本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板的制造方法和顯示面板。

背景技術(shù)：

顯示面板通常包括有多個膜層結(jié)構(gòu)，在制造顯示面板的過程中，存在要將位于絕緣層兩側(cè)的膜層結(jié)構(gòu)電連接的情況。

相關(guān)技術(shù)中有一種顯示面板的制造方法，該方法包括：1、在襯底基板上形成第一膜層結(jié)構(gòu)；2、在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層；3、通過刻蝕的方式在絕緣層上形成過孔，該過孔使所述第一膜層結(jié)構(gòu)露出；4、在形成有絕緣層的襯底基板上形成像素電極，該像素電極在過孔處與所述第一膜層結(jié)構(gòu)電連接。其中，第一膜層結(jié)構(gòu)和第二膜層結(jié)構(gòu)為位于絕緣層兩端且被設(shè)計為構(gòu)成電連接的兩個結(jié)構(gòu)。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：在通過刻蝕的方式在絕緣層上形成過孔時，可能會由于刻蝕液在平行于絕緣層表面的方向?qū)^緣層的刻蝕不均勻而對絕緣層的底部過度刻蝕，形成底切(undercut)現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致像素電極在過孔處極易斷裂。如圖1所示，其為存在底切現(xiàn)象的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖，絕緣層12形成于第一膜層結(jié)構(gòu)11上，第二膜層結(jié)構(gòu)13形成于絕緣層12上，絕緣層12上形成有過孔k，在過孔k中，絕緣層12底部被刻蝕液過度刻蝕，使得絕緣層12和第一膜層結(jié)構(gòu)11之間存在空隙，形成于絕緣層12上的第二膜層結(jié)構(gòu)13容易在該空隙處斷裂。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中像素電極在過孔處極易斷裂的問題，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板的制造方法和顯示面板。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種顯示面板的制造方法，所述方法包括：

在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成過孔；

在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，所述接觸電極位于所述過孔內(nèi)，使得所述第一膜層結(jié)構(gòu)、所述第二膜層結(jié)構(gòu)及所述接觸電極三者之間均構(gòu)成電連接。

可選的，所述絕緣層為鈍化層，

所述在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層之前，所述方法包括：

在所述襯底基板上形成多個薄膜晶體管，所述第一膜層結(jié)構(gòu)為所述多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。

可選的，所述在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，包括：

在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成像素電極層；

在形成有所述像素電極層的襯底基板上形成接觸導(dǎo)電層；

在形成有所述接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠區(qū)、第二光刻膠區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，且所述第一光刻膠區(qū)的光刻膠厚度大于所述第二光刻膠區(qū)的光刻膠厚度；

去除與所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層和所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的像素電極層，得到像素電極圖案，所述像素電極圖案為所述第二膜層結(jié)構(gòu)；

去除所述第二光刻膠區(qū)的光刻膠；

去除所述第二光刻膠區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層，得到所述接觸電極。

可選的，所述在形成有所述接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠圖案，包括：

在形成有所述接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠層；

采用灰度掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理和顯影處理，得到所述光刻膠圖案。

可選的，所述在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述過孔處形成所述接觸電極，所述接觸電極與所述第一膜層結(jié)構(gòu)電連接；

在形成有所述接觸電極的襯底基板上形成所述第二膜層結(jié)構(gòu)，所述第二膜層結(jié)構(gòu)與所述接觸電極電連接。

可選的，所述在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，包括：

通過噴墨打印技術(shù)在所述過孔中形成所述接觸電極，所述接觸電極與所述第一膜層結(jié)構(gòu)電連接；

在形成有所述接觸電極的襯底基板上形成所述第二膜層結(jié)構(gòu)，所述第二膜層結(jié)構(gòu)與所述接觸電極電連接。

可選的，所述在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，包括：

通過噴墨打印技術(shù)在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成所述接觸電極和所述第二膜層結(jié)構(gòu)。

可選的，所述接觸電極的厚度為2000埃至4000埃。

可選的，所述接觸電極的材料包括銅、鋁、銀、鉬、鉻、釹、鎳、錳、鈦、鉭和鎢中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第一方面所述方法制造的顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過在過孔處形成接觸電極，以接觸電極來連接兩個膜層結(jié)構(gòu)，解決了相關(guān)中兩個膜層結(jié)構(gòu)可能在過孔處斷開的問題。達(dá)到了位于絕緣層兩側(cè)的兩個膜層結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定的形成電連接的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)中底切現(xiàn)象的示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種顯示面板的制造方法的流程圖；

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖；

圖3-2是圖3-1所示實施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-3是圖3-1所示實施例中一種在絕緣層上形成過孔的流程圖；

圖3-4是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-5是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-6是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-7是圖3-1所示實施例中一種形成光刻膠層的流程圖；

圖3-8是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-9是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-10是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-11是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-12是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-13是圖3-12所示襯底基板中接觸電極處的放大示意圖；

圖4-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖；

圖4-2是圖4-1所示實施例中一種形成接觸電極的流程圖；

圖4-3是圖4-1所示實施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-4是圖4-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-5是圖4-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-6是圖4-1所示實施例中一種形成第二膜層結(jié)構(gòu)的流程圖；

圖4-7是圖4-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-8是圖4-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-9是圖4-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖；

圖5-2是圖5-1所示實施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-3是圖5-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-4是圖5-3所示襯底基板中接觸電極處的放大示意圖；

圖5-5是圖5-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-6是圖5-5所示襯底基板中接觸電極處的放大示意圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。

這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種顯示面板的制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板的制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟201、在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層。

步驟202、在絕緣層上形成過孔。

步驟203、在形成有絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，接觸電極位于過孔內(nèi)，使得第一膜層結(jié)構(gòu)、第二膜層結(jié)構(gòu)及接觸電極三者之間均構(gòu)成電連接。

此外，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法中，還可以包括形成其它用于實現(xiàn)顯示功能的結(jié)構(gòu)的步驟，這些步驟可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，通過在過孔處形成接觸電極，以接觸電極來連接兩個膜層結(jié)構(gòu)，解決了相關(guān)中兩個膜層結(jié)構(gòu)可能在過孔處斷開的問題。達(dá)到了位于絕緣層兩側(cè)的兩個膜層結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定的形成電連接的效果。

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板的制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟301、在襯底基板上形成多個薄膜晶體管，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。

在使用本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法時，首先可以在襯底基板上形成(可以通過構(gòu)圖工藝形成)多個薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。薄膜晶體管中還可以包括源極、柵極和有源層等結(jié)構(gòu)。

在本步驟之前，可以對襯底基板進(jìn)行清潔，該襯底基板可以為玻璃基板。

步驟302、在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層。

本發(fā)明實施例中，絕緣層可以為鈍化層，該鈍化層可以用于保護(hù)tft。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-2所示，tft形成于襯底基板11上，tft可以包括柵極g、有源層sc、源極s和漏極圖案d，其中柵極g形成于襯底基板11上，形成有柵極g的襯底基板11上形成有柵絕緣層12，形成有柵絕緣層12的襯底基板11上形成有有源層sc，形成有有源層sc的襯底基板11上形成有源極s和漏極圖案d，形成有源極s和漏極圖案d的襯底基板11上形成有鈍化層13。

步驟303、在絕緣層上形成過孔。

在絕緣層為鈍化層時，如圖3-3所示，本步驟包括下面三個子步驟：

子步驟3031、在鈍化層之上形成光刻膠層。

該光刻膠層可以為正性光刻膠。

子步驟3032、采用掩模板對基板進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠圖案。

顯影之后，曝光區(qū)域的光刻膠被去除，未曝光區(qū)域的光刻膠被保留。

子步驟3032結(jié)束后，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-4所示，光刻膠圖案16上形成有過孔k1。圖3-4中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

子步驟3033、采用干法刻蝕工藝將未被光刻膠圖案覆蓋的鈍化層刻蝕掉，之后將光刻膠圖案剝離去除。

子步驟3033結(jié)束后，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-5所示，鈍化層13上形成有過孔k2，漏極圖案d從過孔k2中露出。圖3-5中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

需要說明的是，子步驟3031至子步驟3033是以使用正性光刻膠為例進(jìn)行說明，在形成過孔時，也可以使用負(fù)性光刻膠，本發(fā)明實施例不作出限制。

步驟304、在形成有絕緣層的襯底基板上形成像素電極層。

像素電極層可以通過磁控濺射工藝形成，材料可以包括氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)。

步驟305、在形成有像素電極層的襯底基板上形成接觸導(dǎo)電層。

接觸導(dǎo)電層可以通過磁控濺射工藝形成，材料可以包括銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)、鉻(cr)、釹(nd)、鎳(ni)、錳(mn)、鈦(ti)、鉭(ta)和鎢(w)中的至少一種。厚度為2000埃至4000埃。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-6所示，像素電極層14形成于形成有鈍化層13的襯底基板11上，接觸導(dǎo)電層15形成于形成有像素電極層14的襯底基板11上。圖3-6中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟306、在形成有接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠圖案。

該光刻膠圖案可以包括第一光刻膠區(qū)、第二光刻膠區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，且第一光刻膠區(qū)的光刻膠厚度大于第二光刻膠區(qū)的光刻膠厚度。其中，第一光刻膠區(qū)對應(yīng)于絕緣層(鈍化層)上的過孔所在的區(qū)域，第二光刻膠區(qū)對應(yīng)于像素電極的顯示區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)于除這兩個區(qū)域外的其他區(qū)域。

如圖3-7所示，本步驟可以包括下面兩個子步驟：

子步驟3061、在形成有接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠層。

該光刻膠層可以為正性光刻膠。

子步驟3062、采用灰度掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光處理和顯影處理，得到光刻膠圖案。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-8所示，光刻膠圖案16包括第一光刻膠區(qū)s1、第二光刻膠區(qū)s2和光刻膠完全去除區(qū)s3。圖3-8中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟307、去除與光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層和光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的像素電極層，得到像素電極圖案，像素電極圖案為第二膜層結(jié)構(gòu)。

可以通過刻蝕工藝去除與光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層和光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的像素電極層。去除了光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層和光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的像素電極層后，像素電極層會轉(zhuǎn)變?yōu)橄袼仉姌O圖案，而接觸導(dǎo)電層也會變?yōu)榕c像素電極圖案形狀相同的圖案。該像素電極圖案為第二膜層結(jié)構(gòu)，其通過鈍化層上的過孔和第一膜層結(jié)構(gòu)(漏極)電連接。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-9所示，去除光刻膠完全去除區(qū)s3對應(yīng)的像素電極層和接觸導(dǎo)電層后，像素電極層會轉(zhuǎn)變?yōu)橄袼仉姌O圖案141，接觸導(dǎo)電層會轉(zhuǎn)變?yōu)榻佑|導(dǎo)電層圖案151，像素電極圖案141和接觸導(dǎo)電層圖案151形狀相同。圖3-9中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟308、去除第二光刻膠區(qū)的光刻膠。

可以通過灰化工藝持續(xù)減小光刻膠圖案的厚度，直至去除第二光刻膠區(qū)的光刻膠時停止，此時第一光刻膠區(qū)還存在有光刻膠。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-10所示，其中，光刻膠圖案16中，第一光刻膠區(qū)s1中還存在有光刻膠。圖3-10中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟309、去除第二光刻膠區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層，得到接觸電極。

可以通過刻蝕工藝去除與第二光刻膠區(qū)對應(yīng)的接觸導(dǎo)電層，得到接觸電極。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-11所示，接觸電極151a形成于第一光刻膠區(qū)s1中，位于鈍化層13的過孔內(nèi)，并與漏極圖案d以及像素電極圖案141均構(gòu)成電連接。圖3-11中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

本步驟結(jié)束后，可以剝離第一光刻膠區(qū)s1中的光刻膠，剝離了第一光刻膠區(qū)s1中的光刻膠后，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-12所示，接觸電極151a位于鈍化層13的過孔內(nèi)，并與漏極圖案d以及像素電極圖案141均構(gòu)成電連接。其中接觸電極151a處的放大示意圖可以如圖3-13所示，其中，接觸電極151a將斷裂的像素電極圖案141接通，并使像素電極圖案141與漏極圖案d形成電連接，避免了像素電極圖案141在鈍化層13的過孔中斷裂，導(dǎo)致短路的問題。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，通過在過孔處形成接觸電極，以接觸電極來連接兩個膜層結(jié)構(gòu)，解決了相關(guān)中兩個膜層結(jié)構(gòu)可能在過孔處斷開的問題。達(dá)到了位于絕緣層兩側(cè)的兩個膜層結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定的形成電連接的效果。

圖4-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板的制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟401、在襯底基板上形成多個薄膜晶體管，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。

在使用本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法時，首先可以在襯底基板上形成多個薄膜晶體管，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。薄膜晶體管中還可以包括源極、柵極和有源層等結(jié)構(gòu)。

步驟402、在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層。

本發(fā)明實施例中，絕緣層可以為鈍化層，該鈍化層可以用于保護(hù)tft。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-2所示。

步驟403、在絕緣層上形成過孔。

本步驟可以參考圖3-1所示實施例中的步驟303。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-4所示。

步驟404、通過構(gòu)圖工藝在過孔處形成接觸電極，接觸電極與第一膜層結(jié)構(gòu)電連接。

如圖4-2所示，本步驟可以包括下面4個子步驟：

子步驟4041、在形成有絕緣層的襯底基板上形成接觸導(dǎo)電層。

接觸導(dǎo)電層的厚度可以為2000埃至4000埃，該厚度較厚，可以解決底切現(xiàn)象造成的影響，而像素電極層厚度較薄，容易在過孔中斷裂。材料可以包括銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)、鉻(cr)、釹(nd)、鎳(ni)、錳(mn)、鈦(ti)、鉭(ta)和鎢(w)中的至少一種。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖4-3所示，其中，接觸導(dǎo)電層15形成于形成有鈍化層13的襯底基板11上，該接觸導(dǎo)電層15能夠填滿鈍化層13上的過孔，并與漏極圖案d接觸，且不會受到底切現(xiàn)象的影響。圖4-3中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-11，在此不再贅述。

子步驟4042、在形成有接觸導(dǎo)電層的襯底基板上形成光刻膠層。

該光刻膠層可以為負(fù)性光刻膠。

子步驟4043、采用形成絕緣層過孔時的掩膜板進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠圖案。

由于采用形成絕緣層過孔時的掩膜板進(jìn)行曝光顯影，因而光刻膠圖案位于絕緣層(鈍化層)過孔的上方。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖4-4所示，光刻膠圖案16形成于形成有接觸導(dǎo)電層15的襯底基板11上，且位于鈍化層13的過孔上方。

子步驟4044、采用濕法刻蝕工藝將未被光刻膠圖案覆蓋的接觸導(dǎo)電層刻蝕掉，之后將光刻膠圖案剝離去除，得到接觸電極。

本步驟在不增加掩膜板的基礎(chǔ)上就能夠形成接觸導(dǎo)電層，方法簡單，適合批量生產(chǎn)。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖4-5所示，接觸電極151a形成于鈍化層13的過孔中。圖4-5中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-11，在此不再贅述。

步驟405、在形成有接觸電極的襯底基板上形成第二膜層結(jié)構(gòu)，第二膜層結(jié)構(gòu)與接觸電極電連接。

第二膜層結(jié)構(gòu)可以為像素電極圖案。

在第二膜層結(jié)構(gòu)為像素電極時，如圖4-6所示，本步驟可以包括下面4個子步驟：

子步驟4051、在形成有接觸電極的襯底基板上采用磁控濺射技術(shù)沉積像素電極層。

像素電極層可以由ito構(gòu)成。

子步驟4052、在形成有像素電極層的襯底基板上形成光刻膠層。

該光刻膠層可以為正性光刻膠。

子步驟4053、采用掩模板對所述基板進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠圖案。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖4-7所示，像素電極層14形成于形成有接觸電極151a的襯底基板11上，光刻膠圖案16形成于形成有像素電極層14的襯底基板11上。圖4-7中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-11，在此不再贅述。

子步驟4054、采用濕法刻蝕工藝將未被光刻膠圖案覆蓋的像素電極層刻蝕掉，之后將光刻膠圖案剝離去除，得到像素電極圖案。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖4-8所示，其中像素電極圖案141形成于形成有接觸電極151a的襯底基板11上，且像素電極圖案141與接觸電極151a電連接。接觸電極151a的放大結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖4-9所示，接觸電極151a位于鈍化層13的過孔中，接觸電極151a與漏極圖案d和像素電極圖案141均電連接，避免了像素電極可能在鈍化層的過孔中斷裂，進(jìn)而斷路的問題。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，通過在過孔處形成接觸電極，以接觸電極來連接兩個膜層結(jié)構(gòu)，解決了相關(guān)中兩個膜層結(jié)構(gòu)可能在過孔處斷開的問題。達(dá)到了位于絕緣層兩側(cè)的兩個膜層結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定的形成電連接的效果。

圖5-1是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板的制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板的制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟501、在襯底基板上形成多個薄膜晶體管，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。

在使用本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法時，首先可以在襯底基板上形成多個薄膜晶體管，第一膜層結(jié)構(gòu)為多個薄膜晶體管中的漏極所形成的漏極圖案。薄膜晶體管中還可以包括源極、柵極和有源層等結(jié)構(gòu)。

步驟502、在形成有第一膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成絕緣層。

本發(fā)明實施例中，絕緣層可以為鈍化層，該鈍化層可以用于保護(hù)tft。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-2所示。

步驟503、在絕緣層上形成過孔。執(zhí)行步驟504或步驟506。

本步驟可以參考圖3-1所示實施例中的步驟303。

本步驟結(jié)束時，可以執(zhí)行步驟504或步驟506，步驟504和步驟506是兩種不同的制造方式。可以任選其一。

步驟504、通過噴墨打印技術(shù)在過孔中形成接觸電極，接觸電極與第一膜層結(jié)構(gòu)電連接。執(zhí)行步驟505。

一種方式中，可以先通過噴墨打印技術(shù)在過孔中形成接觸電極。

噴墨打印技術(shù)是一種通過噴墨打印機(jī)來形成膜層結(jié)構(gòu)的技術(shù)，具有定位精確，且噴墨的位置以及噴涂量可任意調(diào)整的優(yōu)點。本步驟中，可以通過噴墨打印技術(shù)將金屬溶液噴涂在絕緣層(鈍化層)的過孔中，金屬溶液會填滿絕緣層的過孔，并與第一膜層結(jié)構(gòu)電連接，避免了底切現(xiàn)象造成的影響。其中，金屬溶液可以為納米金屬溶液，且金屬溶液可以為銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)、鉻(cr)、釹(nd)、鎳(ni)、錳(mn)、鈦(ti)、鉭(ta)和鎢(w)中的至少一種金屬以及這些金屬的合金納米顆粒制作而成的溶液。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖5-2所示，其中接觸電極151a形成于鈍化層13的過孔中，并與漏極圖案d(第一膜層結(jié)構(gòu))電連接。圖5-2中其他標(biāo)記的含義可以參考圖4-8，在此不再贅述。

步驟505、在形成有接觸電極的襯底基板上形成第二膜層結(jié)構(gòu)，第二膜層結(jié)構(gòu)與接觸電極電連接。

第二膜層結(jié)構(gòu)可以為像素電極圖案。

本步驟可以參考圖4-1所示實施例中的步驟405。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以參考圖5-3，形成有接觸電極151a的襯底基板11上形成有像素電極圖案141，像素電極圖案141與接觸電極151a電連接。其中接觸電極151a處的放大結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5-4所示，其中，接觸電極151a填滿了整個鈍化層13的過孔，且與漏極圖案d和像素電極圖案141均電連接，避免了像素電極圖案141可能在鈍化層13的過孔處斷裂并斷路的問題。

步驟506、通過噴墨打印技術(shù)在形成有絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)。

另一種方式中，可以通過噴墨打印技術(shù)在形成有絕緣層的襯底基板上形成接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)，接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)。噴墨打印技術(shù)定位精準(zhǔn)，由噴墨打印技術(shù)形成的接觸電極能夠填充絕緣層中的過孔，避免底切現(xiàn)象造成的影響。其中，接觸電極和第二膜層結(jié)構(gòu)可以由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，該透明導(dǎo)電材料包括hizo(鉿銦鋅氧化物)、zno(氧化鋅)、tio2(二氧化鈦)、cdsno(偏錫酸鉻)、mgzno(氧化鎂鋅)、igo(氧化銦鎵)、izo(氧化銦鋅)、ito(氧化銦錫)、igzo(銦鎵鋅氧化物)中的任意一種。這些透明導(dǎo)電材料也可以應(yīng)用于本發(fā)明各個實施例中形成像素電極。

本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖5-5所示，接觸電極151a和像素電極141為一體結(jié)構(gòu)。接觸電極151a處的放大結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5-6所示。接觸電極151a填充于鈍化層(絕緣層)13的過孔中，避免了底切現(xiàn)象造成的影響。接觸電極151a在鈍化層13的過孔中與漏極圖案d電連接。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，通過在過孔處形成接觸電極，以接觸電極來連接兩個膜層結(jié)構(gòu)，解決了相關(guān)中兩個膜層結(jié)構(gòu)可能在過孔處斷開的問題。達(dá)到了位于絕緣層兩側(cè)的兩個膜層結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定的形成電連接的效果。

此外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，該顯示面板包括圖2所示方法制造的顯示面板、圖3-1所示方法制造的顯示面板、圖4-1所示方法制造的顯示面板、圖5-1所示方法制造的顯示面板。

本發(fā)明中術(shù)語“a和b的至少一種”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，a和b的至少一種，可以表示：單獨存在a，同時存在a和b，單獨存在b這三種情況。同理，“a、b和c的至少一種”表示可以存在七種關(guān)系，可以表示：單獨存在a，單獨存在b，單獨存在c，同時存在a和b，同時存在a和c，同時存在c和b，同時存在a、b和c這七種情況。同理，“a、b、c和d的至少一種”表示可以存在十五種關(guān)系，可以表示：單獨存在a，單獨存在b，單獨存在c，單獨存在d，同時存在a和b，同時存在a和c，同時存在a和d，同時存在c和b，同時存在d和b，同時存在c和d，同時存在a、b和c，同時存在a、b和d，同時存在a、c和d，同時存在b、c和d，同時存在a、b、c和d，這十五種情況。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。