減反射膜、其制備方法及減反射玻璃的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種減反射膜、其制備方法及減反射玻璃。
【背景技術】
[0002]隨著智能觸控手機、平板的暢銷，越來越多的人養(yǎng)成使用觸摸電子產(chǎn)品的習慣，觸摸電子產(chǎn)品的屏幕上方具有蓋板玻璃。但由于玻璃具有反射光的作用，在室外陽光或室內(nèi)強光強于LCD背光源的透射光時，玻璃的每個表面都會存在4.2%左右的反射光線反射進人眼，導致眼睛看不清屏幕上顯示內(nèi)容，影響產(chǎn)品的使用。
[0003]現(xiàn)有的減反射玻璃在玻璃基板的單面或者雙面制備減反射膜，從而在室外陽光或者室內(nèi)強光下，光的反射率較低，創(chuàng)造清晰透明的視覺空間，提升觸摸電子產(chǎn)品在陽光下或者強光下的可讀性。
[0004]然而，現(xiàn)有的減反射膜表面硬度不夠高，在使用過程中容易劃傷，從而影響產(chǎn)品的美觀；同時現(xiàn)有的減反射膜的絕緣阻值在IGΩ以下，絕緣性能不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種硬度較高且絕緣性能較好的減反射膜、其制備方法及減反射玻璃。
[0006]一種減反射膜，包括依次層疊的第一折射率調(diào)整層、第二折射率調(diào)整層、第三折射率調(diào)整層、第四折射率調(diào)整層及第五折射率調(diào)整層；
[0007]所述第一折射率調(diào)整層的材料為Si3N4;
[0008]所述第二折射率調(diào)整層的材料為S12;
[0009]所述第三折射率調(diào)整層的材料為SiN;
[0010]所述第四折射率調(diào)整層的材料為S12;
[0011]所述第五折射率調(diào)整層的材料為SiN ;
[0012]所述第一折射率調(diào)整層的厚度為12nm?18nm ；
[0013]所述第二折射率調(diào)整層的厚度為35nm?40nm ；
[0014]所述第三折射率調(diào)整層的厚度為32nm?38nm ；
[0015]所述第四折射率調(diào)整層的厚度為90nm?105nm ；
[0016]所述第五折射率調(diào)整層的厚度為5nm?1nm0
[0017]在一個實施例中，所述第一折射率調(diào)整層的厚度為1nm ;所述第二折射率調(diào)整層的厚度為62nm ;所述第三折射率調(diào)整層的厚度為38nm ;所述第四折射率調(diào)整層的厚度為35nm ;所述第五折射率調(diào)整層的厚度為24nm。
[0018]一種減反射玻璃，包括玻璃基板及層疊于所述玻璃基板表面的上述的減反射膜。
[0019]在一個實施例中，所述第一折射率調(diào)整層層疊于所述玻璃基板的表面。
[0020]在一個實施例中，所述玻璃基板的材料為高鋁玻璃，厚度為0.5 ym?0.56 μπι。
[0021]在一個實施例中，還包括形成于所述玻璃基板與所述減反射膜之間且依次層疊的第一導電層、第一感光膠層、第二導電層及第二感光膠層，所述第一導電層層疊于所述玻璃基板表面，所述第一折射率層層疊于所述第二感光膠層的表面。
[0022]在一個實施例中，還包括形成于所述玻璃遠離所述第一導電層的一側表面的上述的減反射膜。
[0023]在一個實施例中，所述第一導電層的材料為ITO，厚度為30nm?45nm ;所述第二導電層的材料為ITO，厚度為200nm?250nmo
[0024]在一個實施例中，所述第一感光膠層的材料為UV感光樹脂，厚度為1.2 ym?
1.5 μ m ;所述第二感光膠層的材料為UV剛光樹脂，厚度為1.2 μ m?1.5 μ m。
[0025]一種減反射膜的制備方法，包括如下步驟:
[0026]提供基底；
[0027]在所述基底表面依次沉積第一折射率調(diào)整層、第二折射率調(diào)整層、第三折射率調(diào)整層、第四折射率調(diào)整層、第五折射率調(diào)整層，所述第一折射率調(diào)整層的材料為S12，所述第二折射率調(diào)整層的材料為Si3N4，所述第三折射率調(diào)整層的材料為SiN，所述第四折射率調(diào)整層的材料為S12，所述第五折射率調(diào)整層的材料為SiN，所述第一折射率調(diào)整層的厚度為1nm?15nm，所述第二折射率調(diào)整層的厚度為28nm?35nm，所述第三折射率調(diào)整層的厚度為31nm?36nm，所述第四折射率調(diào)整層的厚度為90nm?llOnm，所述第五折射率調(diào)整層的厚度為5nm?1nm0
[0028]這種減反射膜，包括第一折射率調(diào)整層、第二折射率調(diào)整層、第三折射率調(diào)整層、第四折射率調(diào)整層及第五折射率調(diào)整層，透過率高低結合的合適厚度的膜層結構，使得減反射膜減反射效果較好，應用于電子產(chǎn)品時，在室外陽光或室內(nèi)強光下光的反射率為I %?
2.5% ;通過Si3N4、SiN及S1^結合，使得減反射膜的硬度較好，絕緣電阻大于IG Ω，絕緣性能較好，從而能保證電子產(chǎn)品的絕緣性能。
【附圖說明】
[0029]圖1為一實施方式的減反射膜的結構示意圖；
[0030]圖2為一實施方式的減反射玻璃的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0032]請參閱圖1，一實施方式減反射膜100，包括依次層疊的第一折射率調(diào)整層20、第二折射率調(diào)整層30、第三折射率調(diào)整層40、第四折射率調(diào)整層50及第五折射率調(diào)整層60。
[0033]第一折射率調(diào)整層20的材料為氮化硅(Si3N4)。Si3N4的折射率為1.7?1.8。采用Si3N4作為第一折射率調(diào)整層20的材料，使得第一折射率調(diào)整層20的透過率相對較低。
[0034]第一折射率調(diào)整層20的厚度1nm?15nm。優(yōu)選的，第一折射率調(diào)整層20的厚度為 1nm0
[0035]第二折射率調(diào)整層30的材料為Si02。S12的折射率為1.48。采用S1jt為第二折射率調(diào)整層30的材料，使得第二折射率調(diào)整層30的透過率相對第一折射率調(diào)整層20較尚O
[0036]第二折射率調(diào)整層30的厚度為50nm?65nm。優(yōu)選的，第二折射率調(diào)整層30的厚度為62nm。
[0037]第三折射率調(diào)整層40的材料為一氮化硅(SiN)。SiN的折射率為2.0。采用SiN作為第三折射率調(diào)整層40的材料，使得第三折射率調(diào)整層40的透過率相對第二折射率調(diào)整層30較低。
[0038]第三折射率調(diào)整層40的厚度為35nm?45nm。優(yōu)選的，第三折射率調(diào)整層40的厚度為38nm。
[0039]第四折射率調(diào)整層50的材料為Si02。S12的折射率為1.48。采用S12作為第四折射率調(diào)整層50的材料，使得第四折射率調(diào)整層50的透過率相對較高。
[0040]第四折射率調(diào)整層50的厚度為90nm?105nm。優(yōu)選的，第四折射率調(diào)整層50的厚度為102nmo
[0041]第五折射率調(diào)整層60的材料為SiN。SiN的折射率為2.0。采用SiN作為第五折射率調(diào)整層60的材料，使得第五折射率調(diào)整層60的透過率相對較低。
[0042]第五折射率調(diào)整層60的厚度為5nm?10nm。優(yōu)選的，第五折射率調(diào)整層60的厚度為5nm。
[0043]上述減反射膜，包括第一折射率調(diào)整層20、第二折射率調(diào)整層30、第三折射率調(diào)整層40、第四折射率調(diào)整層50及第五折射率調(diào)整層60，透過率高低結合的合適厚度的膜層結構，使得減反射膜100減反射效果較好，應用于電子產(chǎn)品時，在室外陽光或室內(nèi)強光下光的反射率為1.0%?2.5%;通過Si3N4、SiN及S12的結合，使得減反射膜100的硬度較好，絕緣電阻大于IG Ω，絕緣性能較好，從而能保證電子產(chǎn)品的絕緣性能。
[0044]上述減反射膜100的制備方法，包括如下步驟:
[0045]S10、提供基底。
[0046]需要說明的是，基底可以為玻璃基板、硅片或者PET膜等，根據(jù)需要使用減反射膜100的情況而定。
[0047]優(yōu)選的，先對基底進行清洗并干燥。
[0048]S20、在基底表面依次沉積第一折射率調(diào)整層20、第二折射率調(diào)整層30、第三折射率調(diào)整層40、第四折射率調(diào)整層50及第五折射率調(diào)整層60。
[0049]第一折射率調(diào)整層20的材料為氮化硅(Si3N