本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及芯片封裝攝像頭模組、攝像頭及芯片封裝攝像頭模組方法。

背景技術(shù)：

目前，攝像頭模組cob封裝通常是通過sfr4以及陶瓷基板實(shí)現(xiàn)的封裝。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，高像素產(chǎn)品越來越多，當(dāng)前的封裝技術(shù)在攝像頭模組的高度及光學(xué)性能的平整度上無法滿足當(dāng)前高端影像產(chǎn)品的工藝要求。

因此，如何降低攝像頭模組設(shè)計(jì)的高度及提高攝像頭的光學(xué)性能平整度是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種芯片封裝攝像頭模組，能夠降低攝像頭模組設(shè)計(jì)的高度及提高攝像頭的光學(xué)性能平整度。

本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種攝像頭。

本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種芯片封裝攝像頭模組方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述第一個(gè)目的，本發(fā)明提供了如下方案：

一種芯片封裝攝像頭模組，包括基板和影像感測(cè)器芯片，所述基板為玻璃基板，且所述玻璃基板上設(shè)置有導(dǎo)電線路和與所述導(dǎo)電線路導(dǎo)通的基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)；

所述影像感測(cè)器芯片倒置與所述玻璃基板封裝，所述影像感測(cè)器芯的芯片板導(dǎo)電接觸點(diǎn)與所述基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)電連接。

優(yōu)選地，在上述芯片封裝攝像頭模組中，所述玻璃基板上的引腳為玻璃氧化銦錫引腳。

優(yōu)選地，在上述芯片封裝攝像頭模組中，所述玻璃基板的表面設(shè)置絲印鍍膜層。

從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的芯片封裝攝像頭模組，由于基板為玻璃基板，玻璃基板可以很好的解決基板本身的平整度問題，因此，本發(fā)明提供的芯片封裝攝像頭模組，提高了攝像頭的光學(xué)性能平整度。且由于影像感測(cè)器芯片倒置與玻璃基板封裝，因此，降低了芯片封裝攝像頭模組的高度。

為了實(shí)現(xiàn)上述第二個(gè)目的，本發(fā)明提供了如下方案：

一種攝像頭，包括如上述任意一項(xiàng)所述的芯片封裝攝像頭模組。

由于本發(fā)明公開的攝像頭包括上述任意一項(xiàng)中的芯片封裝攝像頭模組，因此，芯片封裝攝像頭模組所具有的有益效果均是本發(fā)明公開的攝像頭所包含的。

為了實(shí)現(xiàn)上述第三個(gè)目的，本發(fā)明提供了如下方案：

一種攝像頭模組封裝方法，包括以下步驟：

步驟a：選擇玻璃基板作為基板，并在所述玻璃基板上顯影、蝕刻、切割以形成導(dǎo)電線路基板；

步驟b：將影像感測(cè)器芯的芯片板導(dǎo)電接觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電線路基板上設(shè)置的基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)電連接，所述影像感測(cè)器芯片倒置與所述導(dǎo)電線路基板封裝。

優(yōu)選地，在上述攝像頭模組封裝方法中，還包括設(shè)置在步驟b之后的步驟c：

在所述導(dǎo)電線路基板的表面進(jìn)行絲印處理。

從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的攝像頭模組封裝方法，由于選擇的基板為玻璃基板，并在玻璃基板上顯影、蝕刻、切割以形成導(dǎo)電線路基板，玻璃基板解決了基板本身的平整度問題，因此，本發(fā)明提供的攝像頭模組封裝方法，提高了攝像頭的光學(xué)性能平整度。且由于影像感測(cè)器芯片倒置與導(dǎo)電線路基板封裝，因此，降低了芯片封裝攝像頭模組的高度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的芯片封裝攝像頭模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的攝像頭模組封裝方法的流程示意圖。

其中，圖1-2中：

基板1、影像感測(cè)器芯片2、基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)3、引腳4。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明公開了一種芯片封裝攝像頭模組，其中，芯片封裝攝像頭模組包括基板1和影像感測(cè)器芯片2。

基板1為玻璃基板，且玻璃基板上設(shè)置有導(dǎo)電線路和基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)3，基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)3與導(dǎo)電線路電連接導(dǎo)通。具體地，玻璃基板上顯影、蝕刻、切割形成導(dǎo)電線路。

影像感測(cè)器芯片2倒置與玻璃基板封裝，影像感測(cè)器芯的芯片板導(dǎo)電接觸點(diǎn)與基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)3電連接。

本發(fā)明提供的芯片封裝攝像頭模組，由于基板1為玻璃基板，玻璃基板可以很好的解決基板1本身的平整度問題，因此，本發(fā)明提供的芯片封裝攝像頭模組，提高了攝像頭的光學(xué)性能平整度。且由于影像感測(cè)器芯片2倒置與玻璃基板封裝，因此，降低了芯片封裝攝像頭模組的高度。

實(shí)施例二

在本發(fā)明提供又一實(shí)施例中，本實(shí)施例中的芯片封裝攝像頭模組和實(shí)施例一中的芯片封裝攝像頭模組的結(jié)構(gòu)類似，對(duì)相同之處就不再贅述了，僅介紹不同之處。

本實(shí)施例具體公開了芯片封裝攝像頭模組中，玻璃基板上的引腳4為玻璃氧化銦錫引腳。氧化銦錫(ito)是一種薄膜導(dǎo)通材料，用于液晶tft面板的制造。其電阻率、抗干擾優(yōu)于傳統(tǒng)pcb銅箔走線方式。

進(jìn)一步地，本發(fā)明公開了玻璃基板的表面設(shè)置絲印鍍膜層，其中，玻璃基板的表面進(jìn)行的黑色絲印處理，形成影像，提高影像成像效果。

實(shí)施例三

本發(fā)明還公開了一種攝像頭，包括如上述任意一項(xiàng)實(shí)施例中的芯片封裝攝像頭模組。

由于本發(fā)明公開的攝像頭包括上述任意一項(xiàng)中的芯片封裝攝像頭模組，因此，芯片封裝攝像頭模組所具有的有益效果均是本發(fā)明公開的攝像頭所包含的。

實(shí)施例四

如圖2所示，本發(fā)明還公開了一種攝像頭模組封裝方法，包括以下步驟：

步驟s1：選擇玻璃基板作為基板1，并在玻璃基板上顯影、蝕刻、切割以形成導(dǎo)電線路基板1。

玻璃基板可以很好的解決基板1本身的平整度問題，因此，選擇玻璃基板為基板1。

步驟s2：將影像感測(cè)器芯片2倒置與導(dǎo)電線路基板1封裝。

將影像感測(cè)器芯片2倒置與導(dǎo)電線路基板1封裝，影像感測(cè)器芯的芯片板導(dǎo)電接觸點(diǎn)與導(dǎo)電線路基板1上設(shè)置的基板導(dǎo)電接觸點(diǎn)3電連接，倒置封裝可以解決模組高度問題，適應(yīng)的移動(dòng)終端產(chǎn)品輕薄要求和高精度要求。

本發(fā)明提供的攝像頭模組封裝方法，由于選擇的基板1為玻璃基板，并在玻璃基板上顯影、蝕刻、切割以形成導(dǎo)電線路基板1，玻璃基板解決了基板1本身的平整度問題，因此，本發(fā)明提供的攝像頭模組封裝方法，提高了攝像頭的光學(xué)性能平整度。且由于影像感測(cè)器芯片2倒置與導(dǎo)電線路基板1封裝，因此，降低了芯片封裝攝像頭模組的高度。

實(shí)施例五

在本發(fā)明提供第五實(shí)施例中，本實(shí)施例中的攝像頭模組封裝方法和實(shí)施例四中的攝像頭模組封裝方法類似，對(duì)相同之處就不再贅述了，僅介紹不同之處。

本實(shí)施具體公開了攝像頭模組封裝方法還包括設(shè)置在步驟b之后的步驟c：在導(dǎo)電線路基板1的表面進(jìn)行絲印處理。

在導(dǎo)電線路基板1的表面進(jìn)行絲印鍍膜處理，形成影像，可以達(dá)到良好的影像成像效果。

在本發(fā)明中的“第一”、“第二”等均為描述上進(jìn)行區(qū)別，沒有其他的特殊含義。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和創(chuàng)造性特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。