技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法，所述III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底包括：硅襯底；形成于所述硅襯底第一預(yù)設(shè)區(qū)域表面的III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；形成于所述硅襯底第二預(yù)設(shè)區(qū)域表面的硅基疊層結(jié)構(gòu)；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括第一絕緣層、硅層、第二絕緣層；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)之間通過(guò)隔離結(jié)構(gòu)隔離；覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)及所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)表面的蓋帽層。本發(fā)明的III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法將硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，所得新型異質(zhì)集成襯底與CMOS兼容，可以為實(shí)現(xiàn)“超越摩爾定律”產(chǎn)品提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海芯晨科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.29
技術(shù)公布日：2017.11.10