本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、一種顯示面板以及一種陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板由彩膜(colorfilter，cf)基板、薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)陣列基板、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(liquidcrystal，lc)及密封膠框(sealant)組成。其中，陣列基板的薄膜晶體管性能直接影響到液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。

采用銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)半導(dǎo)體的薄膜晶體管由于其具有較高的遷移率，從而可以降低液晶顯示面板的功耗和成本，同時分辨率可以達到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition，分辨率4k*2k)級別程度，因此受到了廣泛的重視和應(yīng)用。然而，由于銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體對大部分酸性刻蝕液都比較敏感，很容易在濕法刻蝕過程中被腐蝕，從而導(dǎo)致器件性能不佳。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種器件性能良好的陣列基板。

此外，還提供一種應(yīng)用所述陣列基板的顯示面板。

另外，還提供一種陣列基板的制作方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施方式采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括：

基板；

柵極，形成在所述基板上；

柵極絕緣層，形成在所述基板的朝向所述柵極的一側(cè)，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

有源層，形成在所述柵極絕緣層的遠離所述柵極的一側(cè)，所述有源層采用銦鎵鋅錫氧化物材料；

歐姆接觸層，形成在所述有源層的遠離所述柵極絕緣層的一側(cè)，所述歐姆接觸層采用被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料且覆蓋所述有源層的兩端；以及

彼此間隔的源極和漏極，形成在所述歐姆接觸層的遠離所述有源層的一側(cè)，所述源極和所述漏極分別通過所述歐姆接觸層電連接至所述有源層的兩端。

其中，所述歐姆接觸層包括間隔設(shè)置的第一歐姆接觸塊和第二歐姆接觸塊，所述第一歐姆接觸塊覆蓋所述有源層的一端且連接所述源極，所述第二歐姆接觸塊覆蓋所述有源層的另一端且連接所述漏極。

其中，所述有源層的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃，所述歐姆接觸層的厚度小于等于500埃。

其中，所述陣列基板還包括：

鈍化層，覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層，所述鈍化層具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏極；和

像素電極，形成在所述鈍化層的遠離所述源極的一側(cè)，所述像素電極通過所述通孔連接至所述漏極。

另一方面，還提供一種顯示面板，包括前述陣列基板。

再另一方面，還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在基板上形成柵極；

在所述基板的朝向所述柵極的一側(cè)形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

在所述柵極絕緣層的遠離所述柵極的一側(cè)依次沉積銦鎵鋅錫氧化物層和銦鎵鋅氧化物層；

通過導(dǎo)體化工藝處理所述銦鎵鋅氧化物層，以形成被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層；

在所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層的遠離所述銦鎵鋅錫氧化物層的一側(cè)沉積金屬層；

通過光罩制程去除部分所述金屬層、部分所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層以及部分所述銦鎵鋅錫氧化物層，以形成有源層；

通過濕刻蝕工藝去除部分所述金屬層和部分所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層，以形成歐姆接觸層以及彼此間隔的源極和漏極，所述歐姆接觸層覆蓋所述有源層的兩端，所述源極和所述漏極分別通過所述歐姆接觸層電連接至所述有源層的兩端。

其中，所述導(dǎo)體化工藝為等離子體處理方式、離子注入處理方式、紫外光照射處理方式或微波處理方式。

其中，所述濕刻蝕工藝的過刻量大于20％。

其中，所述光罩制程采用半色調(diào)掩膜版。

其中，所述陣列基板的制作方法還包括：

在所述源極的遠離所述柵極絕緣層的一側(cè)形成鈍化層，所述鈍化層同時覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層，所述鈍化層具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏極；和在形成在所述鈍化層的遠離所述源極的一側(cè)形成像素電極，所述像素電極通過所述通孔連接至所述漏極。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述歐姆接觸層、所述源極以及所述漏極形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)。由于所述歐姆接觸層采用被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料，所述有源層采用銦鎵鋅錫氧化物材料，因此在通過濕刻蝕工藝形成圖案化的所述源極和所述漏極時，能夠同時形成圖案化所述歐姆接觸層，同時也能避免所述有源層被酸性刻蝕液腐蝕而造成所述薄膜晶體管器件不良，所述陣列基板器件性能良好。由于被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料具有導(dǎo)體性能，所述歐姆接觸層具有良好的導(dǎo)電性，有利于與所述源極和所述漏極實現(xiàn)良好的導(dǎo)電接觸，既能夠降低所述源極和所述漏極與所述有源層之間的接觸電阻，又能夠降低電流泄露風(fēng)險。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s01所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s02所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s03所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s04所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s05所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s06所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s07所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s08所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的s09所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅是本發(fā)明一部分實施方式，而不是全部的實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請一并參閱圖1至圖10，本發(fā)明實施例提供一種顯示面板100，所述顯示面板100可應(yīng)用于各種顯示設(shè)備中。所述顯示面板100包括相對設(shè)置的陣列基板1、彩膜基板2以及位于所述陣列基板1與所述彩膜基板2之間的液晶層3。

所述陣列基板1包括基板11、柵極12、柵極絕緣層13、有源層14、歐姆接觸層15、源極16以及漏極17。所述柵極12形成在所述基板11上。所述柵極絕緣層13形成在所述基板11的朝向所述柵極12的一側(cè)，所述柵極絕緣層13覆蓋所述柵極12。所述有源層14形成在所述柵極絕緣層13的遠離所述柵極12的一側(cè)，所述有源層14采用銦鎵鋅錫氧化物(indiumgalliumzinctinoxide，igzto)材料。所述有源層14正對所述柵極12設(shè)置。所述歐姆接觸層15形成在所述有源層14的遠離所述柵極絕緣層13的一側(cè)，所述歐姆接觸層15采用被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)材料且覆蓋所述有源層14的兩端。所述源極16和所述漏極17彼此間隔地形成在所述歐姆接觸層15的遠離所述有源層14的一側(cè)，所述源極16和所述漏極17分別通過所述歐姆接觸層15電連接至所述有源層14的兩端。

在本實施例中，所述柵極12、所述柵極絕緣層13、所述有源層14、所述歐姆接觸層15、所述源極16以及所述漏極17形成薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)，所述薄膜晶體管為背溝道刻蝕型(backchanneletchtype，bce)結(jié)構(gòu)。由于所述歐姆接觸層15采用被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料，所述有源層14采用銦鎵鋅錫氧化物材料，因此在通過濕刻蝕工藝形成圖案化的所述源極16和所述漏極17時，能夠同時形成圖案化所述歐姆接觸層15，同時也能避免所述有源層14被酸性刻蝕液腐蝕而造成所述薄膜晶體管器件不良，所述陣列基板1器件性能良好。由于被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料具有導(dǎo)體性能，所述歐姆接觸層15具有良好的導(dǎo)電性，有利于與所述源極16和所述漏極17實現(xiàn)良好的導(dǎo)電接觸，既能夠降低所述源極16和所述漏極17與所述有源層14之間的接觸電阻，又能夠降低電流泄露風(fēng)險。

可以理解的，所述有源層14在所述基板11上的正投影覆蓋所述柵極12。

可選的，所述歐姆接觸層15包括間隔設(shè)置的第一歐姆接觸塊151和第二歐姆接觸塊152。所述第一歐姆接觸塊151覆蓋所述有源層14的一端且連接所述源極16。所述第二歐姆接觸塊152覆蓋所述有源層14的另一端且連接所述漏極17。

進一步地，所述第一歐姆接觸塊151在所述有源層14上的正投影覆蓋所述源極16在所述有源層14上的正投影，從而提供可靠的導(dǎo)電性。所述第二歐姆接觸塊152在所述有源層14上的正投影覆蓋所述漏極17在所述有源層14上的正投影，從而提供可靠的導(dǎo)電性。

可選的，所述有源層14的厚度大于等于且小于等于采用銦鎵鋅錫氧化物材料的所述有源層14的厚度滿足前述條件時，所述薄膜晶體管的器件性能較佳。所述有源層14的厚度小于400?；虼笥?000埃時，所述薄膜晶體管的器件性能會逐漸降低。

所述歐姆接觸層15的厚度小于等于采用被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物材料的所述歐姆接觸層15滿足前述條件時，能夠有效地降低能夠降低所述源極16和所述漏極17與所述有源層14之間的接觸電阻。

可選的，所述柵極12采用導(dǎo)電性優(yōu)、遮光性好的金屬材料。所述柵極12能夠遮擋光線，用以防止光線進入所述薄膜晶體管的所述有源層14，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，使得所述陣列基板1器件性能良好。

所述柵極12的材料可以是鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)中的一種或多種的堆棧組合。

可選的，所述柵極絕緣層13采用氧化硅(sio2)材料。

可選的，所述源極16和所述漏極17均采用鋁(al)和鉬(mo)的堆棧組合。

作為一種可選實施例，所述陣列基板1還包括鈍化層(passivation，pv)18和像素電極19。所述鈍化層18形成在所述源極16的遠離所述歐姆接觸層15的一側(cè)。所述鈍化層18覆蓋所述源極16、所述漏極17以及所述有源層14。所述鈍化層18具有通孔181，所述通孔181用以暴露出部分所述漏極17。所述像素電極19形成在所述鈍化層18的遠離所述源極16的一側(cè)，所述像素電極19通過所述通孔181連接至所述漏極17。

可選的，所述鈍化層18采用氧化硅(sio2)膜層?；?，所述鈍化層18采用氧化硅(sio2)和氮化硅(sinx)的復(fù)合膜層，其中，氧化硅層靠近所述有源層14，所述氮化硅層遠離所述有源層14。所述像素電極19采用氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)材料。

請一并參閱圖2至圖10，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，用于制作上述實施例所述的陣列基板1。所述陣列基板的制作方法包括：

s01：在基板11上形成柵極12。

s02：在所述基板11的朝向所述柵極12的一側(cè)形成柵極絕緣層13，所述柵極絕緣層13覆蓋所述柵極12。

s03：在所述柵極絕緣層13的遠離所述柵極12的一側(cè)依次沉積銦鎵鋅錫氧化物層141和銦鎵鋅氧化物層153。此時，所述銦鎵鋅錫氧化物層141位于所述柵極絕緣層13與所述銦鎵鋅氧化物層153之間。

s04：通過導(dǎo)體化工藝處理所述銦鎵鋅氧化物層153，形成被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154。

s05：在所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154的遠離所述銦鎵鋅錫氧化物層141的一側(cè)沉積金屬層161。

s06：通過光罩制程去除部分所述金屬層161、部分所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154以及部分所述銦鎵鋅錫氧化物層141，以形成有源層14。

s07：通過濕刻蝕工藝去除部分所述金屬層161和部分所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154，以形成歐姆接觸層15以及彼此間隔的源極16和漏極17。所述歐姆接觸層15覆蓋所述有源層14的兩端，所述源極16和所述漏極17分別通過所述歐姆接觸層15電連接至所述有源層14的兩端。

在本實施例中，由于所述歐姆接觸層15由所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154所獲得，所述有源層14由所述銦鎵鋅錫氧化物層141所獲得，因此在s07中，能夠通過濕刻蝕工藝同時形成圖案化的所述歐姆接觸層15以及圖案化的所述源極16和所述漏極17，同時也能避免所述有源層14被酸性刻蝕液腐蝕而造成器件不良，所述陣列基板1器件性能良好。由于在s04中通過導(dǎo)體化工藝形成所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154，因此在s07中所形成的所述歐姆接觸層15具有良好的導(dǎo)電性，從而有利于與所述源極16和所述漏極17實現(xiàn)良好的導(dǎo)電接觸，既能夠降低所述源極16和所述漏極17與所述有源層14之間的接觸電阻，又能夠降低電流泄露風(fēng)險。

可選的，在s03中，通過物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)方法沉積所述銦鎵鋅錫氧化物層141和所述銦鎵鋅氧化物層153。

可選的，在s04中，所述導(dǎo)體化工藝為等離子體(plasma)處理方式、離子注入處理方式、紫外光(uv)照射處理方式或微波處理方式。

可選的，在s06中，所述光罩制程采用半色調(diào)掩膜版(halftonemask)。

可選的，在進行s07之間，先通過灰化(ashing)處理清除殘余的光刻膠，從而能夠保證后續(xù)工藝步驟的良率。

可選的，在s07中，所述濕刻蝕工藝的過刻量大于20％，從而能夠保證將所述源極16和所述漏極17之間的所述被導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物層154刻蝕干凈，所述陣列基板1的產(chǎn)品良率高。

作為一種可選實施例，所述陣列基板的制作方法還包括：

s08：在所述源極16的遠離所述柵極絕緣層13的一側(cè)形成鈍化層18，所述鈍化層18同時覆蓋所述源極16、所述漏極17以及所述有源層14。所述鈍化層18具有通孔181，所述通孔181用以暴露出部分所述漏極17。

s09：在形成在所述鈍化層18的遠離所述源極16的一側(cè)形成像素電極19，所述像素電極19通過所述通孔181連接至所述漏極17，以形成所述陣列基板1。

在本實施例中，通過所述陣列基板的制作方法制成一種具有歐姆接觸層的四光罩(mask)制程(具體為s01、s06、s08以及s09)的金屬氧化物背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，比常規(guī)的金屬氧化物刻蝕阻擋層(etchstoplayer，esl)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作方法減少了兩道光罩制程，因此所述陣列基板的制作方法的工序步驟較為精簡、成本較低。

以上對本發(fā)明實施方式進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施方式的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。