本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種顯示裝置和一種制造該顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

顯示裝置可以包括非顯示區(qū)以及發(fā)射光以顯示圖像的顯示區(qū)。例如，非顯示區(qū)可以是圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)。

在顯示裝置中，可以減小外圍區(qū)的尺寸以實(shí)現(xiàn)顯示裝置的相對窄的邊框。當(dāng)具有相對窄的邊框的顯示裝置包括諸如照相機(jī)模塊或按鈕模塊的附加器件時，用于附加器件的區(qū)域會侵入到顯示區(qū)中，從而減小顯示區(qū)的尺寸。

在與附加器件相鄰的區(qū)域中的連接布線的非均勻性會引起顯示圖像的劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例提供了一種具有擴(kuò)大的顯示區(qū)的顯示裝置。

本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例提供了一種用于制造具有擴(kuò)大的顯示區(qū)的顯示裝置的方法。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括基底，所述基底包括顯示區(qū)、圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)、其至少一部分被顯示區(qū)圍繞的功能附加區(qū)以及設(shè)置在顯示區(qū)與功能附加區(qū)之間的迂回區(qū)。顯示裝置包括設(shè)置在顯示區(qū)中的多個像素電路。多條驅(qū)動線電連接到像素電路并且在顯示區(qū)中沿第一方向延伸。第一迂回線設(shè)置在迂回區(qū)中并且電連接到第一驅(qū)動線。第二迂回線設(shè)置在迂回區(qū)中。第二迂回線電連接到第二驅(qū)動線并且設(shè)置在與第一迂回線不同的層中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一迂回線和第二迂回線可以在平面圖中與功能附加區(qū)的邊緣相鄰。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，在與第一方向交叉的第二方向上，第一迂回線和第二迂回線可以交替地布置。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，驅(qū)動線可以包括數(shù)據(jù)線。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括掃描線和第三迂回線，掃描線在顯示區(qū)中電連接到像素電路并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸，第三迂回線電連接到掃描線并且設(shè)置在迂回區(qū)中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第三迂回線可以設(shè)置在與掃描線不同的層中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，掃描線可以包括第一部分以及通過迂回區(qū)與第一部分分隔開的第二部分。第三迂回線可以將第一部分電連接到第二部分。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，掃描線可以電連接到通過數(shù)據(jù)線中的至少一條接收數(shù)據(jù)信號的開關(guān)晶體管的柵電極。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置可以包括電連接到像素電路并且在顯示區(qū)中沿第一方向延伸的電源線。電源總線可以在外圍區(qū)中沿第二方向延伸。迂回總線可以設(shè)置在迂回區(qū)中并且可以將電源線電連接到電源總線。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回總線可以在平面圖中與功能附加區(qū)的邊緣相鄰。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，電源總線可以包括第一部分以及通過迂回區(qū)與第一部分分隔開的第二部分。迂回總線可以將第一部分電連接到第二部分。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括覆蓋像素電路并且設(shè)置在顯示區(qū)和迂回區(qū)中的絕緣結(jié)構(gòu)。絕緣結(jié)構(gòu)可以包括順序地設(shè)置在基底上方的柵極絕緣層、層間絕緣層和通路絕緣層。像素電路中的每個可以包括設(shè)置在柵極絕緣層下方的有源圖案。柵電極可以設(shè)置在柵極絕緣層上并且可以與有源圖案疊置。源電極可以設(shè)置在層間絕緣層上并且可以電連接到有源圖案。漏電極可以與源電極分隔開。像素電極可以設(shè)置在通路絕緣層上并且可以電連接到漏電極。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層可以包括第一柵極絕緣層和設(shè)置在第一柵極絕緣層上的第二柵極絕緣層。第一迂回線可以設(shè)置在第一柵極絕緣層上，第二迂回線可以設(shè)置在第二柵極絕緣層上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第三迂回線可以設(shè)置在層間絕緣層與通路絕緣層之間。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回總線可以設(shè)置在通路絕緣層上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一迂回線和第二迂回線可以延伸到外圍區(qū)中并且可以與電源總線交叉。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括電連接到像素電路并且在顯示區(qū)中沿第一方向延伸的電源線。電源總線可以在外圍區(qū)中沿與第一方向交叉的第二方向延伸。迂回總線可以設(shè)置在迂回區(qū)中并且可以將電源線電連接到電源總線。絕緣結(jié)構(gòu)可以覆蓋像素電路并且可以設(shè)置在顯示區(qū)和迂回區(qū)中。絕緣結(jié)構(gòu)可以包括順序地設(shè)置在基底上方的柵極絕緣層、層間絕緣層和通路絕緣層。電源線、電源總線和迂回總線可以設(shè)置在層間絕緣層與通路絕緣層之間。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，功能附加區(qū)可以由穿過基底的開口限定。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置可以包括電連接到像素電路的發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種用于制造顯示裝置的方法。根據(jù)所述方法，在基底上形成包括第一迂回線和掃描線的第一柵極圖案。形成覆蓋第一柵極圖案的柵極絕緣層。在柵極絕緣層上形成包括第二迂回線的第二柵極圖案。形成覆蓋第二柵極圖案的層間絕緣層。在層間絕緣層上形成源極圖案。源極圖案包括電連接到第一迂回線的第一數(shù)據(jù)線、電連接到第二迂回線的第二數(shù)據(jù)線以及電連接到掃描線并且與第一迂回線和第二迂回線交叉的第三迂回線。形成覆蓋源極圖案的通路絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，基底可以包括由穿過基底的開口限定的功能附加區(qū)。第一迂回線至第三迂回線可以在平面圖中與功能附加區(qū)的邊緣相鄰。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，源極圖案還可以包括在與數(shù)據(jù)線相同的方向上延伸的電源線。電源總線可以在與電源線交叉的方向上延伸并且可以電連接到電源線。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在通路絕緣層上形成迂回總線。迂回總線可以將電源線電連接到電源總線。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，分別連接到多條驅(qū)動線的多條迂回線可以在圍繞功能附加區(qū)的迂回區(qū)中設(shè)置在不同的層中。因此，可以減小迂回線之間的距離并且可以減小迂回區(qū)的尺寸。因此，可以增大顯示區(qū)的尺寸。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，掃描線可以電連接到設(shè)置在迂回區(qū)中的迂回線。因此，可以減少或者防止顯示質(zhì)量的劣化。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，電源線和電源總線可以通過設(shè)置在迂回區(qū)中的迂回總線彼此連接，這可以防止因電源線的增大的電阻導(dǎo)致的電斷開、損壞或電壓降。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，對本發(fā)明構(gòu)思的更完全的理解將變得更明顯，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基底的平面圖。

圖2是示出圖1的區(qū)域“a”的放大的平面圖。

圖3是沿圖2的線i-i'截取的剖視圖。

圖4是沿圖2的線ii-ii'截取的剖視圖。

圖5是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示基底的像素電路的電路圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基底的平面圖。

圖7是示出圖6的區(qū)域“b”的放大的平面圖。

圖8是沿圖7的線iii-iii'截取的剖視圖。

圖9是沿圖7的線iv-iv'截取的剖視圖。

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。

圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。

圖12至圖21是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造顯示裝置的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照其中示出了示例性實(shí)施例的附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以以許多不同的形式來體現(xiàn)并且不應(yīng)理解為局限于在這里所闡述的實(shí)施例。貫穿說明書和附圖，同樣的附圖標(biāo)記可以表示同樣的元件。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基底的平面圖。

圖2是示出圖1的區(qū)域“a”的放大的平面圖。圖3是沿圖2的線i-i'截取的剖視圖。圖4是沿圖2的線ii-ii'截取的剖視圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基底的像素電路的電路圖。

參照圖1至圖5，顯示基底可以包括基體基底100、像素電路、絕緣結(jié)構(gòu)、像素電極170、驅(qū)動線和迂回線(detourline，或稱為“旁路線”)。

基體基底100可以包括顯示區(qū)aa、外圍區(qū)pa、功能附加區(qū)fa和迂回區(qū)(detourarea，或稱為“旁路區(qū)”)wa。

顯示區(qū)aa可以是顯示圖像的區(qū)域，多個像素px可以布置在顯示區(qū)aa中。例如，顯示區(qū)aa可以包括彼此相鄰并且交替且順序地布置的至少一個紅色像素、至少一個綠色像素和至少一個藍(lán)色像素。像素px中的每個像素可以包括像素電路。

外圍區(qū)pa是不顯示圖像的區(qū)域，并且可以與顯示區(qū)aa相鄰。例如，外圍區(qū)pa可以具有圍繞顯示區(qū)aa的形狀。將驅(qū)動信號提供到像素px中的每個像素的驅(qū)動部可以設(shè)置在外圍區(qū)pa中。例如，驅(qū)動部可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動部、掃描驅(qū)動部和發(fā)光驅(qū)動部。驅(qū)動部可以設(shè)置在ic芯片上或者可以設(shè)置在基體基底100上。

功能附加區(qū)fa是不顯示圖像的區(qū)域，功能附加區(qū)fa的至少一部分可以被顯示區(qū)aa圍繞。例如，功能附加區(qū)fa可以是從顯示區(qū)aa的邊界線凹入的非顯示區(qū)。

例如，功能附加區(qū)fa可以由穿過基體基底100的開口ho限定。例如，開口ho可以與顯示區(qū)aa和外圍區(qū)pa疊置。

例如，按鈕模塊或照相機(jī)模塊可以位于功能附加區(qū)fa中。

迂回區(qū)wa可以是不顯示圖像的區(qū)域，并且可以設(shè)置在功能附加區(qū)fa與顯示區(qū)aa之間。用于將驅(qū)動部電連接到像素px的布線可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，功能附加區(qū)fa可以是設(shè)置在顯示基底的下部中的按鈕區(qū)域，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于此。例如，功能附加區(qū)fa可以由設(shè)置在顯示基底的上部中的照相機(jī)區(qū)域cc限定，圍繞照相機(jī)區(qū)域cc的區(qū)域可以限定迂回區(qū)wa。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，在第一方向d1上延伸的多條數(shù)據(jù)線dl1和dl2以及在與第一方向d1交叉(例如，垂直)的第二方向d2上延伸的多條掃描線sl1可以設(shè)置在顯示區(qū)aa中。

包括在像素電路中的諸如薄膜晶體管的晶體管可以設(shè)置在像素px中的每個像素中。薄膜晶體管可以電連接到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的柵極線。

像素電路可以電連接到電源線vdd1。電源線vdd1可以與數(shù)據(jù)線dl1和dl2平行。

數(shù)據(jù)線(例如，數(shù)據(jù)線dl1和dl2)和電源線(例如，電源線vdd1)可以被稱為驅(qū)動線。

一個晶體管可以設(shè)置在像素px中的每個像素中；然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于此。例如，至少兩個晶體管可以設(shè)置在像素px中的每個像素中。例如，像素px中的每個像素可以包括包含開關(guān)晶體管sw的多個晶體管以及存儲電容器cst。

像素電路可以電連接到柵極寫入線gw、電壓初始化線vint、柵極初始化線gi、第一電源線vdd1、第二電源線和發(fā)射控制線em。柵極寫入線gw可以連接到與數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)晶體管sw的柵電極。電壓初始化線vint可以提供初始化電壓。柵極初始化線gi可以控制連接到電壓初始化線vint的晶體管。第一電源線vdd1可以將第一電源電壓elvdd提供到有機(jī)發(fā)光二極管oled。第二電源線可以將第二電源電壓elvss提供到有機(jī)發(fā)光二極管oled。發(fā)射控制線em可以將發(fā)射信號提供到有機(jī)發(fā)光二極管oled。有機(jī)發(fā)光二極管oled可以包括像素電極、發(fā)光層和對向電極。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以設(shè)置在不同的層中。第一迂回線dt1可以電連接到設(shè)置在顯示區(qū)aa中的第一驅(qū)動線。第二迂回線dt2可以電連接到設(shè)置在顯示區(qū)aa中的第二驅(qū)動線。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回區(qū)wa可以具有圍繞功能附加區(qū)fa的環(huán)形形狀或半環(huán)形形狀。第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以沿功能附加區(qū)fa的邊緣延伸。例如，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以具有在平面圖中沿功能附加區(qū)fa的邊緣彎曲或者彎折的形狀。

第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以具有不同的長度。例如，當(dāng)?shù)诙鼗鼐€dt2比第一迂回線dt1更靠近功能附加區(qū)fa時，第一迂回線dt1的長度可以比第二迂回線dt2的長度長。

當(dāng)?shù)谝挥鼗鼐€dt1和第二迂回線dt2設(shè)置在同一層中時，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以相對地靠近在一起。例如，作為曝光工藝的結(jié)果，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以相對地靠近在一起。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以設(shè)置在彼此不同的層中。第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以沿第二方向d2交替地布置。因此，設(shè)置在彼此不同的層上的第一迂回線dt1與第二迂回線dt2之間的距離可以減小。例如，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的第一迂回線dt1與第二迂回線dt2之間的距離可以比通過在同一水平上形成第一迂回線和第二迂回線的曝光工藝形成的第一迂回線與第二迂回線之間的距離小。因此，當(dāng)?shù)谝挥鼗鼐€dt1和第二迂回線dt2設(shè)置在不同的層中時，作為非顯示區(qū)的迂回區(qū)wa的尺寸可以減小。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第三迂回線dt3可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。第三迂回線dt3可以電連接到在顯示區(qū)aa中沿第二方向d2延伸的掃描線sl1。掃描線sl1可以包括第一部分以及通過功能附加區(qū)fa與第一部分分隔開的第二部分。第三迂回線dt3可以連接到第一部分和第二部分。第三迂回線dt3可以設(shè)置在與第一迂回線dt1和第二迂回線dt2(見，例如，圖4)不同的層中，并且可以與第一迂回線dt1和第二迂回線dt2交叉。

例如，第三迂回線dt3可以沿功能附加區(qū)fa的邊緣延伸。例如，第三迂回線dt3可以具有在平面圖中沿功能附加區(qū)fa的邊緣彎曲或者彎折的形狀。

當(dāng)掃描線sl1被功能附加區(qū)fa分開時，分開的第一部分和第二部分可以連接到設(shè)置在外圍區(qū)pa的兩側(cè)處的柵極驅(qū)動部以被操作。

然而，當(dāng)掃描線sl1被功能附加區(qū)fa分開時，或者當(dāng)分開的第一部分和第二部分具有彼此不同的長度時，施加到像素電路的信號的電壓變化會因分開的掃描線與未被分開的其他掃描線之間的rc差而增大。因此，會使顯示的圖像劣化。

例如，掃描線sl1可以包括在顯示區(qū)aa中沿第二方向d2延伸的線，例如，柵極寫入線gw、電壓初始化線vint、柵極初始化線gi和發(fā)射控制線em中的至少一條。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，掃描線sl1可以是柵極寫入線gw。發(fā)生在柵極寫入線gw的分開的部分之間的電壓變化會影響圖像質(zhì)量。因此，柵極寫入線gw通過第三迂回線dt3連續(xù)地連接，并且當(dāng)其他線例如電壓初始化線vint、柵極初始化線gi和發(fā)射控制線em被分別劃分成被單獨(dú)地驅(qū)動的多個部分時，可以減少設(shè)置在迂回區(qū)wa中的迂回線的數(shù)量。因此，可以減少或者防止圖像劣化，并且可以減小迂回區(qū)wa的尺寸。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回總線vdd2可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。電源總線elvdd可以設(shè)置在外圍區(qū)pa中。迂回總線vdd2可以電連接到設(shè)置在外圍區(qū)pa中的電源總線elvdd。迂回總線vdd2和電源總線elvdd可以具有比電源線vdd1大的寬度。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，電源總線elvdd可以在第二方向d2上延伸，并且可以包括第一部分以及通過功能附加區(qū)fa與第一部分分隔開的第二部分。迂回總線vdd2可以連接到電源總線elvdd的第一部分和第二部分。

例如，迂回總線vdd2可以沿功能附加區(qū)fa的邊緣延伸。例如，迂回總線vdd2可以具有沿功能附加區(qū)fa的邊緣彎曲或者彎折的形狀。迂回總線vdd2可以在迂回區(qū)wa中與第一迂回線dt1、第二迂回線dt2和第三迂回線dt3疊置，并且可以設(shè)置在與第一迂回線dt1、第二迂回線dt2和第三迂回線dt3不同的層中。

當(dāng)與功能附加區(qū)fa相鄰的電源線vdd1不直接連接到電源總線elvdd或迂回總線vdd2時，電源線vdd1可以用網(wǎng)格結(jié)構(gòu)連接到相鄰的電源線，因此會增大電源線vdd1與電源總線elvdd之間的電阻。因此，會由于增大的電阻因燒壞而引起斷開或損壞，或者會增大施加到像素電路的電壓變化。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回總線vdd2可以連接到與功能附加區(qū)fa相鄰的電源線vdd1。因此，可以向電源線vdd1穩(wěn)定地施加電力。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以延伸到外圍區(qū)pa中并且可以與電源總線elvdd交叉。

晶體管和電容器可以在顯示區(qū)aa中設(shè)置在形成在基體基底100上的阻擋層110上。晶體管可以包括有源圖案120、柵電極135、源電極150和漏電極155。晶體管可以是將驅(qū)動電力提供到發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管。

通路絕緣層(viainsulationlayer)160可以覆蓋晶體管。例如，電連接到晶體管的漏電極155的像素電極170可以設(shè)置在通路絕緣層160上。

基體基底100可以是絕緣基底。例如，基體基底100可以包括聚合材料。例如，基體基底100可以包括諸如聚酰亞胺、聚硅氧烷、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂或聚酯的聚合物。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，基體基底100可以包括聚酰亞胺。

作為示例，基體基底100可以是玻璃基底或石英基底。

阻擋層110可以沿基體基底100的上表面共形地設(shè)置。阻擋層110可以減少或者防止?jié)駳膺M(jìn)入到顯示基底中，并且可以減少或者防止雜質(zhì)在基體基底100與形成在基體基底100上的結(jié)構(gòu)之間擴(kuò)散。

例如，阻擋層110可以設(shè)置在基體基底100的顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。

阻擋層110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或者它們的組合。阻擋層110可以具有包括氧化硅層和氮化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。

有源圖案120可以設(shè)置在阻擋層110上。有源圖案120可以包括諸如多晶硅的硅化合物。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包括p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)可以設(shè)置在有源圖案120的相對端處。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，有源圖案120可以包括諸如氧化銦鎵鋅(igzo)、氧化鋅錫(zto)或氧化銦錫鋅(itzo)的半導(dǎo)體氧化物。

第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132可以設(shè)置在阻擋層110上。第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132可以覆蓋有源圖案120。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一柵極絕緣層130可以包括氧化硅層，第二柵極絕緣層132可以包括氮化硅層。

第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132可以設(shè)置在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。

柵電極135可以設(shè)置在第一柵極絕緣層130上。柵電極135可以設(shè)置在第一柵極絕緣層130與第二柵極絕緣層132之間，并且可以與有源圖案120基本疊置。

例如，柵電極135可以包括諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)或鈧(sc)的金屬、它們的合金、它們的氮化物或者它們的組合。柵電極135可以具有包括物理上或化學(xué)上彼此不同的至少兩個金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，柵電極135可以具有可以減小柵電極135的電阻的al/mo或ti/cu的堆疊結(jié)構(gòu)。

柵電極135可以與掃描線sl1由同一層形成。因此，掃描線sl1可以設(shè)置在第一柵極絕緣層130與第二柵極絕緣層132之間。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包括在存儲電容器cst中的存儲電極可以設(shè)置在第二柵極絕緣層132與層間絕緣層140之間。

層間絕緣層140可以設(shè)置在第二柵極絕緣層132上并且可以覆蓋柵電極135。層間絕緣層140可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，層間絕緣層140可以具有包括氧化硅層和氮化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。

層間絕緣層140可以設(shè)置在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。

源電極150和漏電極155可以穿過層間絕緣層140以及第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132，以與有源圖案120接觸。作為示例，源電極150和漏電極155可以包括諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)或鈧(sc)的金屬、它們的合金、它們的氮化物或者它們的組合。例如，源電極150和漏電極155可以具有包括物理上或化學(xué)上彼此不同的至少兩個金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)，諸如al/mo。

源電極150和漏電極155可以分別與有源圖案120的源區(qū)和漏區(qū)接觸。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域可以是電子移動所通過的溝道。

數(shù)據(jù)線dl1和dl2可以與源電極150和漏電極155由同一層形成。因此，數(shù)據(jù)線dl1和dl2可以設(shè)置在層間絕緣層140與通路絕緣層160之間。

電源線vdd1和電源總線elvdd可以與源電極150和漏電極155由同一層形成。因此，電源線vdd1和電源總線elvdd可以設(shè)置在層間絕緣層140與通路絕緣層160之間。

雖然圖3中示出了具有柵電極135設(shè)置在有源圖案120上的頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于此。例如，晶體管可以具有柵電極135設(shè)置在有源圖案120下方的底柵結(jié)構(gòu)。

通路絕緣層160可以設(shè)置在層間絕緣層140上并且可以覆蓋源電極150和漏電極155。通路絕緣層160可以包括電連接像素電極170和漏電極155的通孔。通路絕緣層160可以用作用于顯示基底的平坦化層。

作為示例，通路絕緣層160可以包括諸如聚酰亞胺、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂或聚酯的有機(jī)材料。

像素電極170可以設(shè)置在通路絕緣層160上，并且可以通過通路絕緣層160與漏電極155接觸。像素電極170可以設(shè)置在顯示區(qū)aa中，并且可以獨(dú)立地設(shè)置在像素px的每個像素中。

例如，像素電極170可以包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素電極170可以是反射電極。當(dāng)像素電極170是反射電極時，像素電極170可以包括諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)或鈧(sc)的金屬或者它們的合金。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素電極170可以具有包括透明導(dǎo)電材料和金屬的堆疊結(jié)構(gòu)。

絕緣結(jié)構(gòu)可以包括第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132、層間絕緣層140以及通路絕緣層160。

第一迂回線dt1可以設(shè)置在與第二迂回線dt2不同的層中。例如，第一迂回線dt1可以設(shè)置在與掃描線sl1或柵電極135相同的層中。因此，第一迂回線dt1可以設(shè)置在第一柵極絕緣層130與第二柵極絕緣層132之間。

作為示例，第二迂回線dt2可以設(shè)置在第二柵極絕緣層132與層間絕緣層140之間。

第一迂回線dt1可以電連接到第一數(shù)據(jù)線dl1。例如，第一數(shù)據(jù)線dl1的端部可以與第一迂回線dt1的端部疊置，第一數(shù)據(jù)線dl1的所述端部可以穿過層間絕緣層140和第二柵極絕緣層132，以與第一迂回線dt1的所述端部接觸。

第二迂回線dt2可以電連接到第二數(shù)據(jù)線dl2。例如，第二數(shù)據(jù)線dl2的端部可以與第二迂回線dt2的端部疊置，第二數(shù)據(jù)線dl2的所述端部可以穿過層間絕緣層140，以與第二迂回線dt2的所述端部接觸。

第三迂回線dt3可以設(shè)置在與第一迂回線dt1和第二迂回線dt2不同的層中。例如，第三迂回線dt3可以與數(shù)據(jù)線dl1和dl2設(shè)置在同一層中。因此，第三迂回線dt3可以設(shè)置在層間絕緣層140與通路絕緣層160之間。

第三迂回線dt3可以電連接到掃描線sl1。例如，第三迂回線dt3的端部可以與掃描線sl1的端部疊置，第三迂回線dt3的所述端部可以穿過層間絕緣層140和第二柵極絕緣層132，以與掃描線sl1的所述端部接觸。

迂回總線vdd2可以設(shè)置在與第一迂回線dt1、第二迂回線dt2和第三迂回線dt3不同的層中。例如，迂回總線vdd2可以與像素電極170設(shè)置在同一層中。因此，迂回總線vdd2可以設(shè)置在通路絕緣層160上。

迂回總線vdd2的端部可以穿過通路絕緣層160，以與電源線vdd1的端部接觸。迂回總線vdd2可以電連接到電源線vdd1。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基底的平面圖。圖7是示出圖6的區(qū)域“b”的放大的平面圖。圖8是沿圖7的線iii-iii'截取的剖視圖。圖9是沿圖7的線iv-iv'截取的剖視圖?？梢允÷詫εc參照圖1至圖5更詳細(xì)地描述的元件相同或者相似的元件的任何重復(fù)的解釋。

參照圖6至圖9，顯示基底可以包括驅(qū)動線和迂回線，驅(qū)動線電連接到顯示區(qū)aa中的像素電路，迂回線穿過絕緣結(jié)構(gòu)，以電連接到驅(qū)動線。

例如，驅(qū)動線可以設(shè)置在顯示區(qū)aa中，并且可以設(shè)置在絕緣結(jié)構(gòu)的層間絕緣層140上。迂回線可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中，并且可以設(shè)置在絕緣結(jié)構(gòu)的第一柵極絕緣層130或第二柵極絕緣層132上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迂回線可以具有沿開口ho限定的功能附加區(qū)fa的端部延伸的形狀。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，驅(qū)動線可以包括在第一方向d1上延伸的多條數(shù)據(jù)線dl1和dl2。第一迂回線dt1可以電連接到第一數(shù)據(jù)線dl1，第二迂回線dt2可以電連接到第二數(shù)據(jù)線dl2。第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以設(shè)置在彼此不同的層中。例如，第一迂回線dt1和第二迂回線dt2可以在某方向(例如，第二方向d2)上交替地布置。

第一迂回線dt1可以設(shè)置在與第二迂回線dt2不同的層中。例如，第一迂回線dt1可以與掃描線sl1或柵電極135設(shè)置在同一層中。因此，第一迂回線dt1可以設(shè)置在第一柵極絕緣層130與第二柵極絕緣層132之間。

例如，第二迂回線dt2可以設(shè)置在第二柵極絕緣層132與層間絕緣層140之間。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示基底可以不包括將掃描線sl1的被分開的部分彼此電連接的第三迂回線。掃描線sl1的被分開的部分可以由設(shè)置在外圍區(qū)pa的兩側(cè)處的掃描驅(qū)動部驅(qū)動。省略連接掃描線sl1的迂回線可以減小迂回區(qū)wa的尺寸。

在圍繞顯示區(qū)aa的外圍區(qū)pa中，可以設(shè)置在與第一方向d1交叉的第二方向d2上延伸的電源總線elvdd。沿功能附加區(qū)fa的端部延伸并且連接到電源總線elvdd和電源線vdd1的迂回總線vdd2可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示基底可以不包括將掃描線sl1的被分開的部分彼此連接的迂回線。因此，迂回總線vdd2可以由源極圖案形成。因此，電源總線elvdd、迂回總線vdd2和電源線vdd1可以由同一層形成，并且可以在同一層中彼此連續(xù)地連接。

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。例如，圖10示出了包括以上參照圖1至圖5更詳細(xì)地描述的顯示基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

可以省略對與參照圖1至圖5更詳細(xì)地描述的元件相同或者相似的元件的任何重復(fù)的解釋。

參照圖10，顯示裝置可以包括可以設(shè)置在參照圖1至圖5更詳細(xì)地描述的顯示基底上的發(fā)光層180、對向電極190和包封層195。像素限定層175可以在顯示區(qū)aa中設(shè)置在通路絕緣層160上。像素限定層175可以暴露設(shè)置在每個像素中的像素電極170的至少一部分。

例如，像素限定層175可以覆蓋像素電極170的外圍部分。像素限定層175可以包括諸如聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂的透明有機(jī)材料。像素電極170的不被像素限定層175覆蓋的部分的尺寸可以限定針對每個像素的發(fā)光區(qū)域的尺寸。

發(fā)光層180可以設(shè)置在像素限定層175和像素電極170上。發(fā)光層180可以包括針對紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素被單獨(dú)地圖案化的有機(jī)發(fā)光層，以產(chǎn)生具有不同顏色的光。有機(jī)發(fā)光層可以包括通過電子和空穴激發(fā)的主體材料以及通過吸收能量并發(fā)射能量來增大發(fā)光效率的摻雜劑材料。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置可以包括液晶層而不是發(fā)光層180，因此顯示裝置可以包括在液晶顯示器中。

參照圖10，發(fā)光層180可以設(shè)置在像素電極170的被像素限定層175的開口暴露的上表面上以及像素限定層175的側(cè)表面上。發(fā)光層180可以設(shè)置在像素限定層175的上表面上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光層180可以被像素限定層175的側(cè)壁劃分并且可以設(shè)置在像素中的每個像素上。

對向電極190可以設(shè)置在發(fā)光層180上。對向電極190和像素電極170可以通過設(shè)置在對向電極190與像素電極170之間的發(fā)光層180彼此面對。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，對向電極190可以是在多個像素之上連續(xù)地延伸的共電極。像素電極170和對向電極190可以分別是顯示裝置的陽極和陰極，或者反之亦然。

作為示例，對向電極190可以包括具有低逸出功的諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)或鈧(sc)、鎂(mg)的金屬或者它們的合金。對向電極190可以包括諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦的透明導(dǎo)電材料。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，對向電極190可以設(shè)置在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。例如，對向電極190可以沿像素限定層175和發(fā)光層180的表面共形地設(shè)置。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，顯示裝置可以是穿過對向電極190向上顯示圖像的頂發(fā)射型顯示裝置。在頂發(fā)射型顯示裝置中，像素電極170可以包括金屬，并且像素電極170可以是反射電極。對向電極190可以包括諸如氧化銦錫的透明導(dǎo)電材料。

包封層195可以設(shè)置在對向電極190上并且可以保護(hù)顯示裝置。作為示例，包封層195可以包括諸如氧化硅和/或金屬氧化物的無機(jī)材料。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，蓋層可以設(shè)置在對向電極190與包封層195之間。蓋層可以包括諸如聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂的有機(jī)材料或者諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的無機(jī)材料。

圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖?？梢允÷詫εc參照圖10更詳細(xì)地描述的元件相同或者相似的元件的任何重復(fù)的解釋。

參照圖11，發(fā)光層180a可以包括從像素電極170的上表面順序地設(shè)置的空穴傳輸層(htl)182、有機(jī)發(fā)光層184和電子傳輸層(etl)186。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，空穴傳輸層182和電子傳輸層186可以設(shè)置在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。例如，空穴傳輸層182和電子傳輸層186可以沿像素限定層175和像素電極170的表面共形地設(shè)置。

作為示例，空穴傳輸層182可以包括諸如4,4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(npb)、4,4’-雙[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(tpb)、n,n-二-1-萘基-n,n-二苯基-1,1-聯(lián)苯-4,4-二胺(npd)或n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑的空穴傳輸材料。

作為示例，電子傳輸層186可以包括諸如三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(balq)、浴銅靈(bcp)、三唑(taz)或苯基喹唑啉的電子傳輸材料。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，空穴傳輸層182和電子傳輸層186可以在顯示區(qū)aa中針對多個像素共同地設(shè)置。

有機(jī)發(fā)光層184可以選擇性地形成在顯示區(qū)aa中。例如，有機(jī)發(fā)光層184可以基本與像素電極170疊置，并且可以針對像素中的每個像素被單獨(dú)地圖案化。有機(jī)發(fā)光層184可以在顯示區(qū)aa中設(shè)置在空穴傳輸層182與電子傳輸層186之間。

對向電極190和包封層195可以連續(xù)地形成在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。

圖12至圖21是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造顯示裝置的方法的剖視圖。

參照圖12，可以在載體基底50上形成基體基底100。

載體基底50可以在制造顯示裝置的工藝中支撐基體基底100。例如，載體基底50可以是玻璃基底或金屬基底。

基體基底100可以包括諸如聚酰亞胺的聚合樹脂。例如，可以在載體基底50上通過旋涂來涂覆包括聚酰亞胺前驅(qū)體的組合物，以形成涂覆層?？梢酝ㄟ^熱來固化涂覆層以形成基體基底100。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，基體基底100可以是玻璃基底或石英基底。

基體基底100可以包括用于附加功能的開口ho?；w基底100的一部分可以限定顯示區(qū)aa?；w基底100的除了開口ho和顯示區(qū)aa之外的剩余的部分可以限定外圍區(qū)pa和迂回區(qū)wa。

可以使用包括開口ho的基體基底100執(zhí)行下面的工藝；然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于此。例如，在制造顯示裝置之后，可以通過圖案化或者沖孔來形成開口ho。

參照圖13，可以在基體基底100上順序地形成阻擋層110、有源圖案120和第一柵極絕緣層130。

阻擋層110可以基本完全地覆蓋基體基底100的上表面。例如，阻擋層110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

有源圖案120可以在顯示區(qū)aa中形成在阻擋層110上。例如，包括非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體層可以形成在阻擋層110上，然后被圖案化以形成有源圖案120。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，在半導(dǎo)體層形成之后，可以執(zhí)行低溫多晶硅(ltps)工藝或激光退火工藝，以使硅結(jié)晶。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層可以包括諸如igzo、zto或itzo的半導(dǎo)體氧化物。

第一柵極絕緣層130可以形成在阻擋層110上并且可以覆蓋有源圖案120。第一柵極絕緣層130可以連續(xù)地形成在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中。第一柵極絕緣層130可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

參照圖14，可以在第一柵極絕緣層130上形成包括第一迂回線dt1、柵電極135和掃描線sl1的第一柵極圖案。

例如，可以在第一柵極絕緣層130上形成第一柵極金屬層。可以通過光刻將第一柵極金屬層圖案化以形成第一柵極圖案。第一迂回線dt1可以設(shè)置在迂回區(qū)wa中。柵電極135和掃描線sl1可以設(shè)置在顯示區(qū)aa中。

第一柵極金屬層可以包括金屬、金屬合金或金屬氮化物。第一柵極金屬層可以包括堆疊的金屬層。

參照圖15，可以形成第二柵極絕緣層132以覆蓋第一迂回線dt1、柵電極135和掃描線sl1?？梢栽诘诙艠O絕緣層132上形成包括第二迂回線dt2的第二柵極圖案。可以形成層間絕緣層140以覆蓋第二迂回線dt2。

第二柵極絕緣層132可以在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中連續(xù)地延伸。層間絕緣層140可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

作為示例，可以在第二柵極絕緣層132上形成第二柵極金屬層?？梢酝ㄟ^光刻工藝將第二柵極金屬層圖案化以形成包括第二迂回線dt2的第二柵極圖案。第二柵極金屬層可以包括金屬、金屬合金或金屬氮化物。第二柵極金屬層可以包括堆疊的金屬層。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二柵極圖案可以包括與柵電極135疊置的存儲電極。

參照圖16，可以部分地去除層間絕緣層140，以形成第一接觸孔142、第二接觸孔144和第三接觸孔146。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以使用同一掩模在同一光刻工藝中形成第一接觸孔142、第二接觸孔144和第三接觸孔146。

第一接觸孔142和第二接觸孔144可以穿過層間絕緣層140以及第一柵極絕緣層130和第二柵極絕緣層132，以部分地暴露有源圖案120的上表面。作為示例，可以分別通過第一接觸孔142和第二接觸孔144暴露有源圖案120的源區(qū)和漏區(qū)。

第三接觸孔146可以穿過層間絕緣層140和第二柵極絕緣層132，以暴露掃描線sl1的上表面。

可以形成穿過層間絕緣層140和第二柵極絕緣層132以暴露第一迂回線dt1的上表面的接觸孔。可以形成穿過層間絕緣層140以暴露第二迂回線dt2的上表面的接觸孔。

參照圖17，可以形成包括源電極150和漏電極155的源極圖案。源電極150和漏電極155可以分別通過第一接觸孔142和第二接觸孔144與有源圖案120的源區(qū)和漏區(qū)接觸。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，源極圖案可以包括第三迂回線dt3。第三迂回線dt3可以形成在迂回區(qū)wa中，并且可以通過第三接觸孔146與掃描線sl1接觸。

源極圖案可以包括至少一條數(shù)據(jù)線。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)線可以與第一迂回線dt1接觸，第二數(shù)據(jù)線可以與第二迂回線dt2接觸。

源極圖案可以包括電源線和電源總線。電源線可以設(shè)置在顯示區(qū)aa中，并且可以在與數(shù)據(jù)線平行的方向上延伸。電源總線可以設(shè)置在外圍區(qū)pa中，并且可以在與掃描線sl1平行的方向上延伸。

作為示例，可以在層間絕緣層140上形成源極金屬層，然后通過光刻工藝將其圖案化以形成源極圖案。源極金屬層可以包括金屬、金屬合金或金屬氮化物。源極金屬層可以包括堆疊的金屬層。

可以形成通路絕緣層160以覆蓋源極圖案。通路絕緣層160可以具有基本平坦的上表面。

作為示例，通路絕緣層160可以通過旋涂或狹縫涂覆由諸如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂或聚酯的有機(jī)材料形成。

參照圖18，可以將通路絕緣層160部分地刻蝕，以形成第一通孔163?？梢酝ㄟ^第一通孔163暴露漏電極155的上表面。

可以將通路絕緣層160部分地刻蝕，以形成暴露電源線和電源總線的上表面的第二通孔。

參照圖19，可以在通路絕緣層160上形成像素電極170和迂回總線vdd2。像素電極170可以電連接到漏電極155。迂回總線vdd2可以形成在迂回區(qū)wa中，并且可以電連接到電源線和電源總線。

作為示例，可以在通路絕緣層160上形成像素金屬層，然后通過光刻工藝將其圖案化以形成像素電極170和迂回總線vdd2。

像素金屬層可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物或諸如ito的透明導(dǎo)電材料。

參照圖20，可以在顯示基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。

可以在顯示區(qū)aa中在通路絕緣層160上形成像素限定層175，例如以覆蓋像素電極170的外圍部分。例如，可以通過涂覆包括聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂的光敏有機(jī)材料，將涂覆層暴露于光并且使涂覆層顯影來形成像素限定層175。

發(fā)光層180可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。

作為示例，可以通過使用用于發(fā)射紅色光、綠色光或藍(lán)色光的有機(jī)發(fā)光材料在通過像素限定層175的開口暴露的每個像素電極170上形成發(fā)光層180。例如，可以通過使用包括暴露形成有紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的區(qū)域的開口的精細(xì)金屬掩模通過旋涂工藝、輥印刷工藝、噴嘴印刷工藝或噴墨印刷工藝來形成發(fā)光層180。因此，包括有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光層可以形成在每個像素上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光層180可以連續(xù)地形成在顯示區(qū)aa中。發(fā)光層180可以是包括綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層以發(fā)射白光的堆疊的結(jié)構(gòu)。

作為示例，可以沉積諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)或鈧(sc)、鎂(mg)的具有低逸出功的金屬或它們的合金以形成對向電極190。對向電極190可以包括諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦的透明導(dǎo)電材料。

可以在對向電極190上沉積諸如氧化硅、氮化硅或金屬氧化物的無機(jī)材料以形成包封層195。包封層195可以在顯示區(qū)aa和迂回區(qū)wa中連續(xù)地延伸。

可以將載體基底50與基體基底100分離，以制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置(例如，參照圖10描述的顯示裝置)。載體基底50可以通過激光剝離工藝或者通過施加到載體基底50的機(jī)械張力與基體基底100分離。

參照圖21，發(fā)光層180a可以包括可以順序地形成在顯示基底上的空穴傳輸層182、有機(jī)發(fā)光層184和電子傳輸層186。

在形成空穴傳輸層182之后，可以通過在顯示區(qū)aa中使用選擇性地暴露像素的精細(xì)金屬掩模印刷發(fā)光材料來形成有機(jī)發(fā)光層184。

可以將載體基底50與基體基底100分離，以制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置(例如，參照圖11描述的顯示裝置)。

根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的顯示基底和顯示裝置可以用于移動顯示器。例如，根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的顯示基底和顯示裝置可以用于計(jì)算機(jī)、移動電話、智能電話、智能平板、mp3播放器、用于車輛的導(dǎo)航器或抬頭顯示器。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。