技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種適用于多晶太陽電池三層減反射膜的鍍膜工藝。它解決了現(xiàn)有制備工藝比較復(fù)雜，耗電量大，制備的成本比較高，并且單層氮化硅減反射膜硅太陽能電池的反射率還是很高，返工率也較高等技術(shù)問題。本適用于多晶太陽電池三層減反射膜的鍍膜工藝，包括如下步驟：a、對晶體硅片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散和刻蝕；b、將步驟a中完成的晶體硅片通過裝卸片系統(tǒng)裝到石墨舟上，將其放入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積和清洗；c、將步驟b中完成的晶體硅片用管式PECVD沉積；d、將步驟c中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積；e、將步驟d中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積；f、通過裝卸片系統(tǒng)對石墨舟的晶體硅片進(jìn)行冷卻，并將其取下。本發(fā)明具有產(chǎn)品性能高的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：朱金浩;蔣劍波;朱世杰;許布;陳玨榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江光隆能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.23
技術(shù)公布日：2017.11.03