本發(fā)明涉及磁制冷技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種永磁體組件和磁制冷機(jī)。

背景技術(shù)：

磁制冷技術(shù)是一種基于磁熱效應(yīng)的新型制冷技術(shù)，磁熱效應(yīng)是指磁熱材料在磁場(chǎng)增強(qiáng)時(shí)放熱、磁場(chǎng)減弱時(shí)吸熱的物理現(xiàn)象。磁制冷技術(shù)由其節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)逐漸被關(guān)注。

目前，采用超導(dǎo)磁體、電磁鐵或永磁體為磁制冷提供驅(qū)動(dòng)力的磁化場(chǎng)。對(duì)于室溫磁制冷的商業(yè)應(yīng)用開發(fā)(特別是中小型產(chǎn)品的開發(fā)，如空調(diào)、家用冰箱等)來說，一般采用永磁體產(chǎn)生磁化場(chǎng)，結(jié)構(gòu)簡單，運(yùn)行、維護(hù)費(fèi)用較低。但是，永磁體產(chǎn)生的磁化場(chǎng)的強(qiáng)度較低，且均勻性較難保證。

綜上所述，如何利用永磁體產(chǎn)生磁化場(chǎng)，以提高磁化場(chǎng)的強(qiáng)度，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種永磁體組件，以提高磁化場(chǎng)的強(qiáng)度。本發(fā)明的另一目的是提供一種具有上述永磁體組件的磁制冷機(jī)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種永磁體組件，包括兩個(gè)磁體組件，所述磁體組件包括相連的中心永磁體和外圍永磁體，所述外圍永磁體至少為兩個(gè)且沿所述中心永磁體的周向分布；

兩個(gè)所述磁體組件之間具有間隙；一個(gè)所述磁體組件的中心永磁體的充磁方向指向所述間隙，另一個(gè)所述磁體組件的中心永磁體的充磁方向背離所述間隙；一個(gè)所述磁體組件中，所述外圍永磁體的充磁方向的指向所述中心永磁體；另一個(gè)所述磁體組件中，所述外圍永磁體的充磁方向的背離所述中心永磁體；

一個(gè)所述磁體組件中任意一個(gè)外圍永磁體和另一個(gè)所述磁體組件中與該外圍永磁體相對(duì)應(yīng)的外圍永磁體、以及兩個(gè)所述磁體組件的中心永磁體形成磁回路，且所述磁回路經(jīng)過所述間隙。

優(yōu)選地，所述磁體組件中，所述外圍永磁體的充磁方向與所述中心永磁體的充磁方向垂直。

優(yōu)選地，所述磁體組件中，所述中心永磁體的充磁方向?yàn)樗鲋行挠来朋w的軸向，所述外圍永磁體的充磁方向?yàn)樗鲋行挠来朋w的徑向。

優(yōu)選地，一個(gè)所述磁體組件中的外圍永磁體和另一個(gè)所述磁體組件中的外圍永磁體一一對(duì)應(yīng)。

優(yōu)選地，所述磁體組件中，相鄰的兩個(gè)所述外圍永磁體貼合。

優(yōu)選地，依次貼合的所述外圍永磁體環(huán)繞所述中心永磁體。

優(yōu)選地，所述外圍永磁體沿所述中心永磁體的周向均勻分布。

優(yōu)選地，所述磁體組件中，任意兩個(gè)所述外圍永磁體靠近所述間隙的內(nèi)端面平齊，任意兩個(gè)所述外圍永磁體遠(yuǎn)離所述間隙的外端面平齊。

優(yōu)選地，一個(gè)所述磁體組件的中心永磁體和另一個(gè)所述磁體組件的中心永磁體相對(duì)設(shè)置，一個(gè)所述磁體組件的外圍永磁體和另一個(gè)所述磁體組件的外圍永磁體相對(duì)設(shè)置。

優(yōu)選地，兩個(gè)所述磁體組件平行設(shè)置。

優(yōu)選地，所述中心永磁體靠近所述間隙的內(nèi)端設(shè)有凸起。

優(yōu)選地，所述中心永磁體遠(yuǎn)離所述間隙的外端設(shè)有凹槽。

優(yōu)選地，所述永磁體組件還包括第一磁軛，所述第一磁軛覆蓋兩個(gè)所述磁體組件的周向側(cè)壁和所述間隙，且所述第一磁軛具有與所述間隙連通的開口。

優(yōu)選地，所述開口為兩個(gè)，且關(guān)于所述中心永磁體的軸線對(duì)稱設(shè)置。

優(yōu)選地，所述開口為一個(gè)。

優(yōu)選地，所述永磁體組件還包括第二磁軛，所述第二磁軛覆蓋所述磁體組件遠(yuǎn)離所述間隙的外端。

基于上述提供的永磁體組件，本發(fā)明還提供了一種磁制冷機(jī)，磁制冷機(jī)包括永磁體組件，所述永磁體組件為上述任意一項(xiàng)所述的永磁體組件。

本發(fā)明提供的永磁體組件的使用方法：讓磁熱元件和上述永磁體組件發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使得永磁元件移入兩個(gè)磁體組件的間隙以及移出該間隙，來達(dá)到對(duì)磁熱元件的磁化和去磁。

本發(fā)明提供的永磁體組件，通過在中心永磁體的周向設(shè)置外圍永磁體，一個(gè)磁體組件中任意一個(gè)外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件中與該外圍永磁體相對(duì)應(yīng)的外圍永磁體、以及兩個(gè)磁體組件的中心永磁體形成磁回路，磁回路經(jīng)過兩個(gè)磁體組件之間的間隙，則所有的磁回路的磁力線均會(huì)經(jīng)過上述間隙并在該間隙處疊加，使得該間隙中具有較高磁場(chǎng)強(qiáng)度，較現(xiàn)有技術(shù)直接利用單個(gè)永磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)相比，有效提高了磁化場(chǎng)的強(qiáng)度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的永磁體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的截面圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的永磁體組件的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3的截面圖；

圖5為圖3中永磁體組件的俯視圖；

圖6為圖3中永磁體組件的磁力線回路的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的永磁體組件的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例三提供的永磁體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8的截面圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1-9中，箭頭方向表示充磁方向，“╳”表示磁力線垂直進(jìn)入所示永磁體端面，“·”表示磁力線自所示磁體端面垂直出來。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供的永磁體組件包括兩個(gè)磁體組件，磁體組件包括相連的中心永磁體和外圍永磁體，外圍永磁體至少為兩個(gè)且沿中心永磁體的周向分布。

需要說明的是，上述中心永磁體呈柱狀，該中心永磁體的橫截面可為四邊形、圓形等。為了方便設(shè)置外圍永磁體以及提高磁化場(chǎng)的強(qiáng)度，優(yōu)先選擇中心永磁體的橫截面為圓形，即中心永磁體為圓柱形?？梢岳斫獾氖牵鲜鲋行挠来朋w的橫截面垂直于中心永磁體的軸向。

兩個(gè)磁體組件之間具有間隙8，一個(gè)磁體組件中任意一個(gè)外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件中與該外圍永磁體相對(duì)應(yīng)的外圍永磁體、以及兩個(gè)磁體組件的中心永磁體形成磁回路，且磁回路經(jīng)過間隙8。兩個(gè)磁體組件沿中心永磁體的軸向分布，以保證形成上述磁回路。

可以理解的是，上述永磁體組件具有上述磁回路，則要求一個(gè)磁體組件的中心永磁體的充磁方向指向間隙8，另一個(gè)磁體組件的中心永磁體的充磁方向背離間隙8；一個(gè)磁體組件中，外圍永磁體的充磁方向的指向中心永磁體；另一個(gè)磁體組件中，外圍永磁體的充磁方向的背離中心永磁體。

為了便于說明，兩個(gè)磁體組件分別為第一磁體組件2和第二磁體組件3，第一磁體組件2的中心永磁體為第一中心永磁體6，第一磁體組件2的外圍永磁體為第一外圍永磁體4，第二磁體組件3的中心永磁體為第二中心永磁體7，第二磁體組件3的外圍永磁體為第二外圍永磁體5。第一外圍永磁體4和第二外圍永磁體5對(duì)應(yīng)設(shè)置，具體地，第一外圍永磁體4和第二外圍永磁體5一一對(duì)應(yīng)，或一個(gè)第一外圍永磁體4和兩個(gè)以上的第二外圍永磁體5對(duì)應(yīng)，或兩個(gè)以上的第一外圍永磁體4和一個(gè)第二外圍永磁體5對(duì)應(yīng)。

第一磁體組件2和第二磁體組件3可上下分布，也可左右分布，只要保證沿中心永磁體的軸向分布即可。第一中心永磁體6和第一外圍永磁體4位于間隙8的一側(cè)，第二中心永磁體7和第二外圍永磁體5位于間隙8的另一側(cè)。

一個(gè)磁體組件中任意一個(gè)外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件中與該外圍永磁體相對(duì)應(yīng)的外圍永磁體、以及兩個(gè)磁體組件的中心永磁體形成磁回路，即一個(gè)第一外圍永磁體4、與該第一外圍永磁體4相對(duì)應(yīng)的第二外圍永磁體5、第二中心永磁體7和第一中心永磁體6形成一個(gè)磁回路。上述永磁體組件的磁回路的數(shù)目和一個(gè)磁體組件中外圍永磁體的數(shù)目相同。

上述第一外圍永磁體4的充磁方向指向第一中心永磁體6；第二外圍永磁體5的充磁方向背離第二中心永磁體7；第一中心永磁體6的充磁方向指向間隙8，即上述第一外圍永磁體4的充磁方向指向第二中心永磁體7，第二中心永磁體7的充磁方向背離間隙8，即第二外圍永磁體5的充磁方向背離第一中心永磁體6，如圖2所示。

上述永磁體組件是基于halbach理論(海爾貝克陣列理論)制作。halbach理論是指，將不同位置的永磁體按一定規(guī)律變化的充磁方向充磁，形成永磁體陣列，產(chǎn)生特定位置需要的高強(qiáng)磁場(chǎng)，例如空隙。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的永磁體組件，通過在中心永磁體的周向設(shè)置外圍永磁體，一個(gè)磁體組件中任意一個(gè)外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件中與該外圍永磁體相對(duì)應(yīng)的外圍永磁體、以及兩個(gè)磁體組件的中心永磁體形成磁回路，磁回路經(jīng)過兩個(gè)磁體組件之間的間隙8，則所有的磁回路的磁力線均會(huì)經(jīng)過上述間隙8并自該間隙8處疊加，使得該間隙8中具有較高磁場(chǎng)強(qiáng)度，較現(xiàn)有技術(shù)直接利用單個(gè)永磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)相比，有效提高了磁化場(chǎng)的強(qiáng)度。

優(yōu)選地，上述磁體組件中，外圍永磁體的充磁方向與中心永磁體的充磁方向垂直。具體地，第一外圍永磁體4的充磁方向與第一中心永磁體6的充磁方向垂直，第二外圍永磁體5的充磁方向與第二中心永磁體7的充磁方向垂直。這樣，提高了磁回路中磁力線的密集度。當(dāng)然，也可選擇外圍永磁體的充磁方向與中心永磁體的充磁方向的夾角小于90°或大于90°，并不局限于上述情況。

進(jìn)一步地，上述磁體組件中，中心永磁體的充磁方向?yàn)橹行挠来朋w的軸向，外圍永磁體的充磁方向?yàn)橹行挠来朋w的徑向。具體地，第一中心永磁體6充磁方向?yàn)榈谝恢行挠来朋w6的軸向，第一外圍永磁體4的充磁方向?yàn)榈谝恢行挠来朋w6的徑向，第二中心永磁體7充磁方向?yàn)榈诙行挠来朋w7的軸向，第二外圍永磁體5的充磁方向?yàn)榈诙行挠来朋w7的徑向。這樣，方便了外圍永磁體和中心永磁體充磁，從而方便了整個(gè)永磁體組件的制造。

為了進(jìn)一步提高間隙8處的磁場(chǎng)強(qiáng)度，優(yōu)先選擇一個(gè)磁體組件中的外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件中的外圍永磁體一一對(duì)應(yīng)。具體地，第一外圍永磁體4和第二外圍永磁體5一一對(duì)應(yīng)。

為了避免漏磁，上述永磁體組件，上述外圍永磁體與中心永磁體貼合。

上述磁體組件中，相鄰的兩個(gè)外圍永磁體可貼合，也可具有空隙。為了進(jìn)一步提高磁化場(chǎng)強(qiáng)度，相鄰的兩個(gè)外圍永磁體貼合。

進(jìn)一步地，依次貼合的外圍永磁體環(huán)繞中心永磁體，如圖1所示。

這樣，外圍永磁體包圍了中心永磁體的整個(gè)周向，這樣，最大程度地增加了外圍永磁體的數(shù)目以及磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而進(jìn)一步提高了磁化場(chǎng)的強(qiáng)度。

上述磁體組件中，外圍永磁體的數(shù)目，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，例如，外圍永磁體為兩個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)、八個(gè)等。

為了提高間隙8中磁場(chǎng)的均勻性，即磁化場(chǎng)的均勻性，上述外圍永磁體沿中心永磁體的周向均勻分布。此時(shí)，同一磁體組件中，任意兩個(gè)外圍永磁體的周向長度相等。

上述磁體組件中，任意兩個(gè)外圍永磁體的端面可平齊，也可不平齊。為了提高磁場(chǎng)均勻性，優(yōu)先選擇任意兩個(gè)外圍永磁體的內(nèi)端面平齊。進(jìn)一步地，任意兩個(gè)外圍永磁體的外端面平齊。

外圍永磁體的內(nèi)端面，是指外圍永磁體靠近間隙8的端面；外圍永磁體的外端面，是指外圍永磁體遠(yuǎn)離間隙8的端面。

上述磁體組件中，任意兩個(gè)外圍永磁體大小可相同，也可不同。為了方便生產(chǎn)和制作，優(yōu)先選擇任意兩個(gè)外圍永磁體的大小相同，即任意兩個(gè)外圍永磁體的任意尺寸相同。

優(yōu)選地，一個(gè)磁體組件的中心永磁體和另一個(gè)磁體組件的中心永磁體相對(duì)設(shè)置，一個(gè)磁體組件的外圍永磁體和另一個(gè)磁體組件的外圍永磁體相對(duì)設(shè)置。具體地，第一中心永磁體6和第二中心永磁體7相對(duì)設(shè)置，第一外圍永磁體4和第二外圍永磁體5相對(duì)設(shè)置。這樣，便于形成磁回路，也便于增強(qiáng)間隙8處的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

可以理解的是，第一中心永磁體6和第二中心永磁體7共軸線設(shè)置，第一外圍永磁體4在第二外圍永磁體5上的投影的中心垂線與該第二外圍永磁體5的內(nèi)端面的中心垂線重合，第二外圍永磁體5在第一外圍永磁體4上的投影的中心垂線與該第一外圍永磁體4的內(nèi)端面的中心垂線重合。投影的中心垂線位于投影的中心且垂直于該投影，內(nèi)端面的中心垂線位于內(nèi)端面的中心且垂直于該內(nèi)端面，投影的中心垂線和內(nèi)端面的中心垂線均平行于中心永磁體的軸線。

當(dāng)然，也可選擇第一中心永磁體6的軸線偏移第二中心永磁體7的軸線，第一外圍永磁體4在第二外圍永磁體5上的投影的中心垂線偏移該第二外圍永磁體5的內(nèi)端面的中心垂線，第二外圍永磁體5在第一外圍永磁體4上的投影的中心垂線偏移該第一外圍永磁體4的內(nèi)端面的中心垂線，并不局限于上述實(shí)施例。

為了提高磁化場(chǎng)的均勻性，兩個(gè)上述磁體組件平行設(shè)置，即第一中心永磁體6的軸線與第二中心永磁體7的軸線共線或平行，第一外圍永磁體4的端面平行于第二外圍永磁體5的端面。

優(yōu)選地，上述中心永磁體靠近間隙8的內(nèi)端設(shè)有凸起。具體地，第一中心永磁體6的內(nèi)端設(shè)有第一凸起61，第二中心永磁體7的內(nèi)端設(shè)有第二凸起71。

這樣，在凸起的引導(dǎo)和限制作用下，增加了進(jìn)入間隙8的磁力線，從而提高了間隙8中的磁場(chǎng)強(qiáng)度，也使得間隙8中的磁場(chǎng)更加均勻。

進(jìn)一步地，凸起位于中心永磁體的內(nèi)端面的中部。

對(duì)于凸起的長短，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

相應(yīng)地，上述中心永磁體遠(yuǎn)離間隙8的外端設(shè)有凹槽。具體地，第一中心永磁體6的外端設(shè)有第一凹槽62，第二中心永磁體7的外端設(shè)有第二凹槽72。

進(jìn)一步地，凹槽位于中心永磁體的外端面的中部。

對(duì)于凸起的長短，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

中心永磁體的內(nèi)端面，是指中心永磁體靠近間隙8的端面；中心永磁體的外端面，是指中心永磁體遠(yuǎn)離間隙8的端面。

上述永磁體組件中，為了提高磁場(chǎng)均勻性，優(yōu)先選擇兩個(gè)磁體組件的結(jié)構(gòu)相同，且兩個(gè)磁體組件關(guān)于間隙8的中間面對(duì)稱設(shè)置。間隙8的中間面為過間隙8的中心點(diǎn)且垂直于間隙8的寬度方向的平面。間隙8的寬度方向與中心永磁體的軸向一致。

上述實(shí)施例一提供的永磁體組件中，由于兩個(gè)磁體組件外露，間隙8外露，則上述永磁體組件和磁熱元件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)可為旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，也可為直線運(yùn)動(dòng)，即上述永磁體組件可適用于旋轉(zhuǎn)式磁制冷機(jī)和往復(fù)式磁制冷機(jī)；而且，提高了互換性，簡化了安裝，降低了組裝成本，方便了維修。

對(duì)于該間隙8的大小，可通過調(diào)節(jié)兩個(gè)磁體組件的安裝位置進(jìn)行調(diào)節(jié)方便了使用。對(duì)于間隙8的具體數(shù)值，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。

但是，上述實(shí)施例一提供的永磁體組件中，由于兩個(gè)磁體組件外露，存在漏磁的情況，導(dǎo)致磁力沒有被充分利用。

為了優(yōu)化上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例二提供的永磁體組件在實(shí)施例一中永磁體組件的基礎(chǔ)上增加了第一磁軛，該第一磁軛覆蓋兩個(gè)磁體組件的周向側(cè)壁和間隙8，且第一磁軛具有與間隙8連通的開口10，如圖3-7所示。

上述第一磁軛實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁力線的屏蔽，第一磁軛的外面磁場(chǎng)強(qiáng)度為零，同時(shí)第一磁軛也是導(dǎo)磁體，將磁力線導(dǎo)入工作空間，增加工作空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度，以提高間隙8內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。上述第一磁軛采用高導(dǎo)磁材料。

上述開口10保證了磁熱元件移入和移出間隙8。對(duì)于開口10的大小，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

當(dāng)上述永磁體組件和磁熱元件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)為直線運(yùn)動(dòng)時(shí)，優(yōu)先選擇開口10為兩個(gè)，且關(guān)于中心永磁體的軸線對(duì)稱設(shè)置，如圖3和4所示。

當(dāng)然，也可選擇開口10為偶數(shù)個(gè)，且開口10大于兩個(gè)，并不局限于上述實(shí)施例。

當(dāng)上述永磁體組件和磁熱元件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)為旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，優(yōu)先選擇開口10為一個(gè)，如圖8和圖9。當(dāng)然，也可選擇開口10為兩個(gè)以上，并不局限于此。

當(dāng)中心永磁體為圓柱形時(shí)，優(yōu)先選擇第一磁軛為圓筒形，此時(shí)，開口10為弧形開口。對(duì)于弧形開口對(duì)應(yīng)的圓心角的弧度，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，例如弧形開口對(duì)應(yīng)的圓心角大于180°。

上述開口10的大小，根據(jù)磁化要求進(jìn)行選擇，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

為了優(yōu)化上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例三提供的永磁體組件在實(shí)施例二中永磁體組件的基礎(chǔ)上增加了第二磁軛，該第二磁軛，第二磁軛覆蓋磁體組件遠(yuǎn)離間隙8的外端，如圖8和圖9所述。

可以理解的是，第二磁軛和第一磁軛相連形成磁軛9。上述第一磁軛和第二磁軛可為一體式結(jié)構(gòu)，也可為分體式結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

當(dāng)然，也可選擇在實(shí)施例二中永磁體組件的基礎(chǔ)上增加第二磁軛，并不局限于上述實(shí)施例。

上述實(shí)施例提供的永磁體組件，提高了磁化場(chǎng)強(qiáng)度，則在滿足設(shè)計(jì)要求磁化場(chǎng)強(qiáng)度的前提下，減小了所用永磁體的數(shù)量、重量，減小了磁路總體重量，簡化了磁路結(jié)構(gòu)。

基于上述實(shí)施例提供的永磁體組件，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種磁制冷機(jī)，該磁制冷機(jī)包括永磁體組件1，該永磁體組件1為上述實(shí)施例所述的永磁體組件。

上述永磁體組件1可為一個(gè)，也可為兩個(gè)以上述，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)永磁體組件1的數(shù)目不做限定。

由于上述永磁體組件具有上述技術(shù)效果，上述磁制冷機(jī)具有上述永磁體組件，則上述磁制冷機(jī)也具有相應(yīng)的技術(shù)效果，本文不再贅述。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。