱圖1，顯示為所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括：

硅襯底1；

形成于所述硅襯底1第一預(yù)設(shè)區(qū)域表面的iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2；

形成于所述硅襯底1第二預(yù)設(shè)區(qū)域表面的硅基疊層結(jié)構(gòu)3；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3自下而上依次包括第一絕緣層301、硅層302、第二絕緣層303；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2之間通過隔離結(jié)構(gòu)4隔離；

覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2表面的蓋帽層5。

由于傳統(tǒng)電路多是在si(100)上制造的，本實施例中，所述硅層302優(yōu)選采用(100)晶向硅。而iii族氮化物是在si(111)上生長的，本實施例中，所述硅襯底1優(yōu)選采用(111)晶向硅。

具體的，所述第一絕緣層301的作用是隔離所述硅襯底2與所述硅層302，通常采用二氧化硅材料。所述第二絕緣層303的作用是保護所述硅層302表面，包括但不限于二氧化硅材料。所述蓋帽層5對所述硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)起保護作用，包括但不限于二氧化硅材料。

本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底中，硅基疊層結(jié)構(gòu)3與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2集成于同一硅襯底1上，其中，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2可以實現(xiàn)多種超越摩爾的應(yīng)用。

在一種應(yīng)用實例中，所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底可用于實現(xiàn)集成的發(fā)光二極管和驅(qū)動。其中，發(fā)光二極管(lightemittingdiode，簡稱led)是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，利用半導(dǎo)體p-n結(jié)電致發(fā)光原理制成。氮化鎵(gan)基化合物為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體，其帶隙從1.8-6.2ev連續(xù)可調(diào)，并且具有很高的擊穿電壓，因而被廣泛應(yīng)用于高亮度藍綠光發(fā)光二極管、藍紫光激光二極管(ld，laserdiode)。

作為示例，如圖2所示，對于應(yīng)用于集成的led和驅(qū)動的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層201、非故意摻雜gan層202、n型gan層203、ingan量子阱層204及p型gan層205。其中，所述緩沖層201采用gan材料，其作用是降低后續(xù)外延材料與所述硅襯底1之間的晶格失配。

在另一種應(yīng)用實例中，所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底還可用于實現(xiàn)集成的紫外線傳感器和asic。其中，asic(applicationspecificintegratedcircuit)在集成電路界被認(rèn)為是一種為專門目的而設(shè)計的集成電路。紫外線傳感器(uv傳感器)是一種可以利用光敏元件通過光伏模式和光導(dǎo)模式將紫外線信號轉(zhuǎn)換為可測量的電信號的傳感器。最早的紫外線傳感器是基于單純的硅，但是根據(jù)美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的指示，單純的硅二極管也響應(yīng)可見光，形成本來不需要的電信號，導(dǎo)致精度不高。而基于gan的紫外線傳感器，其精度遠遠高于單晶硅的精度，成為最常用的紫外線傳感器材料。

作為示例，如圖3所示，對于應(yīng)用于集成的uv傳感器和asic的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層206、第一非故意摻雜gan層207、n型gan層208、第二非故意摻雜gan層209及p型gan層210。

在另一種應(yīng)用實例中，所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底還可用于實現(xiàn)集成的alganhemt和cmosic。其中alganhemt是指采用algan材料的高電子遷移率場效應(yīng)晶體管(hemt，highelectronmobilitytransistor)。gan材料與algan形成的二維電子氣遷移率大于2000cm²/v·s，載流子面濃度可達到10¹³量級，因而algan/ganhemt更適合于高頻大功率方面的應(yīng)用。而cmos-ic(互補型mos集成電路，complementarymosintegratedcircuit)由pmos管和nmos管共同構(gòu)成。

作為示例，如圖4所示，對于應(yīng)用于集成的alganhemt和cmosic的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層211、非故意摻雜gan層212、n型gan層213及algan蓋帽層214。

在另一中應(yīng)用實例中，所述iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底還可用于實現(xiàn)集成的激光器(laser)和驅(qū)動。

作為示例，如圖5所示，對于應(yīng)用于集成的激光器和驅(qū)動的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層215、非故意摻雜gan層216、algan層217、n型gan層218、ingan量子阱層219、p型algan層220及p型gan層221。

當(dāng)然，在其它實施例中，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的具體組成可以根據(jù)應(yīng)用的產(chǎn)品不同而有所改變，此處不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護范圍。

本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底將硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，其中，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)多種超越摩爾的應(yīng)用。本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底與cmos兼容，可以為實現(xiàn)“超越摩爾定律”提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺。

實施例二

本發(fā)明還提供一種iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法，請參閱圖6，顯示為該方法的工藝流程圖，包括如下步驟：

s1：提供一自下而上依次包括硅襯底、第一絕緣層及硅層的soi襯底；

s2：在所述硅層表面形成第二絕緣層，并刻蝕得到外延窗口；所述外延窗口自上而下依次貫穿所述第二絕緣層、硅層、第一絕緣層，并暴露出所述硅襯底；

s3：在所述外延窗口側(cè)壁形成作為隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)墻；

s4：在所述外延窗口內(nèi)外延生長iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；所述第一絕緣層、硅層、第二絕緣層構(gòu)成硅基疊層結(jié)構(gòu)；

s5：形成覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)表面的蓋帽層。

首先請參閱圖7，執(zhí)行步驟s1：提供一自下而上依次包括硅襯底1、第一絕緣層301及硅層302的soi襯底。

由于傳統(tǒng)電路通常是在si(100)上制造的，而iii族氮化物是在si(111)上生長的，因此，本發(fā)明中，所述soi襯底優(yōu)選采用采用混合晶向襯底，其中，所述硅襯底1采用(111)晶向硅，所述硅層302采用(100)晶向硅。而作為絕緣埋層的所述第一絕緣層301，通常采用二氧化硅材料。

具體的，所述soi襯底可采用鍵合(bonding)技術(shù)得到，例如soitec公司的利用鍵合技術(shù)的智能剝離(smart-cut)技術(shù)或者新傲公司的simbond技術(shù)等。

鍵合技術(shù)是指通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之間使用鍵合技術(shù)，使兩個圓片能夠緊密鍵合在一起，并且在中間形成二氧化硅層充當(dāng)絕緣層，鍵合圓片在此圓片的一側(cè)削薄到所要求的厚度后得以制成。

smart-cut技術(shù)是一種注入氫離子然后進行剝離的技術(shù)，即在鍵合的一片晶片上注入氫離子，然后和另一硅片在一定溫度下鍵合，鍵合熱處理溫度在大約500℃時，氫離子注入處會形成連續(xù)的空腔，從而自動剝離形成soi結(jié)構(gòu)。

而利用鍵合技術(shù)的智能剝離技術(shù)可以獲得超薄的硅層，并可以得到混合晶向的soi襯底。

simbond是一種注氧鍵合技術(shù)，其在硅材料上注入離子，產(chǎn)生了一個分布均勻的離子注入層，此層用來充當(dāng)化學(xué)腐蝕阻擋層，可對圓片在最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。采用simbond技術(shù)制備的soi硅片具有優(yōu)越的soi薄膜均勻性，同時也能得到厚的絕緣埋層。

然后請參閱圖8，執(zhí)行步驟s2：在所述硅層302表面形成第二絕緣層303，并刻蝕得到外延窗口6；所述外延窗口6自上而下依次貫穿所述第二絕緣層303、硅層302、第一絕緣層301，并暴露出所述硅襯底1。

具體的，所述第二絕緣層303可以保護所述硅層302的表面，同時作為刻蝕掩模。本實施例中，所述第二絕緣層303優(yōu)選采用二氧化硅材料。

具體的，在形成所述外延窗口6時，刻蝕中間絕緣埋層(第一絕緣層301)使用濕法腐蝕工藝，可以避免干法刻蝕對所述硅襯底1表面形成的缺陷。而高質(zhì)量的si(111)襯底面可以為后續(xù)外延iii族氮化物提供一個良好的生長基底。

接著請參閱圖9，執(zhí)行步驟s3：在所述外延窗口6側(cè)壁形成作為隔離結(jié)構(gòu)4的側(cè)墻。

具體的，所述側(cè)墻起隔離作用，包括但不限于二氧化硅、氮化硅等絕緣材料。

再請參閱圖10，執(zhí)行步驟s4：在所述外延窗口6內(nèi)外延生長iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2；所述第一絕緣層301、硅層302、第二絕緣層303構(gòu)成硅基疊層結(jié)構(gòu)3。

具體的，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2可以實現(xiàn)多種超越摩爾的應(yīng)用。

作為示例，如圖2所示，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層201、非故意摻雜gan層202、n型gan層203、ingan量子阱層204及p型gan層205。包括該iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底可以應(yīng)用于集成的led和驅(qū)動的制作。

作為示例，如圖3所示，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層206、第一非故意摻雜gan層207、n型gan層208、第二非故意摻雜gan層209及p型gan層210。包括該iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底可以應(yīng)用于集成的uv傳感器和asic的制作。

作為示例，如圖4所示，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層211、非故意摻雜gan層212、n型gan層213及algan蓋帽層214。包括該iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底可以應(yīng)用于集成的alganhemt和cmosic的制作。

作為示例，如圖5所示，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2自下而上依次包括緩沖層215、非故意摻雜gan層216、algan層217、n型gan層218、ingan量子阱層219、p型algan層220及p型gan層221。包括該iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底可以應(yīng)用于集成的激光器(laser)和驅(qū)動的制作。

當(dāng)然，在其它實施例中，所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2的具體組成可以根據(jù)應(yīng)用的產(chǎn)品不同而有所改變，此處不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護范圍。

最后請參閱圖1，執(zhí)行步驟s5：形成覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2表面的蓋帽層5。

具體的，所述蓋帽層5對所述硅基疊層結(jié)構(gòu)3及所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)2起保護作用。本實施例中，所述蓋帽層5優(yōu)選采用二氧化硅材料。

本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底的制造方法工藝簡單，可以制作得到多種cmos兼容的新型iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底，為實現(xiàn)“超越摩爾定律”提供了重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺。

綜上所述，本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法將硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，其中，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述iii族氮化物疊層結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)多種超越摩爾的應(yīng)用。本發(fā)明的iii族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法所得的新型異質(zhì)集成襯底與cmos兼容，可以為實現(xiàn)“超越摩爾定律”產(chǎn)品提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。