本發(fā)明實(shí)施例涉及l(fā)ed技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種led的制備方法及l(fā)ed。

背景技術(shù)：

led屬于固態(tài)的半導(dǎo)體器件，可以把電能轉(zhuǎn)化為光能。白光led具有體積小、光效高、壽命長、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。目前最常用的獲取白光的led的方法是利用高能量的藍(lán)光led芯片激發(fā)黃光熒光粉，產(chǎn)生黃光，通過藍(lán)光和黃光的混合從而產(chǎn)生白光。led是電光轉(zhuǎn)換的器件，因而電光轉(zhuǎn)化效率對白光led器件尤為重要。尤其是目前白光led已經(jīng)大量用于照明，提高白光led的出光效率對節(jié)能環(huán)保具有重大的意義。

但是，傳統(tǒng)點(diǎn)摻雜熒光粉的硅膠到藍(lán)光led的封裝方法中，熒光粉層攤開并固化后是平面，大量的光由于全內(nèi)反射的作用被限制在硅膠內(nèi)部。相對于空氣-硅膠介質(zhì)層而言，只有一小部分入射角度較小的光可以發(fā)射到外部。由于光的全反射作用，利用硅膠封裝后白光led的取光效率存在一定的限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種led的制備方法及l(fā)ed，以提高led的出光效率。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種led的制備方法，該方法包括：

利用微納加工技術(shù)制作具有微納結(jié)構(gòu)的母板；

采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜；

將所述高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上；

待所述硅膠固化之后取下所述高分子薄膜，與所述高分子薄膜上的微納圖案互補(bǔ)的圖案留在所述led器件的硅膠表面。

優(yōu)選地，所述將所述高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上之前，還包括：

制作點(diǎn)好硅膠的led器件。

優(yōu)選地，所述制作點(diǎn)好硅膠的led器件，包括：固晶；焊線；和點(diǎn)膠。

優(yōu)選地，所述利用微納加工技術(shù)制作具有微納結(jié)構(gòu)的母板，包括：

利用微納加工技術(shù)在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案；或

利用微納加工技術(shù)在石英襯底上制作反微球陣列圖案。

優(yōu)選地，所述利用微納加工技術(shù)在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案，包括：

利用光刻方法在所述硅襯底上的二氧化硅層制作陣列排列的方孔；

利用帶有陣列排列的方孔的所述二氧化硅層作為掩膜，在koh溶液中濕法刻蝕所述硅襯底，在所述硅襯底上形成反金字塔陣列圖案；

在boe溶液中除去所述硅襯底上的二氧化硅層。

優(yōu)選地，所述利用微納加工技術(shù)在石英襯底上制作反微球陣列圖案，包括：

利用光刻方法和剝離技術(shù)在所述石英襯底上制作cr金屬圖案層；

利用所述cr金屬圖案層作為掩膜，在boe溶液中濕法刻蝕所述石英襯底，在所述石英襯底上形成反微球陣列圖案；

去除所述石英襯底上的cr金屬圖案層。

優(yōu)選地，所述采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：

利用納米壓印技術(shù)將與所述母板上的微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的微納圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上。

優(yōu)選地，所述采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：

采用所述母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的模板；

利用納米壓印技術(shù)將與所述模板上的圖案互補(bǔ)的微納圖案轉(zhuǎn)移到所述高分子薄膜。

優(yōu)選地，所述采用所述母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的模板，包括：

在具有微納結(jié)構(gòu)的所述母板上蒸鍍一層ni金屬；

利用電鍍方法生長ni金屬層；

將電鍍后的所述ni金屬層揭下來作為ni模板。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種led，該led由第一方面所述的方法制備而成。

本發(fā)明利用圖形轉(zhuǎn)移的方法在led的硅膠表面制作微納結(jié)構(gòu)，在一定程度上打破光的全內(nèi)反射，使得更多的光可以發(fā)射出來，提高led的取光效率，使得封裝后的led更加節(jié)能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中的一種led的制備方法的流程圖；

圖2a-圖2f是本發(fā)明中的利用微納加工技術(shù)在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案的過程示意圖；

圖3a-圖3b是圖2f的俯視圖；

圖4a-圖4f是本發(fā)明中的利用微納加工技術(shù)在石英襯底上制作反微球陣列圖案的過程示意圖；

圖5a-圖5b是圖4f的俯視圖；

圖6a-圖6b是本發(fā)明中將硅母板上的反金字塔陣列圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上的過程示意圖；

圖7a-圖7b是本發(fā)明中將石英母板上的反微球陣列圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上的過程示意圖；

圖8a-圖8c是本發(fā)明中將硅母板上的反金字塔陣列圖案轉(zhuǎn)移到ni模板上的過程示意圖；

圖9a-圖9c是本發(fā)明中將石英母板上的反微球陣列圖案轉(zhuǎn)移到ni模板上的過程示意圖；

圖10a-圖10c是本發(fā)明中將ni模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上的過程示意圖；

圖11a-圖11b是本發(fā)明中在單個點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠表面形成正微球陣列圖案的過程示意圖；

圖12a-圖12b是本發(fā)明中在集成式的點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠表面形成正微球陣列圖案的過程示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例二中的一種led的制備方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種led的制備方法的流程圖。如圖1所示，led的制備方法包括如下步驟：

步驟110、利用微納加工技術(shù)制作具有微納結(jié)構(gòu)的母板；

具體地，利用微納加工技術(shù)制作具有微納結(jié)構(gòu)的母板，包括：利用微納加工技術(shù)在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案；或利用微納加工技術(shù)在石英襯底上制作反微球陣列圖案。

進(jìn)一步地，舉例說明，如圖2a-圖2f所示，利用微納加工技術(shù)在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案，具體包括：

如圖2a、在帶有熱氧化生長的二氧化硅層2的所述硅襯底3上涂一層光刻膠1；

其中，熱氧化生長的二氧化硅層2為1μm，在二氧化硅層2上旋涂一層約2μm的光刻膠1。

如圖2b、利用光刻方法在所述光刻膠1上制作陣列排列的方孔；

其中，利用光刻方法在光刻膠1上制作矩陣排列或蜂窩狀排列的方孔。

如圖2c、利用具有陣列排列的方孔的光刻膠1作為掩膜，刻蝕所述二氧化硅層2；

如圖2d、去除所述光刻膠1；

圖2a-圖2d為利用光刻方法在硅襯底3上的二氧化硅層2制作具有陣列排列的方孔的過程，即在硅襯底3上制作掩膜的過程，在此例中示意的是利用紫外光進(jìn)行光刻的方法，而為了實(shí)現(xiàn)更小尺寸的微納圖案，則可選擇使用電子束光刻的技術(shù)，其中，紫外光刻可以制作5μm以上線寬的圖形，電子束光刻可以制作50nm以上線寬的圖形。利用電子束進(jìn)行光刻的步驟此處不再舉例詳細(xì)說明。

如圖2e、利用具有陣列排列的方孔的所述二氧化硅層2作為掩膜，在koh溶液中濕法刻蝕所述硅襯底3，在所述硅襯底3上形成反金字塔陣列圖案；

其中，在koh溶液中利用硅的各向異性濕法刻蝕硅襯底3，在硅襯底3上制作反金字塔陣列圖案。具體地，本實(shí)施例中的反金字塔為四棱錐狀。

如圖2f、在boe溶液中除去所述硅襯底3上的二氧化硅層2，至此，制成了具有微納結(jié)構(gòu)的硅母板。

具體地，如圖2f中的制作反金字塔陣列圖案的硅襯底3，即硅母板的俯視圖如圖3a-3b所示，當(dāng)圖2b中光刻膠1選擇具有矩陣排列的方孔時，生成的硅襯底3具有矩陣排列的反金字塔結(jié)構(gòu)31，俯視圖如圖3a所示；當(dāng)圖2b中光刻膠1選擇具有蜂窩狀排列的方孔時，生成的硅襯底3具有蜂窩狀排列的反金字塔結(jié)構(gòu)31，俯視圖如圖3b所示。

圖3a和圖3b中的正方形的方孔代表的是硅襯底3上的反金字塔結(jié)構(gòu)31的俯視圖，方孔的邊長為反金字塔結(jié)構(gòu)31的方形底的邊長，邊長的長度范圍可以選擇為250nm到200μm，邊長與相鄰方孔的間距的比例為5:1，即間距的范圍為50nm到40μm。微納加工技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)這種尺寸的微納結(jié)構(gòu)，這種尺寸的微納結(jié)構(gòu)可以獲得較佳的出光取光率。

進(jìn)一步地，舉例說明，如圖4a-圖4f所示，利用微納加工技術(shù)在石英襯底上制作反微球陣列圖案，具體包括：

如圖4a、在所述石英襯底5上旋涂一層pmma4；

如圖4b、利用光刻方法在pmma4上制作陣列排列的圓孔；

其中，利用光刻方法在pmma4上制作矩陣排列或蜂窩狀排列的圓孔。

如圖4c、在具有陣列排列的圓孔的所述pmma4上蒸鍍cr金屬層6；

如圖4d、利用剝離技術(shù)去除所述pmma4，在所述石英襯底5上留下cr金屬圖案層6；

圖4a-圖4d為利用電子束光刻和剝離技術(shù)在石英襯底5上制作帶有陣列排列的cr金屬圓孔圖案的cr金屬圖案層6的過程，即在石英襯底5上制作掩膜的過程。

如圖4e、利用所述cr金屬圖案層作為掩膜，在boe溶液中濕法刻蝕所述石英襯底5，在所述石英襯底5上形成反微球陣列圖案；

其中，在boe溶液中利用石英的各向同性濕法刻蝕所述石英襯底，在石英襯底上制作反微球陣列。

如圖4f、去除所述石英襯底5上的cr金屬圖案層6，至此，制成了具有微納結(jié)構(gòu)的石英母板。

具體地，如圖4f中的制作反微球陣列圖案的石英襯底5，即石英母板的俯視圖如圖5a-5b所示，當(dāng)圖4b中pmma4選擇具有矩陣排列的圓孔時，生成的石英襯底5具有矩陣排列的反微球結(jié)構(gòu)51，俯視圖如圖5a所示；當(dāng)圖4b中pmma4選擇具有蜂窩狀排列的圓孔時，生成的石英襯底5具有蜂窩狀排列的反金字塔結(jié)構(gòu)51，俯視圖如圖5b所示。

圖5a和圖5b中的圓孔代表的是石英襯底5上的反微球結(jié)構(gòu)51的俯視圖，圓孔的直徑為反微球結(jié)構(gòu)51的直徑，直徑的長度范圍可以選擇為250nm到200μm,直徑與相鄰圓孔的間距的比例為5:1，即間距的范圍為50nm到40μm。微納加工技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)這種尺寸的微納結(jié)構(gòu)，這種尺寸的微納結(jié)構(gòu)可以獲得較佳的出光取光率。

步驟120、采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜；

一方面，采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：利用納米壓印技術(shù)將與所述母板上的微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的微納圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上。組成高分子薄膜的高分子材料包括：pmma、pc、pvc、或pet等。

具體地，如圖6a-圖7b所示，利用納米壓印技術(shù)采用硅母板或石英母板制作具有微納圖案的高分子薄膜包括：先將組成高分子薄膜的高分子材料加熱到超過其玻璃化溫度的50℃左右，使高分子材料變軟，將硅母板(如圖6a所示)，或石英母板(如圖7a所示)有圖案的一面覆蓋于所述高分子材料上，再加上適當(dāng)?shù)膲毫Γǔ?mpa，讓硅母板或石英母板上的圖案進(jìn)入高分子薄膜8。然后將溫度降到常溫使高分子薄膜固化，去除硅母板(如圖6b所示)或石英母板(如圖7b所示)上的壓力后，與硅母板上的反金字塔圖案或者與石英母板上的反微球圖案互補(bǔ)的圖案便會轉(zhuǎn)移到高分子薄膜8上。此方法下，高分子薄膜8上為正金字塔圖案(如圖6b所示)或正微球圖案(如圖7b所示)。

另一方面，采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：采用所述母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的模板，如圖8a-9c所示；利用納米壓印技術(shù)將與所述模板上的圖案互補(bǔ)的微納圖案轉(zhuǎn)移到所述高分子薄膜，如圖10a-10c所示。

具體地，采用所述硅母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的ni模板，如圖8a-8c所示；采用所述石英母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的ni模板，如圖9a-9c所示。

采用硅母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的ni模板，包括：如圖8a、在具有反金字塔圖案的硅襯底3上蒸鍍一層ni金屬；如圖8b、利用電鍍的方法生長ni金屬層7；如圖8c、將電鍍后的ni金屬層7揭下來，即為ni模板7。此時，ni模板7上為正金字塔圖案。

采用石英母板制作與其微納結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的ni模板，包括：如圖9a、在具有反微球圖案的石英襯底5上蒸鍍一層ni金屬；如圖9b、利用電鍍的方法生長ni金屬層7；如圖9c、將電鍍后的ni金屬層7揭下來，即為ni模板7。此時，ni模板7上為正微球圖案。

再利用納米壓印技術(shù)將與所述模板上的圖案互補(bǔ)的微納圖案轉(zhuǎn)移到所述高分子薄膜，如圖10a-10c所示，具體包括：如圖10a、利用卷對卷納米壓印技術(shù)，在滾動的模式下，通過加熱加壓的方法將ni模板7上的圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜8上。此方法下，高分子薄膜8上為反金字塔圖案(如圖10b所示)或反微球圖案(如圖10c所示)。

步驟130、將所述高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上；步驟140、待所述硅膠固化之后取下所述高分子薄膜，與所述高分子薄膜上的微納圖案互補(bǔ)的圖案留在所述led器件的硅膠表面。

其中，點(diǎn)好硅膠的led器件可以為單個led器件，也可為集成式led器件。

針對單個led器件，如圖11a-11b所示，以具有反微球圖案的高分子薄膜8為例進(jìn)行說明。如圖11a、具有反微球圖案的高分子薄膜8覆蓋于單個點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠9上；如圖11b、將led器件放置于溫度為120℃的環(huán)境下2小時，待所述硅膠9固化之后取下所述高分子薄膜8，與所述高分子薄膜8上的微納圖案互補(bǔ)的圖案留在單個的所述led器件的硅膠9表面。此時，單個led器件的硅膠9表面為正微球陣列圖案。

針對集成式led器件，如圖12a-12b所示，以具有反微球圖案的高分子薄膜8為例進(jìn)行說明。如圖12a、將高分子薄膜8覆蓋于集成式的點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠9上；如圖12b、將led器件放置于溫度為120℃的環(huán)境下2小時，待所述硅膠9固化之后取下所述高分子薄膜8，與所述高分子薄膜8上的微納圖案互補(bǔ)的圖案留在集成式的所述led器件的硅膠9表面。此時，集成式led器件的硅膠9表面為正微球陣列圖案。

同樣地，將具有反金字塔圖案的高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上，led硅膠上形成的是正金字塔陣列圖案；將具有正金字塔圖案的高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上，led硅膠上形成的是反金字塔陣列圖案；將具有正微球圖案的高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上，led硅膠上形成的是反微球陣列圖案。

本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過微納加工技術(shù)制作具有微納圖案的母板，再將母板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上，最后將高分子薄膜上的圖形轉(zhuǎn)移到led的硅膠表面，在硅膠表面形成微納結(jié)構(gòu)，解決了硅膠的平面的光出射面對光線全反射造成的出光率低下的技術(shù)問題，達(dá)到提高led的取光效率的技術(shù)效果，使得封裝后的led更加節(jié)能。以藍(lán)光led的取光為例進(jìn)行說明，硅膠不摻雜熒光粉，硅膠的出光面為反金字塔陣列結(jié)構(gòu)、反微球陣列結(jié)構(gòu)、正金字塔陣列結(jié)構(gòu)或正微球陣列結(jié)構(gòu)時，led的光通量可以提高15％左右。

實(shí)施例二

實(shí)施例二是本發(fā)明提供的另一種led的制備方法的流程圖。實(shí)施例二是在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上的進(jìn)一步限定，與實(shí)施例一的相同之處不再贅述，實(shí)施例二與實(shí)施例一不同之處僅在于，多了制作點(diǎn)好硅膠的led器件的步驟。如圖13所示，該方法包括：

步驟210、利用微納加工技術(shù)制作具有微納結(jié)構(gòu)的母板；

步驟220、采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜；

步驟230、制作點(diǎn)好硅膠的led器件；

具體地，步驟230包括：制作點(diǎn)好硅膠的單個的led器件或集成式的led器件。單個led的長和寬分別為幾個毫米，例如4014的尺寸為4mm×1.4mm，3014的尺寸為3mm×1.4mm。led器件點(diǎn)的硅膠根據(jù)需要可以選擇為硅膠或摻雜熒光粉的硅膠。

其中，制作點(diǎn)好硅膠的單個的led器件，具體包括：

再次參考圖11a和11b，a.固晶：用固晶膠，例如銀膠或絕緣膠，把藍(lán)光led芯片11粘在由led支架15的支架基座14的中心，支架基座14形成反射凹腔13以提高出光效率，然后進(jìn)行烘烤，銀膠為在150℃的溫度下烘烤2小時，絕緣膠為在150℃的溫度下烘烤1小時；b.焊線：利用引線10，例如金絲或鋁絲，將電極引腳12焊接到led芯片11上，金絲用球焊，鋁絲采用壓焊；c.點(diǎn)膠：在藍(lán)光led11上點(diǎn)硅膠，如果僅用硅膠封裝藍(lán)光led芯片11，led器件發(fā)出的光為藍(lán)光；如果在硅膠中摻雜黃色熒光粉，led器件發(fā)出的光則為白光。此為傳統(tǒng)led封裝工藝，此處僅具體舉一例進(jìn)行說明，并不具體限定點(diǎn)好硅膠的單個led器件的制備步驟。

制作點(diǎn)好硅膠的集成式的led器件，具體包括：

再次參考圖12a和12b，a.固晶：在清潔后的pcb板上利用固晶膠(銀膠或絕緣膠)把led芯片11粘在pcb板上的led支架15的支架基座14的中心，支架基座14形成反射凹腔13以提高出光效率，然后進(jìn)行烘烤，銀膠為在150℃的溫度下烘烤2小時，絕緣膠為在150℃的溫度下烘烤1小時；b.焊線：利用引線10，例如金絲或鋁絲，將電極引腳12焊接到led芯片11上，金絲用球焊，鋁絲采用壓焊；c.點(diǎn)膠：在藍(lán)光led11上點(diǎn)硅膠，如果僅用硅膠封裝藍(lán)光led芯片11，led器件發(fā)出的光為藍(lán)光；如果在硅膠中摻雜黃色熒光粉，led器件發(fā)出的光則為白光。此為傳統(tǒng)led封裝工藝，此處僅具體舉一例進(jìn)行說明，并不具體限定點(diǎn)好硅膠的集成式led器件的制備步驟。

步驟240、將所述高分子薄膜覆蓋于點(diǎn)好硅膠的led器件的硅膠上；

步驟250、待所述硅膠固化之后取下所述高分子薄膜，與所述高分子薄膜上的微納圖案互補(bǔ)的圖案留在所述led器件的硅膠表面。

將帶有微納結(jié)構(gòu)的高分子薄膜覆蓋于led器件的硅膠上，然后將led器件放置于溫度為120℃的環(huán)境下2小時，待硅膠固化之后將高分子薄膜揭下來，與高分子薄膜上互補(bǔ)的圖案留在硅膠表面。集成式led器件的制備過程總體與單個led器件的制備過程類似。

若為單個led器件，在步驟250之后，還可以根據(jù)實(shí)際需要對led器件進(jìn)行灌封和測試：用灌封膠將led器件按其需要固定或密封在一定的腔體里并進(jìn)行產(chǎn)品測試；若為集成式的led器件，在步驟250之后，還根據(jù)實(shí)際需要對led器件進(jìn)行分割、測試和包裝。此為本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)，此處不再贅述。

本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過光刻技術(shù)制作具有微納圖案的母板，再將母板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到高分子薄膜上，最后將高分子薄膜上的圖形轉(zhuǎn)移到led的硅膠表面，在硅膠表面形成微納陣列結(jié)構(gòu)，解決了硅膠的平面的光出射面對光線全反射造成的出光率低下的技術(shù)問題，達(dá)到提高led的取光效率的技術(shù)效果，使得封裝后的led更加節(jié)能。以藍(lán)光led的取光為例進(jìn)行說明，硅膠不摻雜熒光粉，硅膠的出光面為反金字塔陣列結(jié)構(gòu)、反微球陣列結(jié)構(gòu)、正金字塔陣列結(jié)構(gòu)或正微球陣列結(jié)構(gòu)時，led的光通量可以提高15％左右。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種led，采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├腥我环椒ㄖ苽涠伞４薼ed的硅膠出光面具有微納陣列結(jié)構(gòu)，能夠打破硅膠的平面的光出射面對光的全反射，從而提高led的取光效率。

上述產(chǎn)品可執(zhí)行本發(fā)明任意實(shí)施例所提供的方法，具備執(zhí)行方法相應(yīng)的功能模塊和有益效果。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。