本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種oled基板和一種oled顯示裝置。

背景技術(shù)：

一般的，打印有機(jī)發(fā)光二極體(printedoled)因具有高材料利用率、高效率等特點(diǎn)，以及應(yīng)用于顯示器不需精細(xì)金屬掩膜(finemetalmask，fmm)或其他復(fù)雜圖案化工藝等特性，易于大面積制備及全色顯示等優(yōu)點(diǎn)。因此，打印有機(jī)發(fā)光二極體具有廣闊的應(yīng)用前景，尤其適合應(yīng)用于大尺寸顯示器中，即大尺寸的oled顯示裝置。

這其中，為了增加oled顯示裝置的開口率等，往往將其設(shè)計(jì)為頂發(fā)射型。然而，傳統(tǒng)的頂發(fā)射型oled顯示裝置，其中的陰極的阻抗較大，而oled顯示裝置又為電流驅(qū)動(dòng)的器件，工作過程中的電流流經(jīng)阻抗較大的陰極將造成較大的壓降，也就是所謂的ir壓降(ir-drop)。

因此，如何解決oled顯示裝置的ir壓降成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種oled基板和一種oled顯示裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面，提供一種oled基板，所述oled基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的功能元件層，所述功能元件層包括位于該功能元件層表層的導(dǎo)電層，所述oled基板還包括形成在所述襯底基板上的至少一個(gè)連接件，所述連接件能夠?qū)щ?，所述連接件設(shè)置在所述導(dǎo)電層上，當(dāng)所述連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，所述連接件為熔融態(tài)，當(dāng)所述連接件所處的溫度小于所述預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，所述連接件為固態(tài)。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為網(wǎng)格狀，且所述導(dǎo)電層與像素單元中的子像素的邊界重疊，所述功能元件層還包括多個(gè)支撐物，所述支撐物設(shè)置在所述襯底基板和所述導(dǎo)電層之間，且所述導(dǎo)電層覆蓋所述支撐物，所述連接件設(shè)置在所述支撐物的背離所述襯底基板的端部。

優(yōu)選地，所述功能元件層包括依次形成在所述襯底基板上的陽極層、發(fā)光層和陰極層，所述導(dǎo)電層包括所述陰極層，所述功能元件層還包括像素界定件，所述像素界定件將所述功能元件層劃分為多個(gè)像素單元，所述連接件位于所述像素界定件上方。

優(yōu)選地，所述功能元件層還包括修飾層，所述修飾層位于所述陰極層的下方，并與所述陰極層接觸。

優(yōu)選地，所述連接件的材料包括鎵基合金或銦、錫、鉍和鋅中任意兩種或以上的合金。

本發(fā)明的第二方面，提供一種oled顯示裝置，所述oled顯示裝置包括封裝蓋板和oled顯示基板，所述封裝蓋板上設(shè)置有導(dǎo)電層，所述oled顯示裝置還包括至少一個(gè)連接件，所述連接件位于所述導(dǎo)電層和所述oled顯示基板的陰極之間，所述連接件能夠?qū)щ?，所述連接件分別電連接所述導(dǎo)電層和所述oled顯示基板的陰極層，以使得所述導(dǎo)電層與所述oled顯示基板的陰極層并聯(lián)；當(dāng)所述連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，所述連接件為熔融態(tài)，當(dāng)所述連接件所處的溫度小于所述預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，所述連接件為固態(tài)。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為網(wǎng)格狀，且所述導(dǎo)電層與像素單元中的子像素的邊界重疊。

優(yōu)選地，所述oled顯示基板還包括像素界定件，所述像素界定件將所述oled顯示基板劃分為多個(gè)像素單元，所述連接件位于所述像素界定件上方。

優(yōu)選地，所述封裝蓋板的朝向所述oled顯示基板的一側(cè)還設(shè)置有多個(gè)支撐物，所述導(dǎo)電層覆蓋所述支撐物，所述連接件設(shè)置在所述支撐物的背離所述封裝蓋板的端部。

優(yōu)選地，所述oled顯示基板上還設(shè)置有修飾層，所述修飾層位于所述陰極層的下方，并與所述陰極層接觸。

本發(fā)明的oled基板，設(shè)置有導(dǎo)電層和連接件，且該連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)能夠形成熔融態(tài)接點(diǎn)，因此，當(dāng)利用該基板與另一個(gè)基板封裝形成oled顯示裝置時(shí)，也即在進(jìn)行封裝時(shí)，所形成的熔融態(tài)接點(diǎn)能夠使得兩個(gè)基板的連接點(diǎn)位置保持良好地歐姆接觸，當(dāng)封裝完成以后，能夠有效提高所形成的oled顯示裝置的顯示性能。同時(shí)，呈熔融態(tài)的連接件，在封裝壓合過程中，還能夠有效保護(hù)兩個(gè)基板上的膜層結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率。

本發(fā)明的oled顯示裝置，在封裝蓋板和oled顯示基板之間設(shè)置有上述的連接件，且該連接件所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)能夠形成熔融態(tài)接點(diǎn)，因此，當(dāng)將封裝蓋板和oled顯示基板進(jìn)行封裝以形成該oled顯示裝置時(shí)，所形成的熔融態(tài)接點(diǎn)能夠使得封裝蓋板上的導(dǎo)電層與oled顯示基板的陰極層保持良好地歐姆接觸，當(dāng)封裝完成以后，能夠有效提高所形成的oled顯示裝置的顯示性能。同時(shí)，呈熔融態(tài)的連接件，在封裝壓合過程中，還能夠有效保護(hù)兩個(gè)基板上的膜層結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1為本發(fā)明中oled顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明

110：襯底基板；

121：導(dǎo)電層；

121a：輔助導(dǎo)電層；

121b：連接導(dǎo)電層；

122：支撐物；

123：陽極層；

124：發(fā)光層；

125：陰極層；

126：像素界定件；

127：修飾層；

128：直流輸入接口；

130：連接件；

200：oled顯示裝置；

210：封裝蓋板；

220：oled顯示基板；

230：填充物；

240：封框膠層。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

參考圖1，本發(fā)明的第一方面，涉及一種oled基板。該oled基板包括襯底基板110以及形成在襯底基板110上的功能元件層。該功能元件層包括位于該功能元件層表層的導(dǎo)電層121。

其中，上述oled基板還包括形成在襯底基板110上的至少一個(gè)連接件130，該連接件130能夠?qū)щ?，也就是說，該連接件130由導(dǎo)電材料制成或者是在連接件130的表面上涂覆有導(dǎo)電材料等。

上述連接件130設(shè)置在上述導(dǎo)電層121上，也就是說，該連接件130與導(dǎo)電層121電連接。當(dāng)連接件130所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，該連接件130為熔融態(tài)，當(dāng)連接件130所處的溫度低于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，該連接件130為固態(tài)。也就是說，連接件130隨著所處的溫度的變化，其可以在固態(tài)和熔融態(tài)之間轉(zhuǎn)化。

為了便于說明，以該oled基板為封裝蓋板210為例進(jìn)行說明。在封裝蓋板210的封裝制程中，控制封裝制程的溫度，保證該封裝制程所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度，以使得連接件130呈熔融態(tài)(也就是說，相當(dāng)于連接件130變軟或者熔化，形成接點(diǎn))。因此，在利用外力將封裝蓋板210和oled顯示基板220壓合封裝時(shí)，連接件130能夠更好地與封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121以及與下述oled顯示基板220上的陰極層125電連接，當(dāng)封裝完成以后，連接件130重新由熔融態(tài)變?yōu)楣虘B(tài)，依然與封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121和oled顯示基板220的陰極層125保持良好地電性接觸，也即保持良好地歐姆接觸。也就是說，連接件130能夠更好地搭接在oled顯示基板220的陰極層125上，實(shí)現(xiàn)與oled顯示基板220上的陰極層125并聯(lián)，從而能夠降低oled顯示基板220的陰極層125的電阻，進(jìn)而能夠降低oled顯示基板220上的ir壓降，提高封裝所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。

需要說明的是，該oled基板也可以為oled顯示基板220，在該oled基板為oled顯示基板220時(shí)，上述的導(dǎo)電層121應(yīng)當(dāng)為oled顯示基板220的陰極層125，同樣的，設(shè)置有上述的連接件130，在將該結(jié)構(gòu)的oled顯示基板220與封裝蓋板210在預(yù)設(shè)封裝溫度下進(jìn)行封裝時(shí)，該連接件130可以將oled顯示基板220的陰極層125與封裝蓋板220上的導(dǎo)電層121電連接，從而降低oled顯示基板220的陰極層125的電阻，進(jìn)而能夠降低oled顯示基板220上的ir壓降，提高封裝所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。

進(jìn)一步需要說明的是，至于具體的預(yù)設(shè)封裝溫度，可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行確定，在此不作限定。

仍需要說明的是，對(duì)于連接件130的具體材料并沒有作出限定，但是，該連接件130應(yīng)當(dāng)能夠滿足在其所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，其能夠由固態(tài)變?yōu)槿廴趹B(tài)，在低于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，能夠從熔融態(tài)重新變?yōu)楣虘B(tài)即可。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的oled基板，設(shè)置有導(dǎo)電層121和連接件130，且該連接件130所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)能夠形成熔融態(tài)接點(diǎn)，因此，當(dāng)利用該基板與另一個(gè)基板封裝形成oled顯示裝置200時(shí)，也即在進(jìn)行封裝時(shí)，所形成的熔融態(tài)接點(diǎn)能夠使得兩個(gè)基板的連接點(diǎn)位置保持良好地歐姆接觸，當(dāng)封裝完成以后，能夠有效提高所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。同時(shí)，呈熔融態(tài)的連接件130，在封裝壓合過程中，還能夠有效保護(hù)兩個(gè)基板上的膜層結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率。

優(yōu)選地，上述導(dǎo)電層121為網(wǎng)格狀，且導(dǎo)電層121與像素單元(圖中并未示出)中的子像素(圖中并未示出)的邊界重疊。

也就是說，該oled基板為封裝蓋板210，其中所設(shè)置的導(dǎo)電層121為網(wǎng)格狀，并且網(wǎng)格狀的導(dǎo)電層121與子像素的邊界重疊。因此，該導(dǎo)電層121并不會(huì)阻擋像素單元中子像素所發(fā)出的光線，也就是說，可以提高子像素的透光性，不影響利用該oled基板所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。

優(yōu)選地，如圖1所示，上述功能元件層還包括多個(gè)支撐物122。其中，支撐物122設(shè)置在襯底基板110和導(dǎo)電層121之間，且導(dǎo)電層121覆蓋支撐物122，上述連接件130設(shè)置在支撐物122的背離襯底基板110的端部。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的oled基板，為封裝蓋板210，封裝蓋板210上所設(shè)置的支撐物122，在利用該結(jié)構(gòu)的封裝蓋板210與oled顯示基板220進(jìn)行封裝形成oled顯示裝置200時(shí)，所設(shè)置的支撐物122能夠有效支撐所形成的oled顯示裝置200的強(qiáng)度。

需要說明的是，對(duì)于多個(gè)支撐物122的設(shè)置位置并沒有限定，為了不影響所形成的oled顯示裝置200的發(fā)光性能，優(yōu)選地，該多個(gè)支撐物122的位置位于oled顯示基板220的子像素的邊界處，處于該位置處的支撐物122，不會(huì)阻擋子像素發(fā)出的光線，從而不會(huì)影響所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。

具體地，如圖1所示，上述導(dǎo)電層121包括輔助導(dǎo)電層121a和連接導(dǎo)電層121b，其中，輔助電極層121a可以位于襯底基板110和多個(gè)支撐物122之間，也就是說，可以在襯底基板110上利用黃光制程或其他工藝方式制作形成輔助電極層121a(該輔助電極層121a可以呈網(wǎng)格狀)，之后在該輔助電極層121a的背離襯底基板110的一側(cè)形成多個(gè)支撐物122，之后，在多個(gè)支撐物122的表面，覆蓋一層導(dǎo)電膜(例如，為了易于搭接，該導(dǎo)電膜可以由ito材料制成)形成連接導(dǎo)電層121b，這樣，上述的連接件130容易搭接在該連接導(dǎo)電層121b上，可以通過該連接導(dǎo)電層121b與輔助電極層121a電連接。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的oled基板，其中的導(dǎo)電層121包括位于支撐物122和襯底基板110之間的輔助導(dǎo)電層121a以及包覆支撐物122外側(cè)的連接導(dǎo)電層121b，可以使得該結(jié)構(gòu)的oled基板的制作工藝更加簡(jiǎn)單，降低該oled基板的制作成本。同時(shí)，在將該結(jié)構(gòu)的oled基板進(jìn)行封裝壓合形成oled顯示裝置200時(shí)，其中的連接件130可以與連接導(dǎo)電層121b以及oled顯示基板220的陰極層125更好地搭接，保持良好地歐姆接觸，避免造成連接件130與oled顯示基板220的陰極層125或者連接導(dǎo)電層121b出現(xiàn)間隙，造成接觸不良等現(xiàn)象。

優(yōu)選地，上述功能元件層包括依次形成在襯底基板110上的陽極層123、發(fā)光層124和陰極層125。其中，上述導(dǎo)電層121包括陰極層125。也就是說，該結(jié)構(gòu)的oled基板為oled顯示基板220，該導(dǎo)電層121為該oled顯示基板220的陰極層125，上述連接件130直接設(shè)置在該oled顯示基板220上。這樣，在預(yù)設(shè)封裝溫度下進(jìn)行封裝時(shí)，連接件130變?yōu)槿廴趹B(tài)，當(dāng)封裝完成以后，可以使得該oled顯示基板220上的陰極層125通過連接件130更好地與封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121電連接，降低陰極層125的電阻，提高其驅(qū)動(dòng)電流，從而改善顯示性能。

優(yōu)選地，上述功能元件層還包括像素界定件126。其中，該像素界定件126將功能元件層劃分為多個(gè)像素單元(圖中并未示出)，上述連接件130位于像素界定件126上方。也就是說，連接件130的位置與像素界定件126的位置相對(duì)應(yīng)，由于像素界定件126將功能元件層劃分出了多個(gè)像素單元，因此，該連接件130的位置顯然處于像素單元之間的間隔區(qū)，也即處于非發(fā)光區(qū)域的位置，也即處于非開口區(qū)，因此，不影響所形成的oled顯示裝置200的發(fā)光性能。

優(yōu)選地，上述功能元件層還包括修飾層127，該修飾層127位于上述陰極層125的下方，并與該陰極層125接觸。

該結(jié)構(gòu)的oled顯示基板200，其中的發(fā)光層124可以采用打印方法制作形成。具體地，發(fā)光層124可以采用子像素并排sbs(sidebyside)的架構(gòu)。

首先，利用打印方法在像素界定件126之間的區(qū)域打印有機(jī)材料并干燥成膜，例如，可以先打印空穴注入層和空穴傳輸層，之后分別打印r、g、b發(fā)光層，以形成上述發(fā)光層124。

其次，為了使得陰極層125有較好的注入特性，優(yōu)選地，頂發(fā)射oled需再利用熱蒸鍍方式鍍上注入修飾層127，該修飾層127的厚度約為10-20nm，修飾層127可以選用有機(jī)半導(dǎo)體材料制作形成。

由于陰極層125有較高的功函數(shù)(4-5.5ev)，有機(jī)打印材料有較低未占有電子的能級(jí)最低的軌道(lumo，lowestunoccupiedmolecularorbital)，兩者之間有較大的注入能障。修飾層127可以選用lumo介于陰極層與發(fā)光層之間的材料作為注入的橋接，因此，能夠使得陰極層125具有較好的注入特性。

最后，再以濺鍍制作透明氧化物(如izo)作為陰極層125，其厚度約為70-300nm。當(dāng)然，陰極層125也可以先采用熱蒸鍍方式制作形成的薄金屬電極(金屬電極的材料，例如，可以為鎂、銀或鎂銀合金等)，該薄金屬電極的厚度可以為1-30nm，最后可以根據(jù)實(shí)際需要(例如，根據(jù)導(dǎo)電性能)，再以濺鍍方式在薄金屬電極上鍍上上述的透明氧化物(如izo)。

優(yōu)選地，上述連接件130的材料包括鎵基合金或銦、錫、鉍和鋅中任意兩種或以上的合金。

選用由鎵基合金或銦、錫、鉍和鋅中任意兩種或以上的合金材料制作所形成的連接件130，該種材料的熔點(diǎn)較低，約為60-℃。同時(shí)，在oled基板的封裝制程中，預(yù)設(shè)封裝溫度一般也為60-℃，也就是說，連接件130的熔點(diǎn)與預(yù)設(shè)封裝溫度相匹配。因此，該結(jié)構(gòu)的連接件130，能夠簡(jiǎn)化封裝制程，還能夠有效保護(hù)位于oled基板上的各膜層結(jié)構(gòu)。同時(shí)，該種材料的連接件130，可以利用具有加熱功能的噴墨打印噴頭或其他方式的點(diǎn)膠方法打在封裝蓋板210的連接導(dǎo)電層121b上，為了避免金屬氧化，打印的過程可以在氮?dú)庀逻M(jìn)行并于在打印后調(diào)整預(yù)烤條件使得連接件130的輪廓達(dá)到較好的外形，并驅(qū)趕有機(jī)溶劑等影響直流輸入接口128的雜質(zhì)，最終可以控制連接件130的高度為1um或0.1-15um之間。

對(duì)于直流輸入接口128的位置并沒有作出限定，例如，該直流輸入接口128設(shè)置在oled顯示基板220上，如圖1所示，oled顯示基板220的陰極層125可以朝向該直流輸入接口128延伸，以便將直流輸入接口128覆蓋，該直流輸入接口128也可以采用熱蒸鍍方式制作形成。

本發(fā)明的第二方面，涉及一種oled顯示裝置200。該oled顯示裝置200包括封裝蓋板210和oled顯示基板220，封裝蓋板220上設(shè)置有導(dǎo)電層121。其中，該oled顯示裝置200還包括至少一個(gè)連接件130，該連接件130位于導(dǎo)電層121和oled顯示基板220的陰極層125之間。

其中，上述連接件130能夠?qū)щ?，且該連接件130分別電連接導(dǎo)電層121和oled顯示基板220的陰極層125，以使得導(dǎo)電層121與oled顯示基板220的陰極層125并聯(lián)。并且，當(dāng)連接件130所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，連接件130為熔融態(tài)，當(dāng)連接件130所處的溫度小于預(yù)設(shè)封裝溫度時(shí)，連接件130為固態(tài)。

具體地，在該oled顯示裝置200的封裝制程中，控制封裝制程的溫度，保證該封裝制程所處的溫度大于或等于預(yù)設(shè)封裝溫度，以使得連接件130呈熔融態(tài)(也就是說，相當(dāng)于連接件130變軟或者熔化，形成接點(diǎn))。因此，在利用外力將封裝蓋板210和oled顯示基板220壓合封裝時(shí)，連接件130能夠更好地與封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121以及oled顯示基板220上的陰極層125電連接，當(dāng)封裝完成以后，連接件130重新由熔融態(tài)變?yōu)楣虘B(tài)，依然與封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121和oled顯示基板220的陰極層125保持良好地電性接觸，也即保持良好地歐姆接觸。也就是說，連接件130能夠更好地搭接在oled顯示基板220的陰極層125上，實(shí)現(xiàn)與oled顯示基板220上的陰極層125并聯(lián)，從而降低oled顯示基板220的陰極層125的電阻，進(jìn)而能夠降低oled顯示基板220上的ir壓降，提高oled顯示裝置200的顯示性能。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的oled顯示裝置200，在封裝蓋板210和oled顯示基板220之間設(shè)置有上述的連接件130，且該連接件130在達(dá)到預(yù)設(shè)封裝溫度下能夠形成熔融態(tài)接點(diǎn)，因此，當(dāng)將封裝蓋板210和oled顯示基板220進(jìn)行封裝以形成該oled顯示裝置200時(shí)，所形成的熔融態(tài)接點(diǎn)能夠使得封裝蓋板210上的導(dǎo)電層121與oled顯示基板220的陰極層125保持良好地歐姆接觸，當(dāng)封裝完成以后，能夠有效提高所形成的oled顯示裝置200的顯示性能。同時(shí)，呈熔融態(tài)的連接件130，在封裝壓合過程中，還能夠有效保護(hù)兩個(gè)基板上的膜層結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率。

優(yōu)選地，上述導(dǎo)電層121為網(wǎng)格狀，且導(dǎo)電層121與像素單元中的子像素的邊界重疊。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的oled顯示裝置200，其中所設(shè)置的導(dǎo)電層121為網(wǎng)格狀，并且網(wǎng)格狀的導(dǎo)電層121與子像素的邊界重疊。因此，該導(dǎo)電層121并不會(huì)阻擋像素單元中子像素所發(fā)出的光線，也就是說，可以提高子像素的透光性，不影響oled顯示裝置200的顯示性能。

優(yōu)選地，上述oled顯示基板220還包括像素界定件126。其中，該像素界定件126將oled顯示基板220劃分為多個(gè)像素單元，上述連接件130位于像素界定件126上方。

也就是說，連接件130的位置與像素界定件126的位置相對(duì)應(yīng)，由于像素界定件126將oled顯示基板220劃分出了多個(gè)像素單元，因此，該連接件130的位置顯然處于像素單元之間的間隔區(qū)，也即處于非發(fā)光區(qū)域的位置，也即處于非開口區(qū)，因此，不影響該oled顯示裝置200的發(fā)光性能。

優(yōu)選地，為了有效支撐oled顯示裝置200的強(qiáng)度，上述封裝蓋板210的朝向oled顯示基板220的一側(cè)還設(shè)置有多個(gè)支撐物122。其中，導(dǎo)電層121覆蓋支撐物122，連接件130設(shè)置在支撐物122的背離封裝蓋板210的端部。

優(yōu)選地，如圖1所示，為了使得陰極層125有較好的注入特性，oled顯示基板220還包括修飾層127，修飾層127位于陰極層125的下方，并與該陰極層125接觸。該修飾層127的厚度約為10-20nm，修飾層127可以選用有機(jī)半導(dǎo)體材料制作形成。

如圖1所示，為了有效固定封裝蓋板210和oled顯示基板220，上述oled顯示裝置200，還可以包括位于周邊區(qū)的封框膠層240以及位于顯示區(qū)的填充物230，其中，封框膠層240可以采用有機(jī)聚合物材料形成，填充物230可以采用透明有機(jī)聚合物材料制作形成。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。