本發(fā)明實施例涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管是一種場效應(yīng)晶體管，因其具備較高的電子遷移率、較小的亞閥值擺幅和較低的關(guān)態(tài)電流，可以作為平板顯示器(例如液晶顯示器)的關(guān)鍵器件，對顯示器的性能具有十分重要的作用。

薄膜晶體管一般包括有源層、源極、柵極和漏極，有源層可以分為源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，在薄膜晶體管中，源漏極與有源層之間的接觸電阻和溝道區(qū)電阻是決定薄膜晶體管器件好壞的關(guān)鍵因素。在薄膜晶體管工作過程中，源漏極與有源層之間的接觸電阻一般需要較小的電阻，要求載流子濃度較大；溝道區(qū)需要呈現(xiàn)半導體狀態(tài)，一般需要較大的電阻，要求載流子濃度較低。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過對有源層進行等離子體轟擊來改善源漏極與有源層之間的接觸電阻以及溝道區(qū)電阻，例如，用n2o和o2等離子對溝道區(qū)進行處理，可以增加溝道區(qū)電阻；用he和ar等離子體處理源區(qū)和漏區(qū)，可以降低源漏極與有源層之間的接觸電阻。但是，采用等離子體轟擊有源層表面，會改變有源層的表面結(jié)構(gòu)，導致載流子體遷移率降低；并且高濃度區(qū)域的載流子也會向低濃度區(qū)域擴散，使得溝道區(qū)的載流子濃度上升，改變器件的開關(guān)特性，甚至從半導體變?yōu)閷w，徹底導通，導致薄膜晶體管器件性能不穩(wěn)定。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中通過等離子體轟擊有源層表面造成薄膜晶體管性能不穩(wěn)定的技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板與多個薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

位于所述襯底基板上的有源層，所述有源層包括源區(qū)和漏區(qū)，以及位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的溝道區(qū)；

位于所述有源層上遠離所述襯底基板一側(cè)的源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，所述源極金屬接觸層、所述漏極金屬接觸層和所述阻擋層為同一膜層不同區(qū)域；所述源極金屬接觸層在所述有源層上的垂直投影與所述源區(qū)存在交疊區(qū)域，所述漏極金屬接觸層在所述有源層上的垂直投影與所述漏區(qū)存在交疊區(qū)域，所述阻擋層位于所述源極金屬接觸層和所述漏極金屬接觸層之間，且所述阻擋層在所述有源層的垂直投影與所述溝道區(qū)存在交疊區(qū)域；

位于所述源極金屬接觸層上遠離所述有源層一側(cè)的源電極，位于所述漏極金屬接觸層上遠離所述有源層一側(cè)的漏電極，位于所述阻擋層遠離所述有源層一側(cè)且與所述阻擋層絕緣的柵電極，其中，所述源電極通過所述源極金屬接觸層與所述有源層的源區(qū)連接，所述漏電極通過所述漏極金屬接觸層與所述有源層的漏區(qū)連接。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括提供一襯底基板并在所述襯底基板上制備多個薄膜晶體管：

在所述襯底基板上制備多個薄膜晶體管，包括：

在所述襯底基板上制備有源層，所述有源層包括源區(qū)和漏區(qū)，以及位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的溝道區(qū)；

在所述有源層上遠離所述襯底基板的一側(cè)制備源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，所述源極金屬接觸層、所述漏極金屬接觸層和所述阻擋層同層制備；所述源極金屬接觸層在所述有源層上的垂直投影與所述源區(qū)存在交疊區(qū)域，所述漏極金屬接觸層在所述有源層上的垂直投影與所述漏區(qū)存在交疊區(qū)域，所述阻擋層位于所述源極金屬接觸層和所述漏極金屬接觸層之間，且所述阻擋層在所述有源層的垂直投影與所述溝道區(qū)存在交疊區(qū)域；

在所述源極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備源電極，在所述漏極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備漏電極，在所述阻擋層上遠離所述有源層的一側(cè)制備與所述阻擋層絕緣的柵電極，其中，所述源電極通過所述源極金屬接觸層與所述有源層的源區(qū)連接，所述漏電極通過所述漏極金屬接觸層與所述有源層的漏區(qū)連接。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供的一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制備方法、顯示面板，陣列基板上設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源層和位于有源層上的源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層為同一膜層不同區(qū)域，源極金屬接觸層在有源層上的垂直投影與源區(qū)存在交疊區(qū)域，漏極金屬接觸層在有源層上的垂直投影與漏區(qū)存在交疊區(qū)域，通過源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層增加源區(qū)和漏區(qū)的載流子濃度值，降低源漏電極與有源層之間的接觸電阻；阻擋層在有源層的垂直投影與溝道區(qū)存在交疊區(qū)域，阻擋層用于阻擋其他膜層中的氫原子對溝道區(qū)表面造成影響，避免溝道區(qū)載流子濃度上升，同時阻擋層還可以避免陣列基板制備過程中刻蝕液或者顯影液對溝道區(qū)造成影響，提升薄膜晶體管穩(wěn)定性，進而提升整個陣列基板的穩(wěn)定性。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術(shù)方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上制備形成有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種制備形成源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7a為本發(fā)明實施例提供制備形成柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b為本發(fā)明實施例提供的制備形成柵電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7c為本發(fā)明實施例提供的制備形成層間絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7d為本發(fā)明實施例提供的形成第一開口和第二開口的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7e為本發(fā)明實施例提供的制備形成源電極和漏電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種制備形成金屬接觸層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10a是本發(fā)明實施例提供的一種涂布形成光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10b是本發(fā)明實施例提供的對光刻膠進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例提供的消除與溝道區(qū)對應(yīng)的光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的得到阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實施例提供的剝離光刻膠得到源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，通過具體實施方式，完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下獲得的所有其他實施例，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1所示的陣列基板僅以包括一個薄膜晶體管為例進行說明，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以包括襯底基板10和薄膜晶體管20；

薄膜晶體管20可以包括有源層201，有源層201可以包括源區(qū)2011、漏區(qū)2012以及位于源區(qū)2011和漏區(qū)2012之間的溝道區(qū)2013；

位于有源層201上遠離襯底基板10一側(cè)的源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023為同一膜層不同區(qū)域，源極金屬接觸層2021在有源層201上的垂直投影與源區(qū)2011存在交疊區(qū)域，漏極金屬接觸層2022在有源層201上的垂直投影與漏區(qū)2012存在交疊區(qū)域，阻擋層2023位于源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022之間，且阻擋層2023在有源層201的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域；

位于源極金屬接觸層2021上遠離有源層201一側(cè)的源電極2031，位于漏極金屬接觸層2022上遠離有源層201一側(cè)的漏電極2032，位于阻擋層2023遠離有源層201一側(cè)且與阻擋層2023絕緣的柵電極2033，其中，源電極2031通過源極金屬接觸層2021與有源層201的源區(qū)2011連接，漏電極2032通過漏極金屬接觸層2022與源層201的漏區(qū)2012連接。

如圖1所示，在有源層201上形成有源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023，源電極2031通過源極金屬接觸層2021與有源層201中的源區(qū)2011連接，漏電極2032通過漏極金屬接觸層2022與有源層201中的漏區(qū)2012連接，由于源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022為金屬材料，其載流子濃度大于源區(qū)2011和漏區(qū)2012中的載流子濃度，因此，通過源極金屬接觸層2021實現(xiàn)源電極2031與源區(qū)2011電連接，通過漏極金屬接觸層2022實現(xiàn)漏電極2032與漏區(qū)2012電連接，保證源區(qū)2011和漏區(qū)2012處具有較大的載流子濃度，減小源電極2031與源區(qū)2011、漏電極2032與漏區(qū)2012之間的接觸電阻，提升薄膜晶體管20導通特性?？蛇x的，阻擋層2023在有源層201的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域，如此，阻擋層2023可以阻擋其他膜層中的氫原子對溝道區(qū)2023表面造成影響，避免溝道區(qū)2013表面載流子濃度上升，保證溝道區(qū)2013上的半導體特性；同時阻擋層2023還可以阻擋陣列基板制備過程中顯影液或者刻蝕液對溝道區(qū)2013造成損傷，保證溝道區(qū)2013特性不發(fā)生變化，提升薄膜晶體管20穩(wěn)定性。并且，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023為同一膜層中的不同區(qū)域，保證源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023制備時制備工藝簡單，同時還可以保證整個薄膜晶體管20具備較小的厚度，實現(xiàn)陣列基板的薄型化設(shè)計。

綜上，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在有源層上方形成源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，通過源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層增加源區(qū)和漏區(qū)的載流子濃度值，降低源漏電極與有源層之間的接觸電阻；通過阻擋層阻擋其他膜層中的氫原子或者顯影液、刻蝕液對溝道區(qū)表面造成影響，避免溝道區(qū)載流子濃度上升，保證溝道區(qū)的半導體特性，提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性；避免現(xiàn)有技術(shù)中通過使用等離子處理技術(shù)對有源層進行處理時，會改變有源層表面結(jié)構(gòu)，造成載流子遷移率降低的問題；并且通過等離子處理技術(shù)對有源層表面進行處理時，還可能造成載流子由高濃度區(qū)域，例如源區(qū)和漏區(qū)，向低濃度區(qū)域，例如溝道區(qū)擴散，導致溝道區(qū)載流子濃度增加，半導體特性消失，溝道區(qū)也可能直接導通，改變薄膜晶體管的開關(guān)特性，破壞薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

可選的，繼續(xù)參考圖1，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管20還可以包括柵極絕緣層204，柵極絕緣層204位于阻擋層2023與柵電極2033之間，用于保證柵電極2033與阻擋層2023絕緣設(shè)置。可選的，柵極絕緣層204的材料可以為氧化硅或者氮化硅。由于現(xiàn)有技術(shù)中氧化硅或者氮化硅一般通過對硅烷進行氧化處理或者氮化處理得到，因此，當柵極絕緣層204的材料為氧化硅或者氮化硅時，柵極絕緣層204中含有氫原子，阻擋層2023可以阻擋柵極絕緣層204中的氫原子對溝道區(qū)2013表面造成影響，保證溝道區(qū)2013的半導體特性。

可選的，繼續(xù)參考圖1，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管20還可以包括層間絕緣層205，層間絕緣層205位于襯底基板10、源極金屬接觸層2021、柵電極2033和漏極金屬接觸層2022上，層間絕緣層205上形成有第一開口2061和第二開口2062，源電極2031通過第一開口2061與源極金屬接觸層2021電連接，漏電極2032通過第二開口2062與漏極金屬接觸層2022電連接?？蛇x的，層間絕緣層205的材料可以為氧化硅或者氮化硅。

可選的，有源層201的材料可以為氧化物半導體材料，例如銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)。當有源層201的材料為igzo時，由于igzo對溫度、氣氛和其它層制備工藝條件很敏感，其中對氫原子尤為敏感，氫原子會從igzo中捕獲氧原子，使得igzo界面的載流子濃度上升，尤其對于溝道區(qū)2013來說，氫原子從溝道區(qū)2013表面捕獲氧原子，使得溝道區(qū)2013表面載流子濃度上升，破壞溝道區(qū)2013的半導體特性，進而改變薄膜晶體管20的導通特性，甚至使薄膜晶體管20從半導體變?yōu)閷w，徹底導通。因此，本發(fā)明實施例中，在溝道區(qū)2013表面設(shè)置阻擋層2023，阻擋層2023在有源層201所在平面上的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域，如此，阻擋層2023可以阻擋位于其上的其他膜層結(jié)構(gòu)(例如柵極絕緣層204)中的氫原子對溝道區(qū)2013造成破壞，保證溝道區(qū)2013的半導體特性，進而保證薄膜晶體管20的開關(guān)特性以及穩(wěn)定性，提升薄膜晶體管20的使用壽命。

可選的，阻擋層2023的材料可以為絕緣的金屬氧化物或者金屬氮化物，保證阻擋層2023不會對溝道區(qū)2013造成影響，保證薄膜晶體管20正常工作。

可選的，源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022的材料可以包括鈦、鉬、鋁和銀中的至少一種，保證源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022具備較大的載流子濃度，降低源電極2031與源區(qū)2011、漏電極2032與漏區(qū)2012之間的接觸電阻。

可選的，源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022的厚度可以為2nm-50nm，如此源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022具備較小的厚度，保證薄膜晶體管20整體厚度較小，利于顯示陣列基板的薄型化設(shè)計。

可選的，阻擋層2023的材料可以包括鈦、鉬、鋁和銀的氧化物或者氮化物中的至少一種，阻擋層2023用于阻擋其他膜層結(jié)構(gòu)中的氫原子或者刻蝕液、顯影液對溝道區(qū)2013表面造成影響，且阻擋層2023本身不會與溝道區(qū)2013發(fā)生反應(yīng)，避免溝道區(qū)2013載流子濃度上升，保證薄膜晶體管20穩(wěn)定性。

可選的，阻擋層2023的厚度可以為2nm-50nm，由于阻擋層2023與源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022為同一膜層中的不同區(qū)域，因此阻擋層2023的厚度可以與源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022的厚度相同。

圖2是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2所示的陣列基板與上述實施例所述的陣列基板的區(qū)別在于柵電極2033在源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022所在平面上的垂直投影與源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022存在交疊區(qū)域，如圖2所示，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023同樣為同一膜層中不同區(qū)域，源極金屬接觸層2021在有源層201上的垂直投影與源區(qū)2011存在交疊區(qū)域，漏極金屬接觸層2022在有源層201上的垂直投影與漏區(qū)2012存在交疊區(qū)域，阻擋層2023在有源層201上的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域。由于柵電極2033在有源層201上的垂直投影對應(yīng)于溝道區(qū)2013，一般情況下，柵電極2033在有源層201上的垂直投影與溝道區(qū)2013完全重疊，因此設(shè)置柵電極2033在源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022上的垂直投影與源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022存在交疊區(qū)域，可以保證源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022在有源層201上的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域，如此，沿圖2中所述的第一方向100上，可以保證源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022與溝道區(qū)2013之間沒有間隙斷開，如此可以降低工藝管控難度，而且還可以使源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022與溝道區(qū)2013存在可靠的導電連接，保證薄膜晶體管20正常工作。

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖，圖3所示的制備方法僅以制備包括一個薄膜晶體管的陣列基板為例進行說明，可以理解的是，制備包括多個薄膜晶體管的陣列基板上可以采用相同的制備方法。如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的制備方法可以包括：

s110、提供一襯底基板。

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，襯底基板10可以為柔性襯底基板，其材料可以包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一種；襯底基板10還可以為剛性襯底基板，具體可以為玻璃襯底基板或者其他剛性襯底基板。本發(fā)明實施例不對襯底基板的種類以及材料進行限定。

s120、在所述襯底基板上制備有源層，所述有源層包括源區(qū)和漏區(qū)，以及位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的溝道區(qū)。

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上制備形成有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，有源層201可以包括源區(qū)2011、漏區(qū)2012和溝道區(qū)2013，溝道區(qū)2013位于源區(qū)2011和漏區(qū)2012之間。

可選的，在襯底基板10上制備有源層201，具體可以為采用物理氣象沉積方法，在襯底10上制備形成有源層201。

s130、在所述有源層上遠離所述襯底基板的一側(cè)制備源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，所述源極金屬接觸層、所述漏極金屬接觸層和所述阻擋層同層制備。

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種制備形成源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023位于有源層201上遠離襯底基板10的一側(cè)，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023為同一膜層中的不同結(jié)構(gòu)，在制備過程中，源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022和阻擋層2023同層制備。其中，源極金屬接觸層2021在有源層201上的垂直投影與源區(qū)2011存在交疊區(qū)域，漏極金屬接觸層2022在有源層201上的垂直投影與漏區(qū)2012存在交疊區(qū)域，阻擋層2023位于源極金屬接觸層2021和漏極金屬接觸層2022之間，且阻擋層2023在有源層201的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域。

s140、在所述源極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備源電極，在所述漏極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備漏電極，在所述阻擋層上遠離所述有源層的一側(cè)制備與所述阻擋層絕緣的柵電極。

可選的，可以使用物理氣象沉積方法，在源極金屬接觸層2021上遠離有源層201的一側(cè)制備源電極2031，在漏極金屬接觸層2022上遠離有源層201的一側(cè)制備漏電極2032，在阻擋層2023上遠離有源層201的一側(cè)制備柵電極2033，且柵電極2033與阻擋層2023絕緣設(shè)置。其中，源電極2031通過源極金屬接觸層2021與有源層201的源區(qū)2011連接，漏電極2032通過漏極金屬接觸層2022與有源層201的漏區(qū)2012連接。

綜上，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制備方法，通過在有源層上遠離襯底基板的一側(cè)制備源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層，在源極金屬接觸層上制備源電極、在漏極金屬接觸層上制備漏電極，在阻擋層上絕緣制備柵電極，源電極通過源極金屬接觸層與源區(qū)實現(xiàn)電連接，漏電極通過漏極金屬接觸層與漏區(qū)實現(xiàn)電連接，通過源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層增加源區(qū)和漏區(qū)的載流子濃度值，降低源漏電極與有源層之間的接觸電阻；通過阻擋層阻擋其他膜層中的氫原子或者顯影液、刻蝕液對溝道區(qū)表面造成影響，避免溝道區(qū)載流子濃度上升，保證溝道區(qū)的半導體特性，提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

可選的，在源極金屬接觸層2021上遠離有源層201的一側(cè)制備源電極2031，在漏極金屬接觸層2022上遠離有源層201的一側(cè)制備漏電極2032，在阻擋層2023上遠離有源層201的一側(cè)制備與阻擋層2023絕緣的柵電極2033，可以包括：

采用等離子體增強化學氣象沉積方法，在阻擋層2023上遠離有源層201的一側(cè)制備柵極絕緣層204；

在柵極絕緣層204上遠離阻擋層2023的一側(cè)制備柵電極2033；

采用等離子體增強化學氣象沉積方法，在襯底基板10、源極金屬接觸層2021、柵電極2033和漏極金屬接觸層2022上制備層間絕緣層205；

在層間絕緣層205上與源極金屬接觸層2021對應(yīng)的位置形成第一開口2061，與漏極金屬接觸層2022對應(yīng)的位置形成第二開口2062；

在層間絕緣層205上和第一開口2061內(nèi)制備源電極2031，在層間絕緣層205上和第二開口2062內(nèi)制備漏電極2032。

圖7a為本發(fā)明實施例提供制備形成柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7b為本發(fā)明實施例提供的制備形成柵電極的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7c為本發(fā)明實施例提供的制備形成層間絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7d為本發(fā)明實施例提供的形成第一開口和第二開口的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7e為本發(fā)明實施例提供的制備形成源電極和漏電極的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖7a-圖7e，通過在阻擋層2023上制備柵極絕緣層204，在柵極絕緣層204上制備柵電極2033，可以實現(xiàn)柵電極2033與阻擋層2023絕緣設(shè)置。可選的，柵極絕緣層204的材料可以為氧化硅或者氮化硅。在層間絕緣層205上形成有第一開口2061和第二開口2062，源電極2031通過第一開口2061與源極金屬接觸層2021電連接，漏電極2032通過第二開口2062與漏極金屬接觸層2022電連接?？蛇x的，層間絕緣層205的材料可以為氧化硅或者氮化硅。

可選的，有源層201、源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022、阻擋層2023、源電極2031、漏電極2032、柵電極2033以及柵極絕緣層204和層間絕緣層205形成薄膜晶體管20。

圖8是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法的流程示意圖，圖8所示的制備方法同樣僅以制備包括一個薄膜晶體管的陣列基板為例進行說明，可以理解的是，制備包括多個薄膜晶體管的陣列基板上可以采用相同的制備方法。如圖8所示，本發(fā)明實施例提供的制備方法可以包括：

s210、提供一襯底基板。

請繼續(xù)參考圖4，襯底基板10可以為柔性襯底基板或者剛性襯底基板。

s220、在所述襯底基板上制備有源層，所述有源層包括源區(qū)和漏區(qū)，以及位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的溝道區(qū)。

請繼續(xù)參考圖5，有源層201可以包括源區(qū)2011、漏區(qū)2012和溝道區(qū)2013，溝道區(qū)2013位于源區(qū)2011和漏區(qū)2012之間。

s230、在所述有源層上遠離所述襯底基板的一側(cè)制備金屬接觸層。

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種制備形成金屬接觸層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，金屬接觸層202位于有源層201上遠離襯底基板10的一側(cè)?？蛇x的，金屬接觸層202的材料可以包括鈦、鉬、鋁和銀中的至少一種，金屬接觸層202的厚底可以為2nm-50nm。

可選的，在有源層201上遠離襯底基板10的一側(cè)制備金屬接觸層202，具體可以為采用物理氣象沉積方法，在濺射功率為5kw-15kw、壓強為0.1-5pa、氬氣流速為50sccm-200sccm的情況下，保證濺射時間為5-100秒，形成金屬接觸層202。

s240、在所述金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)涂布光刻膠，使用掩膜版對所述光刻膠進行曝光，以使與所述溝道區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠的厚度小于與所述源區(qū)和所述漏區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠的厚度。

圖10a是本發(fā)明實施例提供的一種涂布形成光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖，圖10b是本發(fā)明實施例提供的對光刻膠進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10a和圖10b所示，在金屬接觸層202上涂布光刻膠30，光刻膠30可以包括與溝道區(qū)2013對應(yīng)的第一類光刻膠301和與源區(qū)2011和漏區(qū)2012對應(yīng)的第二類光刻膠302，第一類光刻膠301在有源層201所在平面上的垂直投影與溝道區(qū)2013存在交疊區(qū)域，第二類光刻膠302在有源層201所在平面上的垂直投影與源區(qū)2011和漏區(qū)2012存在交疊區(qū)域?？蛇x的，光刻膠30可以為正性光刻膠或者負型光刻膠，本發(fā)明實施例對光刻膠30的類型不進行限定。之后使用掩膜版對光刻膠30進行曝光處理(圖中未示出)，以使與溝道區(qū)2013對應(yīng)的第一類光刻膠301的厚度小于與源區(qū)2011和漏區(qū)2012對應(yīng)的第二類光刻膠302的厚度。

s250、使用氧化性等離子體對與所述溝道區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠進行灰化處理，以消除與所述溝道區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠，露出與所述溝道區(qū)對應(yīng)的所述金屬接觸層。

示例性的，圖11為本發(fā)明實施例提供的消除與溝道區(qū)對應(yīng)的光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11所示，使用氧化性等離子體對與溝道區(qū)2013對應(yīng)的第一類光刻膠301進行灰化處理，由于氧化性等離子體可以與光刻膠30發(fā)生反應(yīng)，進而清除光刻膠30，因此使用氧化性等離子體對第一光刻膠301進行灰化處理，以消除第一類光刻膠301，露出與溝道區(qū)2013對應(yīng)的金屬接觸層202?？蛇x的，所述氧化性等離子體可以包括o2、o3和n2o中的至少一種。

可選的，使用氧化性等離子體對與溝道區(qū)2013對應(yīng)的第一類光刻膠301進行灰化處理，具體處理條件可以為：處理功率為10w-10000w，處理壓強為1pa-100000pa，處理時間為1s-1000s，處理溫度為1℃-500℃。

s260、使用氧化性等離子體對與所述溝道區(qū)對應(yīng)的所述金屬接觸層進行氧化處理，得到阻擋層；剝離與所述源區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠和與所述漏區(qū)對應(yīng)的所述光刻膠，得到與所述源區(qū)對應(yīng)的源極金屬接觸層以及與所述漏區(qū)對應(yīng)的所述漏極金屬接觸層。

圖12為本發(fā)明實施例提供的得到阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，繼續(xù)使用氧化性等離子體對與溝道區(qū)2013對應(yīng)的金屬接觸層202進行氧化處理，氧化性等離子體會氧化與其接觸的金屬接觸層202，得到阻擋層2023。可選的，具體處理條件可以為：處理功率為10w-10000w，處理壓強為1pa-100000pa，處理時間為1s-1000s，處理溫度為1℃-500℃?？蛇x的，由于金屬接觸層202的材料可以包括鈦、鉬、鋁和銀中的至少一種，氧化性等離子體可以包括o2、o3和n2o中的至少一種，因此阻擋層2023的材料可以包括鈦、鉬、鋁和銀的氧化物或者氮化物中的至少一種。使用氧化性等離子體對與溝道區(qū)2013對應(yīng)的金屬接觸層202進行氧化處理，得到阻擋層2023，減少了單獨制作阻擋層的工藝，將金屬接觸層與阻擋層集成在一層中，同時簡化了結(jié)構(gòu)與工藝。

圖13為本發(fā)明實施例提供的剝離光刻膠得到源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖13所示，剝離剩余的第二類光刻膠302，得到未經(jīng)氧化的金屬接觸層202，其中，與有源層201中的源區(qū)2011對應(yīng)的金屬接觸層202為源極金屬接觸層2021，與有源層201中的漏區(qū)2012對應(yīng)的金屬接觸層202為漏極金屬接觸層2022。

s270、在所述源極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備源電極，在所述漏極金屬接觸層上遠離所述有源層的一側(cè)制備漏電極，在所述阻擋層上遠離所述有源層的一側(cè)制備與所述阻擋層絕緣的柵電極。

請繼續(xù)參考圖7a-圖7e，通過在阻擋層2023上制備柵極絕緣層204，在柵極絕緣層204上制備柵電極2033，可以實現(xiàn)柵電極2033與阻擋層2023絕緣設(shè)置。在層間絕緣層205上形成有第一開口2061和第二開口2062，源電極2031通過第一開口2061與源極金屬接觸層2021電連接，漏電極2032通過第二開口2062與漏極金屬接觸層2022電連接。

可選的，有源層201、源極金屬接觸層2021、漏極金屬接觸層2022、阻擋層2023、源電極2031、漏電極2032、柵電極2033以及柵極絕緣層204和層間絕緣層205形成薄膜晶體管20。

綜上，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制備方法，通過在有源層上遠離襯底基板的一側(cè)制備金屬接觸層，在金屬接觸層上制備光刻膠，使用氧化性等離子體灰化掉與溝道區(qū)對應(yīng)的光刻膠，并繼續(xù)使用氧化性等離子體將與溝道區(qū)對應(yīng)的金屬接觸層氧化為阻擋層，剝離剩余的光刻膠后得到源極金屬接觸層和漏極金屬接觸層，源極金屬接觸層、漏極金屬接觸層和阻擋層制備方法簡單，工藝上節(jié)省掩模工藝，保證薄膜晶體管制備效率高；并且使用氧化性等離子體對接觸金屬層處理得到阻擋層，可以減少刻蝕對有源層的影響，保證薄膜晶體管性能穩(wěn)定，進而保證整個陣列基板性能穩(wěn)定。

可選的，使用掩膜版對光刻膠進行曝光處理，可以包括：

使用雙縫曝光工藝對光刻膠30進行曝光處理，保證溝道區(qū)2013對應(yīng)的光刻膠30被部分曝光，源區(qū)2011和漏區(qū)2012對應(yīng)的光刻膠30不被曝光，以使與溝道區(qū)2013對應(yīng)的光刻膠30的厚度小于與源區(qū)2011和漏區(qū)2012對應(yīng)的光刻膠30的厚度。使用雙縫曝光工藝處理的光刻膠30不同部分厚度不同，以便后續(xù)使用等離子體刻蝕溝道區(qū)對應(yīng)的金屬接觸層以形成阻擋層。

可選的，在有源層201上遠離襯底基板10的一側(cè)制備金屬接觸層202之后，還可以包括：

使用同一道掩模工藝，對有源層201和金屬接觸層202進行掩?？涛g(圖中未示出)，如此可以節(jié)省掩模工藝，保證陣列基板制備工藝簡單。

可選的，制備得到薄膜晶體管20之后，還可以包括：

對薄膜晶體管20進行高溫退火處理，保證薄膜晶體管20性能穩(wěn)定。

圖14是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖14，本發(fā)明實施例提供的顯示面板包括上述實施例所述的陣列基板1，還可以包括與陣列基板1相對設(shè)置的對向基板2，對向基板2可以為彩膜基板，還可以為蓋板或者其他封裝層。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整、相互結(jié)合和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。